5倉(cāng)儲(chǔ)平托盤電子標(biāo)簽應(yīng)用規(guī)范-廣東省質(zhì)(編輯修改稿)
2025-05-09 00:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 的基本信息；c) 可以進(jìn)行信息讀寫；d) 應(yīng)具有抗沖撞、抗摩擦、抗腐蝕、抗震動(dòng)、抗電磁干擾等物理方面的安全保證和防護(hù)功能；e) 應(yīng)具有抗干擾、防數(shù)據(jù)丟失、防數(shù)據(jù)篡改、防數(shù)據(jù)被非法獲取等電子方面的安全保證和防護(hù)功能。 電子標(biāo)簽的基本環(huán)境適應(yīng)性要求在倉(cāng)庫的環(huán)境條件下，托盤電子標(biāo)簽的氣候環(huán)境適應(yīng)性應(yīng)符合GB/T 、GB/T ，環(huán)境條件見表1：表1 環(huán)境條件氣候條件參 數(shù)溫度工作5℃～40℃貯存運(yùn)輸25℃～55℃相對(duì)濕度工作20%～90%(40℃)貯存運(yùn)輸20%～93%(40℃)大氣壓力86kPa～106kPa托盤電子標(biāo)簽在其他倉(cāng)儲(chǔ)設(shè)備設(shè)施正常作業(yè)時(shí)所形成的電、磁、射線環(huán)境中應(yīng)能夠正常作業(yè)，并且符合以下要求：a) 當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度最大峰值達(dá)50V/m時(shí)，托盤電子標(biāo)簽上儲(chǔ)存的信息仍能保持完整；b) 抗靜電能力：VESD大于4kV；c) 抗紫外線：標(biāo)簽?zāi)軌虻挚鼓芰繛?5W/s/cm2的紫外線照射；d) 抗X射線：標(biāo)簽?zāi)軌虻挚鼓芰?0140keV。 讀寫器的基本要求用于讀寫托盤電子標(biāo)簽的讀寫器應(yīng)至少具備以下基本要求：a) 讀寫器應(yīng)能正常讀取托盤上電子標(biāo)簽的信息；b) 讀寫器應(yīng)能準(zhǔn)確傳輸托盤上電子標(biāo)簽的信息；c) 執(zhí)行寫操作的讀寫器應(yīng)能把相關(guān)信息正確寫入托盤電子標(biāo)簽中；d) 讀寫器既可以是裝設(shè)在固定或是移動(dòng)裝置上的設(shè)備，也可以是手持的移動(dòng)設(shè)備。 RFID中間件RFID中間件通過預(yù)定義的RFID事件過濾和數(shù)據(jù)采集接口，提供統(tǒng)一的設(shè)備接口與應(yīng)用邏輯接口，實(shí)現(xiàn)讀寫器的管理和信息交換。在倉(cāng)儲(chǔ)中應(yīng)用的RFID中間件應(yīng)提供以下接口。 設(shè)備管理接口是RFID中間件與RFID設(shè)備之間的契約，用于屏蔽RFID設(shè)備間操作的差異，通過RFID中間件調(diào)用該接口，對(duì)RFID設(shè)備進(jìn)行配置、運(yùn)行操縱、監(jiān)控管理等操作。 倉(cāng)儲(chǔ)應(yīng)用邏輯接口是RFID中間件與上層應(yīng)用邏輯之間的契約，應(yīng)用邏輯定義了倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)務(wù)流程中所需要的RFID信息，并通過調(diào)用該接口獲得射頻識(shí)別系統(tǒng)的信息。 安全和管理的基本措施射頻識(shí)別系統(tǒng)在我國(guó)設(shè)置和運(yùn)用時(shí)應(yīng)遵守國(guó)家以及使用地當(dāng)?shù)卣嘘P(guān)安全和射頻方面以及其他關(guān)于輻射及射線對(duì)人體影響的規(guī)定。射頻識(shí)別設(shè)備應(yīng)在軍事和非軍事的輻射波對(duì)人體的安全允許范圍內(nèi)使用。在公開的場(chǎng)地，射頻識(shí)別設(shè)備輻射波的釋放強(qiáng)度應(yīng)符合非軍事射線標(biāo)準(zhǔn)，不得超過國(guó)家制定的非軍事射線的范圍。6. 技術(shù)要求 射頻識(shí)別空中接口通信要求托盤上電子標(biāo)簽與讀寫器之間的通信符合ISO/IEC 180006:2004或者ISO/IEC 180006:2004/Amd 1:2006的要求。 MHz～， MHz～。而對(duì)本標(biāo)準(zhǔn)所列以外頻率范圍的無線電信號(hào)應(yīng)無明顯反應(yīng)。無線電輻射不應(yīng)超過國(guó)家規(guī)定的最大允許限度，而且要從節(jié)能和環(huán)保的角度出發(fā)，在滿足應(yīng)用需要前提條件下盡可能小。 電子標(biāo)簽的類型工作頻率為840 MHz～845MHz，920 MHz～925MHz的通用型超高頻RFID電子標(biāo)簽。 電子標(biāo)簽的性能要求超高頻標(biāo)簽在等效輻射功率（Equivalent Radiated Power）為2W時(shí)測(cè)量的讀距離為0m～3m，寫距離為0m～2m； 電子標(biāo)簽的壽命提供標(biāo)簽所用的芯片資料，并且應(yīng)標(biāo)明標(biāo)簽的數(shù)據(jù)保持時(shí)間和可擦寫次數(shù)。 電子標(biāo)簽存儲(chǔ)容量電子標(biāo)簽可編碼的存儲(chǔ)容量至少96位。 射頻識(shí)別設(shè)備性能讀寫器可設(shè)置跳頻范圍，～5m的范圍內(nèi)對(duì)托盤電子標(biāo)簽進(jìn)行有效的讀寫（如圖2所示），～5s。圖2 托盤電子標(biāo)簽的閱讀距離 托盤符合標(biāo)準(zhǔn)GB/T 2934以及GB/T 15234中規(guī)定的塑料托盤或者木質(zhì)托盤。7. 電子標(biāo)簽信息內(nèi)容與存儲(chǔ)格式根據(jù)ISO/IEC 180006:2004/Amd 1:2006中
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