【文章內(nèi)容簡介】 保沒有任何一個(gè)使用應(yīng)力超出額定范圍 沖擊 IF（ surge） 快恢復(fù)二極管選型原則 ? 低電壓（耐壓值 200V以下）下，高時(shí)間特性時(shí)選肖特基二極管； ? 肖特基管熱阻和電流都較大，優(yōu)選分立式封裝。通常 3A以下可以選擇 SOD123或D64封裝； 3～ 8A可以選擇 D2－ PAK封裝； 8A以上 DO20 TO2 TO3P。 ? 在高電壓時(shí)選擇 PIN結(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管。 開關(guān)特性好，反向恢復(fù)時(shí)間短。用于開關(guān)電源、 PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等快速變換電路，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管等使用。 整流二極管選型原則 ? 主要考慮最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)； ? 開關(guān)電源整流、脈沖整流用整流二極管，宜選工作頻率較高、反向恢復(fù)時(shí)間較短、或選快恢復(fù)二極管。 ? 低電壓、大電流時(shí)整流，選肖特基二極管。 把 AC電流變成 DC電流，工作頻率一般小于 10KHz。 穩(wěn)壓二極管選型原則 1. 穩(wěn)定電壓值應(yīng)與應(yīng)用電路的基準(zhǔn)電壓值相同； 2. 最大穩(wěn)定電流高于應(yīng)用電路的最大負(fù)載電流50%左右； 3. 穩(wěn)壓管在選型時(shí)務(wù)必注意器件功率的降額處理。實(shí)際功率應(yīng)小于 P。 4. 功率在 ， ? 在低電壓 (耐壓 200V)， 大電流下，如需要器件具備 高時(shí)間 特性，選擇 肖特基二極管 ? 整流二極管考慮 最大電流 、 最大反向工作電壓 、 截止頻率 及 反向恢復(fù)時(shí)間 等參數(shù) ? 開關(guān)穩(wěn)壓電源的整流電路及脈沖整流電路中應(yīng)使用工作 頻率高 、 反向恢復(fù)時(shí)間短 的快恢復(fù)二極管。 ? TVS管使用時(shí)， V rmax(最大反向工作電壓） ≥ 被保護(hù)器件或線路的正常工作電壓。 ? TVS管最大峰值脈沖電流與電壓的乘積為瞬態(tài)脈沖功率的最大值。使用時(shí)，額定瞬態(tài)脈沖功率大于被保護(hù)線路的最大瞬態(tài)浪涌功率。 ? 穩(wěn)壓二極管選用時(shí)應(yīng)當(dāng)注意器件功率降額處理，實(shí)際功率應(yīng)小于。 功率在 可選貼片式， 插裝式。 此類穩(wěn)壓管功率很小 注意漏電流影響 判斷 : ： 普通二極管一般為玻璃封裝和塑料封裝 ,外殼上均印有型號和標(biāo)記 .標(biāo)記有箭頭、色點(diǎn)、色環(huán)三種 .箭頭所指方向或靠近色環(huán)一端為陰極 ,有色點(diǎn)一端為陽極 . 負(fù)極 負(fù)極 ： 對于點(diǎn)接觸型玻璃外殼二極管 ,如果標(biāo)記已磨掉 ,則可將外殼上的漆層（黑色或白色）輕輕刮掉一點(diǎn) ,透過玻璃看那頭是金屬觸針 ,那頭是 N型鍺片 .有金屬觸針的那頭就是正極 . : 用萬用表 R*100或 R*1K檔 ,任意測量二極管的兩根引線 ,如果量出的電阻只有幾百歐姆（正向電阻） ,則黑表筆（既萬用表內(nèi)電池正極）所接引線為正極 ,紅表筆（既萬用表內(nèi)電源負(fù)極）所接引線為負(fù)極 . : ? 用萬用表 R*10K檔測正 ,反向電阻 ,一般正向電阻小于 30K,反向電阻大于 、反向電阻均為零 ,說明內(nèi)部擊穿短路 .若正、反電阻均為無窮大 ,說明內(nèi)部開路 . : 半導(dǎo)體三極管也稱雙極型晶體管 ,晶體三極管 ,簡稱三極管 ,是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件 . 作用 : 把微弱信號放大成輻值較大的電信號 , 也用作無觸點(diǎn)開關(guān) . 三 極 管 : : 硅管 、 鍺管 : NPN 、 PNP : 開關(guān)管 、 功率管 、 達(dá)林頓管 、 光敏管等 . : ? 