【文章內(nèi)容簡介】 ()( ?? ?? tTIti smSR+UIsI 解：分析： IS 固定不變 , US 固定不變。 Is U=? ＋ － I US + R 所以： I = Is， U = IR－ US [例 ]已知： Is ， US ， R 問： I 等于多少？ U 又等于多少？ 解： 1. Uab = US , I = US / R=4/2 =2A 2. 若 R 減小為 1Ω， I = US / R = 4A↑ 電流源的功率不變！ 電壓源的功率 IUs = I – IS=3A↑ P = USIUs = 12W 增大！ [例 ]已知： Is ， US ， R 試分析： 1. I 等于多少？ 2. 若使 R 減小為 1Ω， I 如何變？兩個(gè)電源的功率如何變？ US + b R Is I a 1A 4V 2Ω 實(shí)際電源的模型 實(shí)際電源 實(shí)際電源一般不具有理想電源的特性，由于內(nèi)在電阻的影響，電源提供的電壓或電流都會(huì)發(fā)生變化。 R+U實(shí)際電源baIU = Us RI 實(shí)際電壓源 U O I US 輸出電壓隨端電流的增加而減小 ， R越小，越接近理想電壓源。 實(shí)際電壓源不允許短路。 I + _ US R + U _ I= Is U/R 實(shí)際電流源 U O I IS 輸出電流隨端電壓的增加而 減小 ， R越大，越接近理想 電流源。 實(shí)際電流源不允許開路。 I R + U _ IS 練習(xí) B + u i C + u i B A C A （ 1）概念：對 A電路中的電流、電壓和功率而言，滿足： 等效 1?1 1 1 ??等效變換 等效電路可以具有完全不同的結(jié)構(gòu)，但對任一外電路 來說，它們卻具有完全相同的影響，適合用來求解外電路中的相關(guān)物理量。 等效電阻 Req：其值決定于原電路中各阻值及其連接方式 （ 2）等效條件：兩個(gè)一端口電路，如果端口具有相同得伏安特性 ,則稱它們是等效的電路。 B + u i C + u i u=f(i) u=g(i) f(i)=g(i) 3. 兩種實(shí)際電源模型的等效互換 I + _ US R + U _ I R/ + U _ IS U = Us RI I= Is U/R/ ——— ——— / RRIRU SS ??? , 等效條件： 等效電路特點(diǎn) ： （ 1）兩電源模型的內(nèi)阻相等； （ 2）電壓源電壓參考方向與電流源電流參考方向相反 . RUIIRU SSSS / , ??I + _ US R + U _ I R/ + U _ IS + 15V _ + 8V 7? 7? 5A 3? 4? 7? 2A I＝？ 例 . U = Us RI U= R/Is IR/ 二極管 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 二極管的特性和主要參數(shù) 二極管的工作點(diǎn)和理想特性 穩(wěn)壓二極管 發(fā)光二極管和光電二極管 一、本征半導(dǎo)體 純凈 的 晶體結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體為本證半導(dǎo)體 。 純凈 ：半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到 %，常稱為“九個(gè) 9”。 晶體結(jié)構(gòu)： 以 硅原子 (Si)為例：硅原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱為晶格。 本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖 在常溫下，由于熱激發(fā)，極少數(shù)的價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為 自由電子 ，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為 空穴， 帶正電。形成 電子空穴對。 外加電場時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，形成 電子電流 和 空穴電流 ，運(yùn)動(dòng)方向相反。 本征半導(dǎo)體中的電流時(shí)是兩個(gè)電流之和。 運(yùn)載電荷的粒子稱為 載流子 。 二、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子 本征激發(fā)： 半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象。 復(fù)合： 自由電子在運(yùn)動(dòng)的過程中如果與空穴相遇，就會(huì)填補(bǔ)空穴，使兩者同時(shí)消失。 在動(dòng)態(tài)平衡時(shí)載流子濃度一定。 在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷 P），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 N型半導(dǎo)體。 5? 含有的粒子：自由電子（多子） 空穴（少子），不能移動(dòng)的正離子。 N型半導(dǎo)體主要靠自由電子，摻入 P元素越多，導(dǎo)電性越強(qiáng)。 三、 N型半導(dǎo)體 空穴 P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入硼元素越多，導(dǎo)電性越強(qiáng)。 四、 P型半導(dǎo)體 在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼 B），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 P型半導(dǎo)體。 3? 含有的粒子：自由電子（少子） 空穴（多子），不能移動(dòng)的硼負(fù)離子。 ? ? 電子 PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦? 一、 PN結(jié)的形成 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)： 物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運(yùn)動(dòng)。 氣體、液體、固體均有之。 自由電子從 N區(qū)向 P區(qū)擴(kuò)散，空穴從N區(qū)向 P區(qū)擴(kuò)散。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使交界面形成空間電荷區(qū)，產(chǎn)生內(nèi)電場。 少子在電場力的作用下產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng) 當(dāng)多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成 PN結(jié) 內(nèi)電場抑制多子的擴(kuò)散，有利少子的飄移。 二、 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)加正向電壓： 內(nèi)外電場方向相反，耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流， PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。 PN結(jié)加反向電壓： 內(nèi)外電場方向相同，耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。 結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通，加反向電壓截止，導(dǎo)通方向： P →N 二極管的特性和主要參數(shù) 二極管 = PN結(jié) + 引線 + 管殼。 二極管符號(hào) D P N 陽極 陰極 材料 開啟電壓 導(dǎo)通電壓（正向壓降） 反向飽和電流 硅 Si ~ 1181。A 以下 鍺 Ge ~ 幾十 181。A 1. 二極管的伏安特性 二極管兩湍的電壓與流過的電流之間的關(guān)系曲線。 練習(xí)： 正向特性： 當(dāng)二極管所加正向電壓大于開啟電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)。