結(jié)構(gòu)缺陷及固溶ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-26 03:40 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 陷。 材料科學(xué)基礎(chǔ) 晶體中雜質(zhì)含量在未超過(guò)其固溶度時(shí)，雜質(zhì)缺陷的濃度與溫度無(wú)關(guān)，這與熱缺陷是不同的。 材料科學(xué)基礎(chǔ) 在某些情況下，晶體中可溶入較大量其他物質(zhì)，如制造固體氧化物燃料電池電解質(zhì)材料，使用 8~10%（ mol） Y2O3溶入 ZrO2中， Y3+置換 Zr4+， 形成大量氧空位缺陷，可傳導(dǎo)氧離子，從而起到離子導(dǎo)電作用 。 材料科學(xué)基礎(chǔ)3）非化學(xué)計(jì)量結(jié)構(gòu)缺陷 材料科學(xué)基礎(chǔ)定比定律： 化合物分子式一般具有固定的正負(fù)離子比，其比值不會(huì)隨著外界條件而變化，此類化合物稱為化學(xué)計(jì)量化合物 材料科學(xué)基礎(chǔ) 一些化合物的化學(xué)組成會(huì)明顯地隨著周圍氣氛性質(zhì)和壓力大小的變化而發(fā)生組成偏離化學(xué)計(jì)量的現(xiàn)象，由此產(chǎn)生的晶體缺陷稱為非化學(xué)計(jì)量缺陷材料科學(xué)基礎(chǔ)生成 n型或 p型半導(dǎo)體的重要基礎(chǔ)例： TiO2x（ x=0~1）， n型半導(dǎo)體 材料科學(xué)基礎(chǔ)缺陷化學(xué)反應(yīng)表示法 材料科學(xué)基礎(chǔ)1.缺陷表示法 材料科學(xué)基礎(chǔ) 凡從理論上定性定量地把材料中的點(diǎn)缺陷看作化學(xué)實(shí)物，并用化學(xué)熱力學(xué)的原理來(lái)研究缺陷的產(chǎn)生、平衡及其濃度等問(wèn)題的一門學(xué)科稱為 缺陷化學(xué) 。 材料科學(xué)基礎(chǔ)點(diǎn)缺陷符號(hào)：克羅格 明克（ KrogerVink） 符號(hào) 材料科學(xué)基礎(chǔ)① 主符號(hào) ，表明缺陷 種類 ；② 下標(biāo) ，表示缺陷 位置 ； ③ 上標(biāo) ，表示缺陷 有效電荷 ， “ ?” 表示有效正電荷，用 “ ?” 表示有效負(fù)電荷，用“ ?” 表示有效零電荷，零電荷可以省略不標(biāo)。 材料科學(xué)基礎(chǔ)① 空位： VVM —— M 原子空位VX —— X 原子空位在金屬材料中，只有原子空位 材料科學(xué)基礎(chǔ)對(duì)于離子晶體，如果只是 M2+離子離開(kāi)了格點(diǎn)形成空位，而將 2 個(gè)電子留在了原處，這時(shí)電子被束縛在空位上稱為附加電子，所以空位帶有 2個(gè)有效負(fù)電荷，寫成 —— 正離子空位材料科學(xué)基礎(chǔ) 如果 X2離開(kāi)格點(diǎn)形成空位，將獲得的2個(gè)電子一起帶走，則空位上附加了 2160
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