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正文內(nèi)容

和電子探針ppt課件(編輯修改稿)

2025-05-30 18:13 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 性能比較樣品室p 掃描電子顯微鏡的樣品室空間較大,一般可放置 ?2010 mm的塊狀樣品。近年來還開發(fā)了可放置尺寸在 ?125mm以上的大樣品臺(tái)。p 觀察時(shí),樣品臺(tái)可根據(jù)需要沿 X、 Y及 Z三個(gè)方向平移,在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)或沿水平軸傾斜。p 樣品室內(nèi)除放置樣品外,還安置各種信號(hào)檢測器。20 SEM的主要性能指標(biāo)( 1) 放大倍數(shù) 可從幾倍到 20萬倍 連續(xù) 調(diào)節(jié)。 ( 2) 分辨率 影響 SEM圖像分辨率的主要因素有 : ① 掃描電子束斑直徑 ; ② 入射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng) (原子序數(shù) Z的影響 ); ③ 操作方式及其所用的調(diào)制信號(hào); ④ 信號(hào)噪音比; ⑤ 雜散磁場; ⑥ 機(jī)械振動(dòng)將引起束斑漂流等,使分辨率下降。 ( 3) 景深 SEM(二次電子像)的景深比光學(xué)顯微鏡的大,成像富有立體感。適合于粗糙表面的觀察和分析。 21 1入射電子束2俄歇電子激發(fā)體積3樣品表面4二次電子激發(fā)體積5背散射電子激發(fā)體積6初級(jí) X射線激發(fā)體積入射電子產(chǎn)生的各種信息的深度和廣度范圍 (a) 電子束散射區(qū)域形狀 (梨形作用體積 ) (b)重元素樣品的電子束散射區(qū)域形狀 (半球形作用體積 )22 第二節(jié) 像襯原理與應(yīng)用 一、像襯原理 p 像的襯度 :像的各部分 (即各像元 )強(qiáng)度相對(duì)于其平均強(qiáng)度的變化 或圖像上不同區(qū)域間明暗程度的差別。 p SEM可以用 二次電子、背散射電子、 吸收電子、特征 X射線等信號(hào)成像。 23 1.二次電子像襯度及特點(diǎn) p 二次電子信號(hào)主要來自樣品表層 5~10nm深度范圍,能量較低 (小于 50eV)。 p 影響二次電子產(chǎn)額的因素主要 有: (1)二次電子能譜特性; (2)入射電子的能量; (3)材料的原子序數(shù); (4)樣品傾斜角 ?。 24 從表面發(fā)射出去的二次電子流與入射電子流的比值( IS/I0)稱為 二次電子產(chǎn)額 ,用 ?表示。二次電子產(chǎn)額與電子能量和入射角的普遍關(guān)系電子能量增加, ?開始增加,達(dá)極大值后反而減少;入射角 ?越大 , ?越大;25 二次電子像的襯度可以分為以下幾類: (1)形貌襯度 (2)成分襯度 (3)電壓襯度 (4)磁襯度 (第一類 )形貌襯度原理樣品傾斜角 ? 入射電子束 表面法線樣品傾斜角 ?越大, 二次電子產(chǎn)額越大, 圖像越明亮。26 二次電子像襯度的特點(diǎn): p ( 1)分辨率高 。 p ( 2)立體感強(qiáng) 。 p ( 3)主要反映形貌襯度。 通常所指的掃描電鏡
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