【文章內(nèi)容簡介】
相等; 任一截面的空穴流密度與電子流密度之和卻相等,即為 pn結的總電流; 分別求出空間電荷區(qū)邊界空穴流密度和電子流密度,二者之和則構成 pn結電流密度。(前面的假設( 1) ) 167。 4 PN結的暗特性 ?,即空間電荷區(qū)二側邊界處電子流 密度與空穴流密度各自分別相等; pn結電流則可用 p區(qū)側邊界電子流與 n區(qū)側邊界空穴流密度之和表示。 (前面的假設( 2)和( 3) ) 167。 4 PN結的暗特性 ?C. 分別求解少子電子和少子空穴在其擴散區(qū)的載流子連續(xù)性方程,可得到非 平衡少子電子和非平衡少子空穴在其擴散區(qū)的分布函數(shù); 根據(jù)擴散方程,即可求得空間電荷區(qū) p區(qū)側邊界處的電子流密度, n區(qū)側邊界處處空穴流密度。 167。 4 PN結的暗特性 ( ) ( )n n p nI I x I x??( ) ( )n n p nI I x I x??( ) ( )n p p nI I x I x? ? ?直流電流方程 取 x=xn程 ( ) ( )n p n nI x I x??因為 所以 167。 4 PN結的暗特性 空穴在其擴散區(qū) ( n區(qū)的準中性區(qū))內(nèi)連續(xù)性方程 20220n0( ) ( )0( ) e xp( / )n n npnnnnd p x p x pdx Lppp x p qV K T?????邊 界 條 件() = 認為 pn結無限長 167。 4 PN結的暗特性 求得 ( ) /00( ) ( 1 )npqVx x LKTn n np x p p e e??? ? ?( ) /00( ) ( 1 )pnqVx x LKTp p pn x n n e e?? ? ?同理求得 nxx? 時pxx?? 時167。 4 PN結的暗特性 ?勢壘區(qū)兩邊界少子濃度的變化 Ln Lp xn xp 167。 4 PN結的暗特性 那么 ( ) /0( ) /0()( ) ( 1 )()( ) ( 1 )nppnqVx x LpnnKTpppqVx x Lp n pKTnnnqD pdp xJ x qD e edx Ldn x qD nJ x qD e edx L???? ? ? ?? ? ? ?167。 4 PN結的暗特性 ( ) /0()( ) ( 1 ) npqVx x Lpnn KTpppq D pd p xJ