半導體激光器的主要參數(shù)(編輯修改稿)
2025-05-26 05:02 本頁面
【文章內容簡介】 載流子數(shù)增加，增益曲線的最大值向更高的光子能量處移動 gmax(E)也增加。同時開始出現(xiàn)增益所對應的光子能量向高能方向移動。這是因為電子是從導帶底向上填充的．注入電子濃度愈大，填充得就愈高，因而發(fā)光的峰值能量增加 . 增益飽和 ? 在低的光子密度時，載流子的空間和能量分布不受干擾，這時為不飽和增益。在高光子密度時是飽和增益。一個被激勵的半導體激光器，輻射受到放大時，它的能量關系為： 諧振控內的輻射強度不能無限止增加 ，因為在高光子密度時，導帶和價帶中的載流子濃度要顯著降低。這又造成費米能級漂移，使 △ EF減小，同樣也使?jié)M足粒子數(shù)反轉的狀態(tài)數(shù)減小。 空間燒孔和光譜燒孔效應 半導體激光的溫漂特性 ? 半導體材料帶隙隨溫度變化； ? 半導體激光器腔長隨溫度變化。 780 790 800 810 820 15A 55A 55A (after 30 39。 )Intensity (A.U.)Wav ele n g t h ( n m )半導體激光器的光場模式
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