【總結】1SemiconductormaterialsLecturer:AiminLiu&WeifengLiu劉愛民劉維峰2半導體材料及器件工藝技術(四)1噴霧熱解成膜技術?2CVD成膜技術?低壓CVD、常壓CVD、離子增強型CVD、MOCVD?3擴散及陽極氧化技術
2025-03-22 02:27
【總結】半導體材料?半導體材料的發(fā)展簡史?半導體材料的發(fā)展趨勢?半導體材料的分類什么是半導體?按照不同的標準,有不同的分類方式。按固體的導電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導體、半導體和絕緣體。導體、半導體和絕緣體的電阻率范圍材料導體半導體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【總結】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結構:四層PNPN結構,三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【總結】第六章可關斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結構及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結構:四層PNPN結構,三端器件;特點:①
2025-05-01 06:14
【總結】半導體光電子學的新進展RecentProgressonSemiconductorBasedOpto-electronicDevices羅毅YiLUO集成光電子國家重點實驗室清華大學電子工程系StateKeyLabonIntegratedOptoelectronics
2025-01-01 06:44
【總結】第九章半導體光電子材料n電子器件和光電子器件應用是半導體材料最重要的兩大應用領域n半導體材料Si,GaAs和GaN,InP等既是重要的電子材料,也是重要的光電子材料半導體激光材料n1962年,GaAs激光二極管的問世,作為半導體光電子學的開端。n激光的激射波長取決于材料的帶隙,且只有具有直接帶隙的材料才能產生光輻射,它使注入的電
2025-01-05 09:59
【總結】第四章電力晶體管§GTR結構雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導體材料,兩個PN結(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很薄(幾um—幾十um)N-摻雜
【總結】半導體的光學特性第一章OpticalPropertiesofSemiconductor?半導體光電子器件工作的本質就是?光子與半導體中電子的相互作用,因此,了解這種作用是掌握光電子器件的關鍵。?光子與半導體電子的作用可以用散射理論來描述?在光子的散射作用下,電子從一個狀態(tài)進入另一種狀態(tài)。?這里電子的狀態(tài)用電子波矢k來表
2025-01-14 10:03
【總結】半導體材料的分類及應用 能源、材料與信息被認為是當今正在興起的新技術革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動了現(xiàn)代科學技術各個方面的發(fā)展,一個又一個劃時代意義的半導體生產新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產力和生產工具,極大地推動了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲器、專用集成電路
2025-08-03 01:41
【總結】 實驗十七 半導體材料的霍爾效應霍爾效應是磁電效應的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導電機構時發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導體、導電流體等也有這種效應。這一效應對金屬來說并不顯著,但對半導體非常顯著。利用這一效應制成的各種霍爾元件,廣泛地應用于工業(yè)自動化技術、檢測技術及信息處理等方面?;魻栃茄芯堪雽w材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗能測定半導體材料的
2025-08-03 06:23
【總結】第4章對半導體材料的技術要求材料學院徐桂英半導體材料第4章對半導體材料的技術要求?半導體材料的實際應用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結構、晶體結構、遷移率、光學性質等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-06 12:45
【總結】化合物半導體材料與器件?輸運:載流子的凈流動過程稱為輸運。?兩種基本輸運體制:漂移運動、擴散運動。?載流子的輸運現(xiàn)象是最終確定半導體器件電流-電壓特性的基礎。?假設:雖然輸運過程中有電子和空穴的凈流動,但是熱平衡狀態(tài)不會受到干擾。?涵義:n、p、EF的關系沒有變化。(輸運過程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運動的速度遠遠超
2025-05-06 06:14
【總結】第一章半導體材料(一)信息功能材料第一章半導體材料?半導體的基本特性、結構與類型?半導體的導電機構?半導體材料中的雜質和缺陷?典型半導體材料的應用和器件內容:重點:?半導體的電子結構和能帶?典型半導體的應用引言導體半導體絕緣體導電性劃分結晶半導體元素半導體非結晶半導體半導體有機半導體
2025-05-03 18:11
【總結】第一章半導體二極管內容簡介本章首先介紹半導體的導電性能和特點,進而從原子結構給與解釋。先討論PN結的形成和PN結的特性,然后介紹半導體二極管特性曲線和主要參數(shù)。分析這些管子組成的幾種簡單的應用電路,最后列出常用二極管參數(shù)及技能訓練項目。知識教學目標??,掌握PN結的單向導電特性;??、伏安特性和主要參數(shù);?
2025-04-17 00:00
【總結】《半導體器件電子學》教學大綱課程編號:MI3221009課程名稱:半導體器件電子學英文名稱:ElectronicsofSemiconductorDevices學時:46學分:3課程類型:限選課程性質:專業(yè)課適用