了解內(nèi)存ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 22:04 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 內(nèi)存結(jié)構(gòu)，它多用于早期的 FPM和 EDD DRAM，最初一次只能傳輸 8bif數(shù)據(jù)，后來逐漸發(fā)展出 16bit、 32bit的 SIMM模組，其中 8bit和 16bitSIMM使用 30pin接口， 32bit的則使用 72pin接口。在內(nèi)存發(fā)展進入 SDRAM時代后， SIMM逐漸被 DIMM技術(shù)取代 。 DIMM （ Double Inline Memory Module，雙內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊） 184針 DIMM插槽 DIMM與 SIMM相當(dāng)類似，不同的只是 DIMM的金手指兩端不像 SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號的傳送需要。同樣采用 DIMM，SDRAM 的接口與 DDR內(nèi)存的接口也略有不同， SDRAM DIMM為 168Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面為 84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀； DDR DIMM則采用 184Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一個卡口。卡口數(shù)量的不同，是二者最為明顯的區(qū)別。 DDR2 DIMM為240pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有 120Pin，與 DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口，但是卡口的位置與 DDR DIMM稍微有一些不同，因此 DDR內(nèi)存是插不進DDR2 DIMM的，同理 DDR2內(nèi)存也是插不進 DDR DIMM的，因此在一些同時具有DDR DIMM和 DDR2 DIMM的主板上，不會出現(xiàn)將內(nèi)存插錯插槽的問題。 240針 DDR2 DIMM插槽 RIMM RIMM是 Rambus公司生產(chǎn)的 RDRAM內(nèi)存所采用的接口類型，RIMM內(nèi)存與 DIMM的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM有也 184 Pin的針腳，在金手指的中間部分有兩個靠的很近的卡口。 RIMM非 ECC版有 16位數(shù)據(jù)寬度， ECC版則都是 18位寬。由于RDRAM內(nèi)存較高的價格，此類內(nèi)存在 DIY市場很少見到， RIMM接口也就難得一見了。 第四章 了解內(nèi)存 三、內(nèi)存的技術(shù)指標 內(nèi)存的容量：內(nèi)存條上單個芯片容量之和， 32MB、 64MB、128MB、 256MB、 512MB 存取周期 兩次獨立的存取操作之間所需最短的時間，稱為存取周期（ TMC），單位是 ns（一般用在其它外存上） 數(shù)據(jù)寬度和帶寬 （ 1）內(nèi)存一次同時傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù) 第四章 了解內(nèi)存 （ 2）帶寬指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率 內(nèi)存的電壓 指內(nèi)存正常工作所用的電壓。（早期內(nèi)存 FPM ， EDO為 5v，SDRAMY一般為 ， RDRAM和 DDR均采用 ） CAS等待時間 LC （ CAS Latency） （ 1） CAS等待時間又稱為 CAS延遲時間，指 CAS信號需要經(jīng)過多少個周期之后才能讀寫數(shù)據(jù)，即，縱向地址掃描脈沖的反應(yīng)時間。它是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范內(nèi)存的重要標志之一。 （ 2）現(xiàn)在的 SDRAM的 CL為 3或 2，當(dāng)然在 SDRAM制造的過程中，會把 CL值寫入其中的 EEPROM（ SPD）芯片中，主板的 BIOS會自動監(jiān)測。 （ 3） SPD為串行存在探測， 8針， 2KB，存儲著內(nèi)存的容量，生產(chǎn)廠商，工作速度和是否存在 ECC校驗等 第四章 了解內(nèi)存 系統(tǒng)時鐘循環(huán)周期（ TCK） 即時鐘周期，其代表 SDRAM所能運行的最大頻率。內(nèi)存時鐘周期由外頻決定，可簡單定為 TCK=1/f 如： TC100的 TCK為： 1/100M=10ns可計作： PC10 存取時間 TAC 其代表讀取數(shù)據(jù)所延遲的時間，數(shù)值越大，數(shù)據(jù)輸出的時間越長；一般要求在 CL=3時， TAC不能大于 6ns； 總延遲時間 第四章 了解內(nèi)存 公式：總延遲時間 =系統(tǒng)時鐘周期 *CL+存取時間。 例： PC100存取時間為 6ns，我們設(shè)定 CL=2，則總延遲時間為： 10ns*2+6ns=26ns 奇偶校驗、非奇偶校驗 這是一種檢查數(shù)據(jù)是否正確的方法（在寫入或讀出時對比檢查，一般以一個字節(jié)為單位進行校驗） 在奇偶校驗中，如果 1個字節(jié)中有奇數(shù)個 1，則奇偶校驗位為 0，反之為 1 根據(jù)是否存在奇偶校驗位，可將 DRAM分成奇偶校驗內(nèi)存和非奇偶校驗內(nèi)存（有些主板可以使用兩種內(nèi)存但不能混用） ECC（錯誤自動監(jiān)測與更正） 其不但可以檢查錯誤，還可以更正錯誤。 第四章 了解內(nèi)存 1內(nèi)存線數(shù) 內(nèi)存線數(shù)是指內(nèi)存條與主板插接時有多少個接觸點（金手指） 注： 30線的內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度為 8位， 72線的內(nèi)存為 32位， 186線的為 64位；所以， Pentium類 CPU安 72線的內(nèi)存時需要
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