特種設(shè)備無損檢測(cè)相關(guān)知識(shí)(編輯修改稿)
2025-05-27 02:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 反射超聲波，超聲再在探頭中換成電信號(hào)經(jīng)放大后顯示，顯示屏上橫座標(biāo)表示超聲波在工件中傳播的時(shí)間，縱座標(biāo)表示反射的超聲波聲壓，與反射面積大小對(duì)應(yīng)。 三、超聲波探傷原理 橫波探傷示意圖 超聲波橫波探傷水平定位 超聲波橫波探傷深度定位 四、儀器探頭試塊 儀器 按缺陷的顯示方式分為 A 型 B型還有 C型，普遍使用 A型顯示。 儀器上熒光屏橫軸表示超聲波在工件中傳播的時(shí)間，縱軸表示反射體反射回來的聲壓大小，可以比較缺陷的大小。為使進(jìn)入放大器中的信號(hào)在一定范圍，儀器上有一衰減器。 ?目前主要有兩類 , 早期的是模擬機(jī) ,現(xiàn)在許多單位有數(shù)字機(jī)。 儀器顯示方式 儀器的主要性能指標(biāo)（含與探頭后）： 水平線性 、垂直線性、靈敏度、盲區(qū)、始脈沖寬度、分辨力等 四、儀器探頭試塊 探頭 根據(jù)波型，探頭可分為有縱波探頭、橫波探頭、表面波探頭、板波探頭等。根據(jù)波束可以分為聚焦探頭與非聚焦探頭。根據(jù)晶片數(shù)可分為單晶片、雙晶片。常用的主要是直探頭與斜探頭 四、儀器探頭試塊 （ 1）直探頭結(jié)構(gòu) 主要有壓電晶片 、保護(hù)膜、電纜線、阻尼塊、外殼、接頭。 阻尼塊的作用是：晶片在受激勵(lì)振蕩后立即停下來，使脈沖寬度變小，分辨力提高。吸收背面的雜波，支撐固定晶片。 探頭的主要參數(shù)有：晶片材料、直徑、頻率、保護(hù)膜如 四、儀器探頭試塊 （ 2）斜探頭結(jié)構(gòu) 主要有壓電晶片 、斜楔、電纜線、阻尼塊、吸聲材料、外殼、接頭。 斜楔的作用是實(shí)現(xiàn)波型轉(zhuǎn)換 ,使被探工件中只存在折射橫波。斜楔的縱波聲速必須小于工件中的縱波波速 ,要耐磨、易加工 ,對(duì)超聲波的衰減系數(shù)小。 探頭的主要參數(shù)有： 晶片尺寸、頻率、 K值 如 13 13K2 試塊 按一用途設(shè)計(jì)制作的具有簡(jiǎn)單人工幾何反射體的試樣。 （ 1）作用 a 確定探傷靈敏度； b 測(cè)試儀器和探頭的一些重要性能如放大線性、水平線 性、動(dòng)態(tài)范圍、靈敏度余量、分辨力、盲區(qū)、探頭入射點(diǎn)、 K值等 ； c 調(diào)時(shí)間掃描線比例 C 評(píng)判缺陷的大小 （ 2）分類 一類是由權(quán)威機(jī)構(gòu)制定的試塊，稱為標(biāo)準(zhǔn)試塊如 CSKIA 一類是按具體探傷對(duì)象制定的試塊，如 CSKIIIA、 CS1 四、儀器探頭試塊 四、儀器探頭試塊 CSKIA 四、儀器探頭試塊 CSKIIIA 四、儀器探頭試塊 CSKIIA CSKIVA 四、儀器探頭試塊 平底孔試塊 五、影響探傷結(jié)果的因素 1）儀器與探頭組合性能 垂直線性－－會(huì)影響缺陷當(dāng)量大小判定 水平線性－－影響缺陷定位，非缺陷波的識(shí)別 盲區(qū)－－影響近表面的缺陷的檢測(cè) 2）探頭 頻率－－理論上能夠發(fā)現(xiàn)的最小缺陷是波長(zhǎng)的 1/2，在能保證穿透的前提下，選高一些頻率 直徑－－直徑大，發(fā)射功率大，能探厚度大的工件，工作 效率高，但近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度增加，近場(chǎng)區(qū)內(nèi)易漏缺陷，波高不穩(wěn)。 K值－－根據(jù)厚度和焊縫寬度選擇，應(yīng)一次波越過背面對(duì)過焊縫邊緣，薄板選大一些，厚板選小一些，保證掃查到整個(gè)面。 五、影響探傷結(jié)果的因素 TlbaK 0???a 五）影響探傷結(jié)果的因素 3）耦合 超聲波探傷時(shí)在探頭與工件之間如存在空氣，由于空氣
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