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正文內(nèi)容

均勻電場(chǎng)中其他的擊穿過(guò)程簡(jiǎn)(編輯修改稿)

2025-05-26 04:49 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ?巴申定律 當(dāng)氣體和電極材料一定時(shí),氣隙的擊穿電壓是氣體的相對(duì)密度 ?和氣隙距離 d 乘積的函數(shù),即: 上式所示規(guī)律在湯遜理論提出之前就由物理學(xué)家巴申從實(shí)驗(yàn)中得出,稱(chēng)為 巴申定律 。 ? ?dfU b ?? 即對(duì)應(yīng)于某一 ?d ,空氣間隙的擊穿電壓最低。即Ub具有極小值。 圖 17均勻電場(chǎng)中空氣的巴申曲線 由巴申曲線可知,當(dāng)極間距離 d不變時(shí), 提高氣壓或降低氣壓到真空, 都可以提高氣隙的擊穿電壓,這一概念具有十分重要的實(shí)用意義。 圖 17均勻電場(chǎng)中空氣的巴申曲線 SF6斷路器 真空斷路器 湯遜理論的不足 湯遜理論 ? d較小時(shí)在實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上建立的,當(dāng) ? d 較大時(shí)( ? d )此理論不適用了,一些實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象無(wú)法解釋?zhuān)? 放電外形 低氣壓:輝光放電 大氣壓:看見(jiàn)放電通道:細(xì)、明亮、分支 放電時(shí)間 大氣壓下放電時(shí)間比湯遜計(jì)算的更短 陰極材料 湯遜:靠電子碰撞金屬表面來(lái)自持放電,金屬不同逸出功不同,電場(chǎng)能量不同,放電電壓與材料有關(guān)。 大氣壓:擊穿電壓與陰極材料無(wú)關(guān)。 二、 較大時(shí)的氣體放電過(guò)程 *****氣體放電的流注理論 ***** ?流注的形成過(guò)程 ?流注的條件 (自持放電的條件 /間隙擊穿的條件) d?空間電荷 對(duì)電場(chǎng)的畸變 (a)電子崩形狀似圓形錐體。 (b)空間電荷濃度分布極不均勻,電子崩頭部聚集大部分正離子和全部自由電子;電子崩內(nèi)部的電場(chǎng)削弱了; (c)空間
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