候車大廳人數(shù)檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)說明(編輯修改稿)
2025-05-05 12:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 簡(jiǎn)介1. 高阻態(tài) 就是輸出既不是高電平,也不是低電平,而是高阻抗的狀態(tài)。在這種狀態(tài)下,可以多個(gè)芯片并聯(lián)輸出。但是,這些芯片中只能有一個(gè)處于非高阻態(tài)狀態(tài),否則會(huì)將芯片燒毀。 高阻態(tài)的概念在RS232和RS422通訊中還可以用到。 2. 數(shù)據(jù)鎖存 當(dāng)輸入的數(shù)據(jù)消失時(shí),在芯片的輸出端,數(shù)據(jù)仍然保持。 這個(gè)概念在并行數(shù)據(jù)擴(kuò)展中經(jīng)常使用到。 3 數(shù)據(jù)緩沖 加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力。74LS244/74LS245/74LS373/74LS573都具備數(shù)據(jù)緩沖的能力。 OE：output_enable,輸出使能。 LE：latch_enable,數(shù)據(jù)鎖存使能,latch是鎖存的意思。 DN：第n路輸入數(shù)據(jù)。 On：第n路輸出數(shù)據(jù)。 再看這個(gè)真值表,意思如下： 第四行：當(dāng)OE＝1是,無論DN、LE為何,輸出端為高阻態(tài)。 第三行：當(dāng)OE＝0、LE＝0時(shí),輸出端保持不變。 第二行第一行：當(dāng)OE＝0、LE＝1時(shí),輸出端數(shù)據(jù)等于輸入端數(shù)據(jù)。 結(jié)合下面的波形圖,在實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候是這樣做的： a． OE＝0。 b． 先將數(shù)據(jù)從單片機(jī)的口線上輸出到DN。 c． 再將LE從010 d． 這時(shí),你所需要輸出的數(shù)據(jù)就鎖存在On上了,輸入的數(shù)據(jù)在變化也影響不到輸出的數(shù)據(jù)了。實(shí)際上,單片機(jī)現(xiàn)在在忙著干別的事情,串行通信、掃描鍵盤……單片機(jī)的資源有限啊。 在單片機(jī)按照RAM方式進(jìn)行并行數(shù)據(jù)的擴(kuò)展時(shí),使用MOVX @DPTR, A這條指令時(shí),這些時(shí)序是由單片機(jī)來實(shí)現(xiàn)的。 后面的表格中還有需要時(shí)間的參數(shù),你不需要去管它,因?yàn)檫@些參數(shù)都是幾十ns級(jí)別的,對(duì)于單片機(jī)在12M下的每個(gè)指令周期最小是1us的情況下,完全可以實(shí)現(xiàn)。如果是你自己來實(shí)現(xiàn)這個(gè)邏輯,類似的指令如下： MOVP0,A 。將數(shù)據(jù)輸出到并行數(shù)據(jù)端口 CLR LE SETB LECLR LE 。上面三條指令完成LE的波形從010的變化 74ls573跟74LS373邏輯上完全一樣,只不過是管腳定義不一樣,數(shù)據(jù)輸入和輸出端硬件設(shè)計(jì) ：51單片機(jī)最小系統(tǒng)復(fù)位電路的極性電容C1的大小直接影響單片機(jī)的復(fù)位時(shí)間，一般采用10~30uF，51單片機(jī)最小系統(tǒng)容值越大需要的復(fù)位時(shí)間越短。，在正常工作的情況下可以采用更高頻率的晶振，51單片機(jī)最小系統(tǒng)晶振的振蕩頻率直接影響單片機(jī)的處理速度，頻率越大處理速度越快。、C3一般采用15~33pF，并且電容離晶振越近越好，晶振離單片機(jī)越近越好，作為輸出口時(shí)需加上拉電阻，阻值一般為10k。其他接口內(nèi)部有上拉電阻，作為輸出口時(shí)不需外加上拉電阻。設(shè)置為定時(shí)器模式時(shí)，加1計(jì)數(shù)器是對(duì)內(nèi)部機(jī)器周期計(jì)數(shù)（1個(gè)機(jī)器周期等于12個(gè)振蕩周期，即計(jì)數(shù)頻率為晶振頻率的1/12）。計(jì)數(shù)值N乘以機(jī)器周期Tcy就是定時(shí)時(shí)間t。設(shè)置為計(jì)數(shù)器模式時(shí)，外部事件計(jì)數(shù)脈沖由T0或T1引腳輸入到計(jì)數(shù)器。在每個(gè)機(jī)器周期的S5P2期間采樣T0、T1引腳電平。當(dāng)某周期采樣到一高電平輸入，而下一周期又采樣到一低電平時(shí)，則計(jì)數(shù)器加1，更新的計(jì)數(shù)值在下一個(gè)機(jī)器周期的S3P1期間裝入計(jì)數(shù)器。由于檢測(cè)一個(gè)從1到0的下降沿需要2個(gè)機(jī)器周期，因此要求被采樣的電平至少要維持器周期。當(dāng)晶振頻率為12MHz時(shí)，最高計(jì)數(shù)頻率不超過1/2MHz，即計(jì)數(shù)脈沖的周期要大于2 ms。 圖32 單片機(jī)最小系統(tǒng)圖51單片機(jī)的最小系統(tǒng)由單片機(jī)、晶振電路、復(fù)位電路和P0的上拉電阻組成。其介紹如下：（1）晶振電路為單片機(jī)提供時(shí)序使單片機(jī)能夠正常工作，在圖31中采用單片機(jī)內(nèi)部振蕩方式。此時(shí)，只要接上兩個(gè)電容和一個(gè)晶振即可。電容的大小影響著振蕩的穩(wěn)定性和起振的快速性，通常選擇10~30pF的相等的兩個(gè)瓷片電容。（2）C1和R2構(gòu)成了復(fù)位電路。剛開始上電時(shí)時(shí)，C1瞬間相當(dāng)于短路，C1兩端保持0V電壓，VCC的電源電壓就都加在了R2上，因此在單片機(jī)9腳RST上變成了高電平，此后C1上逐漸充電，即在C1上出現(xiàn)電壓，R2上的電壓開始下降，最后單片機(jī)9腳RST上變成了低電平。在此過程中只要滿足單片機(jī)9腳RST上的
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