陣列感應(yīng)講ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-05 22:09 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 Rxo）及侵入帶的侵入深度。 資料處理 二維電阻率反演處理 二維電阻率反演同時(shí)考慮地層電阻率在縱向和徑向上的變化，但目前在測(cè)井資料處理中還沒有一種技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)與測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)完全吻合的反演。在實(shí)際反演中，通常使用一個(gè)設(shè)置的地層模型進(jìn)行模擬，將得到的合成數(shù)據(jù)與實(shí)際的測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)進(jìn)行比較，通過逐步調(diào) 整地層模型的參數(shù)，使兩種數(shù)據(jù)近似一致（小于規(guī)定的誤差），這樣可以得到一個(gè)包含電阻率分布的定量地層模型。許多反演算法可以產(chǎn)生二維地層電阻率模型、形成二維地層電阻率圖像。 Rt,n1 Rt,n Rt,n+1 Rxo,n1 Lxo,n1 Rt,n1 Rt,n Rt,n+1 Rxo,n Lxo,n Rxo,n+1 Lxo,n+1 Rm BHD Borehole 資料處理 測(cè)井條件 陣列感應(yīng)測(cè)井不能取代側(cè)向測(cè)井 ， 它與雙側(cè)向測(cè)井互為補(bǔ)充 ， 分別適應(yīng)不同的測(cè)井條件 。 陣列感應(yīng)測(cè)井適應(yīng)的測(cè)井條件一般為： ? 中 、 低電阻率地層； ? 相對(duì)較高的泥漿電阻率 。 由感應(yīng)測(cè)井原理可知 ， 如泥漿電阻率太低 ， 對(duì)測(cè)量結(jié)果影響較大；如 Rt/Rxo很大 ， 則高度聚焦的感應(yīng)測(cè)井曲線會(huì)出現(xiàn)“ 洞穴效應(yīng) ” 。 ? 井眼直徑不能太大。如井徑很大，特別對(duì)短間距陣列測(cè)量值影響很大；如加測(cè)微球型聚焦測(cè)井，可在一定程度上補(bǔ)償其影響； ? 原狀地層電阻率和沖洗帶電阻率有差別。如兩者接近，陣列感應(yīng)測(cè)井不能很好地反映地層的泥漿侵入特性。 地質(zhì)應(yīng)用 ?泥漿侵入機(jī)理 ?地層侵入特性描述 ① 直觀描述 ② 徑向電阻率變化 ③ 徑向侵入?yún)?shù)和徑向飽和度 ④ 泥漿濾液侵入體積 ?劃分有效滲透層 ?識(shí)別儲(chǔ)層流體性質(zhì) ① 油水層識(shí)別 ② 氣層侵入特性 ?確定原狀地層電阻率 ?薄層評(píng)價(jià) 泥漿侵入機(jī)理 r1 di r2 原狀地層 原狀地層 過渡帶 過渡帶 沖洗帶 沖洗帶 井 眼 在鉆井過程中 ， 泥漿在正向壓差作用下侵入地層 。 其具體過程大致如下：從井眼形成的瞬間開始泥漿和泥漿濾液便向滲透性地層滲透 ， 在這段時(shí)間內(nèi)還未形成泥餅 ， 稱為瞬時(shí)失水（ 噴失 ） 過程；泥餅形成后 ， 在泥漿循環(huán)狀態(tài)下 ， 泥漿失水量由大到小至恒定 ， 這段時(shí)間屬于動(dòng)失水過程；在瞬時(shí)失水過程之后動(dòng)失水和靜失水過程交替出現(xiàn) ， 最終泥餅保持一定的厚度 ， 累積失水量達(dá)到一定數(shù)值 ， 最終泥餅保持一定的厚度 ， 累積失水量達(dá)到一定數(shù)值 ， 形成動(dòng)態(tài)平衡 。 一般而言 ， 瞬時(shí)失水量較小 ， 動(dòng)失水量大于靜失水量；失水量越大 ， 泥餅越厚 。 通常情況下 ， 泥漿及其濾液徑向侵入剖面是漸變的 ， 根據(jù)侵入程度的變化可分為沖洗帶 、 過渡帶和原狀地層 。 地質(zhì)應(yīng)用 地層侵入特性描述 如果泥漿濾液電阻率 Rmf小于地層水電阻率 Rw，對(duì)于油氣層和水層深探測(cè)電阻率均小于淺探測(cè)電阻率，顯示為正差異。 如果 Rmf大于 Rw，對(duì)于水層深探測(cè)電阻率大于淺探測(cè)電
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