無損檢測(cè)超聲波二、三考試復(fù)習(xí)題庫(編輯修改稿)
2025-05-14 02:14 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 刻度顯示缺陷回波幅度的顯示方法稱為（a）；b. B顯示；；5一種超聲波探傷儀可直觀顯示被檢工件在入射截面上的缺陷分布和缺陷深度，這種儀器顯示是（b）；b. B掃描顯示；；5一種超聲波探傷儀可直觀顯示出被檢工件在探測(cè)面上投影的缺陷位置和缺陷面積，這種儀器顯示是（c）；b. B掃描顯示；；5在下述測(cè)試項(xiàng)目中，與評(píng)價(jià)超聲波檢測(cè)儀主要性能有關(guān)的是（a）；；；5下面那一組性能是超聲波探傷儀最重要的性能？（c）、分辨率、示波管屏幕尺寸；b. 垂直線性、分辨率、盲區(qū)、時(shí)間軸線性、分辨率；、耗電率、重量5可用來表示超聲波檢測(cè)儀與探頭組合性能的指標(biāo)是（c）、垂直線性、動(dòng)態(tài)范圍；、探測(cè)寬度、重復(fù)頻率；、盲區(qū)、分辨率；、進(jìn)場(chǎng)長(zhǎng)度、擴(kuò)散角60、超聲波檢測(cè)儀的分辨率主要與（b）有關(guān)。；；；6評(píng)價(jià)超聲波探傷儀在規(guī)定靈敏度下發(fā)現(xiàn)并顯示最小缺陷能力的指標(biāo)是（d）；；c. ；d. 動(dòng)態(tài)范圍6目前工業(yè)常用的超聲波測(cè)厚儀利用的是（b）；；；d剪切波諧振法6超聲波探頭的頻率與壓電晶片厚度有關(guān)，晶片越薄則（b）；；；6軟保護(hù)膜探頭使用于（c）的工件表面。；b. 粗糙表面；；，有時(shí)a有時(shí)b6對(duì)于單晶斜探頭，在使用中經(jīng)常要校驗(yàn)的參數(shù)是（d）；；；6組合雙晶直探頭的壓電晶片前裝有（c）；；；6下面有關(guān)探頭尺寸選擇的敘述，正確的是（e），則輻射功率大，可檢測(cè)距離大，指向性好，檢測(cè)效率較高；b. 壓電晶片的尺寸大，則近場(chǎng)長(zhǎng)度大，始波占寬較大，近表面分辨率降低，雜波多，信噪比低，遠(yuǎn)場(chǎng)分辨率降低；c. 壓電晶片尺寸小，則近場(chǎng)長(zhǎng)度短，始波占寬小，近表面分辨率高，雜波少，信噪比高，遠(yuǎn)場(chǎng)分辨率好；d. 壓電晶片尺寸小，則輻射功率小，可檢測(cè)距離小，指向性差，檢測(cè)效率低；6超聲波聚焦探頭的優(yōu)點(diǎn)是（d）；；；6超聲波探傷試塊的作用是（e）；；；；6在工業(yè)超聲波檢測(cè)中，與聲束射角度無關(guān)的參考反射體是（c）；；；70、在超聲波檢測(cè)中，最適宜以刻槽作為參考反射體探測(cè)（b）；；；7柱孔最常用作（d）檢測(cè)的參考反射體；；；7長(zhǎng)橫孔最常用作探測(cè)（a）的參考反射體；；；7平底孔最常用作探測(cè)（d）的參考反射體；；；7用一臺(tái)時(shí)基線已準(zhǔn)確校正的超聲波儀器和斜探頭探測(cè)無切槽的IIW2試塊，斜探頭聲束朝向R25方向，若令第一次回波位于滿刻度為100的水平刻度25處，則圓弧面的第二次回波應(yīng)出現(xiàn)在水平刻度的（c）；；；7CSKIB試塊將IIW試塊的φ50孔改為φφ4φ50臺(tái)階孔，其目的是方便用于（c）（K值）；；；7用一臺(tái)時(shí)基線已準(zhǔn)確校正的超聲波儀器和斜探頭探測(cè)圓心無切的半圓試塊，第一次回波位于滿刻度為10的水平刻度3處，則圓弧面的第二次回波應(yīng)出現(xiàn)在水平刻度的（d）處。；。7由一個(gè)探頭發(fā)射超聲波，通過試件后再由另一個(gè)探頭接收，這種檢驗(yàn)方法稱為（c）；；；7由一個(gè)探頭發(fā)射超聲波，通過試件后再由另一個(gè)探頭接收，這里檢驗(yàn)?zāi)Ｊ椒Q為（c）；；；7超聲波檢測(cè)中主要考慮的工藝因素是（f）；；c；耦合條件與狀態(tài)；；；80、為減少超聲波通過介質(zhì)時(shí)的衰減和避免林狀回波，宜采用（d）進(jìn)行探傷、橫波；、橫波；、縱波；、縱波8探傷時(shí)采用較高的探測(cè)頻率，可有利于（d）；；；8選擇超聲波檢測(cè)的工作頻率時(shí)，主要考慮什么因素？（f）；；；；；f. 以上都是8為了在工件中得到純橫波，對(duì)于斜探頭的選擇除了入射角以外應(yīng)考慮（a）8在下列方法中，適合于粗晶材料檢測(cè)的是（a）、低頻率、縱波、窄脈沖探頭檢測(cè)8在小工件中，聲波到達(dá)底面之前，由于聲束擴(kuò)散
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