最大允許集電極耗散功率 PCM: PCM 是指三極管集電結(jié)受熱而引起晶體管參數(shù)的變化不超過所規(guī)定的允許值時(shí)，集電極耗散的 最大功率 。當(dāng)實(shí)際功耗 Pc大于 PCM時(shí)，不僅使管子的參數(shù)發(fā)生變化，甚至還會 燒壞管子 。 ? 最大允許集電極電流 ICM 當(dāng) IC很大時(shí)， β值逐漸下降。一般規(guī)定在 β值下降到額定值的 2／ 3 （或 1／ 2）時(shí)所對應(yīng)的集電極電流為 ICM。 當(dāng) IC＞ ICM時(shí)， β值已減小到不實(shí)用的程度，且有 燒毀管子 的可能。 ? 反向擊穿電壓 BVCEO與 BVCBO BVCEO是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的反向擊穿電壓。 BVCBO是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極間的反向擊穿電壓。 三極管的反向工作電壓應(yīng)小于擊穿電壓的（ 1／ 2～ 1／ 3），以 保證管子安全可靠地工作。 ? 集 基反向飽和電流 ICBO ICBO是指發(fā)射極開路，在集電極與基極之間加上一定的反向電壓時(shí)，所對應(yīng)的反向電流。 ? 穿透電流 ICEO ICEO是指基極開路，集電極與發(fā)射極之間加一定反向電壓時(shí)的集電極電流。 ? 放大倍數(shù) 電流放大倍數(shù) β值的大小與工作點(diǎn)的頻率有關(guān)，使用前應(yīng)進(jìn)行實(shí)測。一般來說， β值不是越大越好， β值太大會引起性能不穩(wěn)定。 β值在 20~100較好。 2SD1782技術(shù)參數(shù)： 問題： 車間在生產(chǎn)DTSY188 H2型內(nèi)置繼電器卡表時(shí)，經(jīng)常發(fā)現(xiàn)繼電器驅(qū)動(dòng)電路三極管壞。 三極管突然關(guān)斷時(shí)，繼電器驅(qū)動(dòng)線圈上電流會給三極管造成沖擊，從而損壞。 : ? 先假設(shè)三極管的某極為 ” 基極 ” ,將黑表筆接在假設(shè)基極上 ,再將紅表筆依次接到其余兩個(gè)電極上 ,若兩次測得的電阻都大 (約幾 K到幾十 K),或者都小 (幾百至幾K),對換表筆重復(fù)上述測量 ,若測得兩個(gè)阻值相反 (都很小或都很大 ),則可確定假設(shè)的基極是正確的 ,否則另假設(shè)一極為 ” 基極 ” ,重復(fù)上述測試 ,以確定基極 . ? 當(dāng)基極確定后 ,將黑表筆接基極 ,紅表筆筆接基它兩極若測得電阻值都很少 ,則該三極管為 NPN,反之為 PNP. ? 判斷集電極 C和發(fā)射極 E,以 NPN為例 : 把黑表筆接至假充的集電極 C,紅表筆接到假設(shè)的發(fā)射極 E,并用手捏住 B和 C極 ,讀出表頭所示 C,E電阻值 ,然后將紅 ,黑表筆反接重測 .若第一次電阻比第二次小 ,說明原假設(shè)成立 . ? 電流傳輸比 CTR ： 光敏三極管的電流和發(fā)光管的電流比的最小值 ? 隔離電壓： 發(fā)光管和光敏三極管的隔離電壓的最小值 ? 發(fā)光二極管正向壓降 VF ： ? 正向電流 IF ： ? 集電極 發(fā)射極反向擊穿電壓 V(BR)CEO ? 集電極 發(fā)射極飽和壓降 VCE 單相國網(wǎng)表高溫走字問題問題描述： 品管反映車間在生產(chǎn) DDZY188Z和 DDZY188CZ表計(jì)時(shí)均發(fā)現(xiàn)部分表計(jì) 高溫 60℃ 走字不 準(zhǔn)現(xiàn)象。 問題分析： 經(jīng)分析問題可能出在計(jì)量 SPI線上的光耦。下面先看一下 DDZY188Z計(jì)量部分 SPI線光 耦部分原理圖。 我們現(xiàn)在批量使用的光耦是 TLP781 B+檔，數(shù)據(jù)手冊上的 CTR值為 300%600%，此數(shù)據(jù)為 常溫 25℃光耦工作在放大狀態(tài)的測量值。對老化走字有問題的表用示波器在常溫下測試 SPI波形，具體操作是同時(shí)測量圖中 SDI1和 SDO的波形，發(fā)現(xiàn) SDI1的低電平為 ， SDI1的波形相對 SDO上升沿延時(shí)32μ s，下降沿延時(shí) 4μ s， SPI通訊時(shí)一位的脈寬為 218μ s。