【總結(jié)】1SemiconductormaterialsLecturer:AiminLiu&WeifengLiu劉愛民劉維峰2半導(dǎo)體材料及器件工藝技術(shù)(四)1噴霧熱解成膜技術(shù)?2CVD成膜技術(shù)?低壓CVD、常壓CVD、離子增強型CVD、MOCVD?3擴(kuò)散及陽極氧化技術(shù)
2025-03-22 02:27
【總結(jié)】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢?半導(dǎo)體材料的分類什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【總結(jié)】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【總結(jié)】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點:①
2025-05-01 06:14
【總結(jié)】半導(dǎo)體光電子學(xué)的新進(jìn)展RecentProgressonSemiconductorBasedOpto-electronicDevices羅毅YiLUO集成光電子國家重點實驗室清華大學(xué)電子工程系StateKeyLabonIntegratedOptoelectronics
2025-01-01 06:44
【總結(jié)】第九章半導(dǎo)體光電子材料n電子器件和光電子器件應(yīng)用是半導(dǎo)體材料最重要的兩大應(yīng)用領(lǐng)域n半導(dǎo)體材料Si,GaAs和GaN,InP等既是重要的電子材料,也是重要的光電子材料半導(dǎo)體激光材料n1962年,GaAs激光二極管的問世,作為半導(dǎo)體光電子學(xué)的開端。n激光的激射波長取決于材料的帶隙,且只有具有直接帶隙的材料才能產(chǎn)生光輻射,它使注入的電
2025-01-05 09:59
【總結(jié)】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴(kuò)散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很薄(幾um—幾十um)N-摻雜
【總結(jié)】半導(dǎo)體的光學(xué)特性第一章OpticalPropertiesofSemiconductor?半導(dǎo)體光電子器件工作的本質(zhì)就是?光子與半導(dǎo)體中電子的相互作用,因此,了解這種作用是掌握光電子器件的關(guān)鍵。?光子與半導(dǎo)體電子的作用可以用散射理論來描述?在光子的散射作用下,電子從一個狀態(tài)進(jìn)入另一種狀態(tài)。?這里電子的狀態(tài)用電子波矢k來表
2025-01-14 10:03
【總結(jié)】半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用 能源、材料與信息被認(rèn)為是當(dāng)今正在興起的新技術(shù)革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進(jìn)展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動了現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)各個方面的發(fā)展,一個又一個劃時代意義的半導(dǎo)體生產(chǎn)新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產(chǎn)力和生產(chǎn)工具,極大地推動了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導(dǎo)體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲器、專用集成電路
2025-08-03 01:41
【總結(jié)】 實驗十七 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機構(gòu)時發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對金屬來說并不顯著,但對半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動化技術(shù)、檢測技術(shù)及信息處理等方面?;魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過霍爾效應(yīng)實驗?zāi)軠y定半導(dǎo)體材料的
2025-08-03 06:23
【總結(jié)】第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求材料學(xué)院徐桂英半導(dǎo)體材料第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求?半導(dǎo)體材料的實際應(yīng)用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、遷移率、光學(xué)性質(zhì)等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-06 12:45
【總結(jié)】化合物半導(dǎo)體材料與器件?輸運:載流子的凈流動過程稱為輸運。?兩種基本輸運體制:漂移運動、擴(kuò)散運動。?載流子的輸運現(xiàn)象是最終確定半導(dǎo)體器件電流-電壓特性的基礎(chǔ)。?假設(shè):雖然輸運過程中有電子和空穴的凈流動,但是熱平衡狀態(tài)不會受到干擾。?涵義:n、p、EF的關(guān)系沒有變化。(輸運過程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運動的速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超
2025-05-06 06:14
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體材料(一)信息功能材料第一章半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體的基本特性、結(jié)構(gòu)與類型?半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)?半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)和缺陷?典型半導(dǎo)體材料的應(yīng)用和器件內(nèi)容:重點:?半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)和能帶?典型半導(dǎo)體的應(yīng)用引言導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體導(dǎo)電性劃分結(jié)晶半導(dǎo)體元素半導(dǎo)體非結(jié)晶半導(dǎo)體半導(dǎo)體有機半導(dǎo)體
2025-05-03 18:11
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體二極管內(nèi)容簡介本章首先介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能和特點,進(jìn)而從原子結(jié)構(gòu)給與解釋。先討論PN結(jié)的形成和PN結(jié)的特性,然后介紹半導(dǎo)體二極管特性曲線和主要參數(shù)。分析這些管子組成的幾種簡單的應(yīng)用電路,最后列出常用二極管參數(shù)及技能訓(xùn)練項目。知識教學(xué)目標(biāo)??,掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕??、伏安特性和主要參數(shù);?
2025-04-17 00:00
【總結(jié)】《半導(dǎo)體器件電子學(xué)》教學(xué)大綱課程編號:MI3221009課程名稱:半導(dǎo)體器件電子學(xué)英文名稱:ElectronicsofSemiconductorDevices學(xué)時:46學(xué)分:3課程類型:限選課程性質(zhì):專業(yè)課適用