工藝技術薄膜工藝－淀積(編輯修改稿)
2025-05-25 01:33 本頁面
【文章內容簡介】 空度下（約 ～ 5托） 反應溫度一般在 650750℃ 載氣 載氣 氣態(tài)源 液態(tài)源 固態(tài)源 前驅物氣體 前驅物 /源 揮發(fā) Confidential ? 等離子體 等離子體是一種高能量 、 離子化的氣體 。 當從中性原子中去除一個價電子時 ， 形成正離子和自由電子 。 在一個有限的工藝腔內 ， 利用強直流或交流磁場或用某些電子源轟擊氣體原子都會導致氣體原子的離子化 。 等離子體輔助 CVD Confidential 離子的形成 F +9 離子是質子（＋）與電子（－）數不等地原子 電子從主原子中分離出來 . 少一個電子的氟原子 到原子失去一個電子時產生一個正離子 F +9 具有質子（＋ 9）和電子（－ 9）數目相等地中性粒子是原子 氟原子總共有 7個價電子 價層環(huán)最多能有 8個電子 價層電子 （－） 內層電子（－） 在原子核中的質子（未顯示電子） Confidential CVD 過程中使用等離子體的好處 1. 更低的工藝溫度 (250 – 450℃ )； 2. 對高的深寬比間隙有好的填充能力 (用高密度等離子體 )； 3. 淀積的膜對硅片有優(yōu)良的黏附能力； 4. 高的淀積速率； 5. 少的針孔和空洞，因為有高的膜密度； 6. 工藝溫度低，因而應用范圍廣。 Confidential 在等離子體輔助 CVD 中膜的形成 PECVD 反應室 連續(xù)膜 8) 副產物 去除 1) 反應物進 入反應室 襯底 2) 電場使反 應物分解 3) 薄膜初始 物形成 4) 初始物吸附 5) 初始物擴散到襯底中 6) 表面反應 7) 副產物的解 吸附作用 排氣 氣體傳送 RF 發(fā)生器 副產物 電極 電極 RF 場 Confidential PECVD Process gases Gas flow controller Pressure controller Roughing pump Turbo pump Gas panel RF generator Matching work Microcontroller operator Interface Exhaust Gas dispersion screen Electrodes Confidential 化學氣相淀積的設備 Confidential Chemical Vapor Deposition (CVD) Tungsten Output Cassette Input Cassette Wafer Hander Wafers Watercooled Showerheads Multistation Sequential Deposition Chamber Resistively Heated Pedestal Confidenti
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