可見常溫下光偶的技術(shù)參數(shù)匹配是合理的。 在 高溫老化爐 60℃ 時(shí)現(xiàn)場測試走字有問題的表 SDI1和 SDO的波形，結(jié)果發(fā)現(xiàn)有些表計(jì) SDI1的低電平為 ， SDI1的波形相對 SDO上升沿延時(shí) 26μ s，下降沿延時(shí) 20μ s。根據(jù)此測試結(jié)果分析可知東芝光耦 TLP781 B+檔在高溫 60℃ 時(shí)， CTR值約為 110%，這一參數(shù)的變化導(dǎo)致上述原理圖中的光耦沒能處在一個(gè)適當(dāng)?shù)娘柡蜕疃?，從而?dǎo)致 SDI1的低電平 RN8209的輸入低電平范圍 ≤ 。 解決方案： 單相國網(wǎng)表高溫走字問題光耦前端電阻改為 560歐 此數(shù)據(jù)常溫下光耦后端低電平為 ， 高溫 60℃ 時(shí)低電平為 ，完全能保證 MCU與 RN8209的正常通訊。 光耦的傳輸比隨著溫度升高和工作時(shí)間累計(jì)會降低！ : 場效應(yīng)晶體管（ Field Effect Transistor縮寫 (FET)）簡稱場效應(yīng)管 .由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電 ,也稱為單極型晶體管 .它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件 . 特點(diǎn) : 具有輸入電阻高（ 108～ 109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn) . 作用 : 場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大 .由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很 高 ,因此耦合電容可以容量較小 ,不必使用電解電容器 . 場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān) . 場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 .常用于多級 放大器的輸入級作阻抗變換 . 場效應(yīng)管可以用作可變電阻 . 場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源 . 場 效 應(yīng) 管 : 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型 (MOS)兩大類 按溝道材料 :結(jié)型和絕緣柵型各分 N溝道和 P溝道兩種 . 按導(dǎo)電方式 :耗盡型與增強(qiáng)型 ,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型 ,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的 ,也有增強(qiáng)型的。 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和 MOS場效應(yīng)晶體管 ,而 MOS場效應(yīng)晶體管又分為 N溝耗盡型和增強(qiáng)型 。P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類 .見下圖 : : Idss — 飽和漏源 電流 .是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中 ,柵極電壓 UGS=0時(shí)的漏源電流 . Up — 夾斷電壓 .是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中 ,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓 . Ut — 開啟電壓 .是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中 ,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓 . gM — 跨導(dǎo) .是表示柵源電壓 UGS — 對漏極電流 ID的控制能力 ,即漏極電流 ID變化量與柵源電壓 U