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正文內(nèi)容

基于stm32的示波器的設(shè)計(jì)開題報(bào)告(編輯修改稿)

2025-04-21 12:43 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 5. 李健,. 重慶教育學(xué)院學(xué)報(bào)6. 7. 外文文獻(xiàn):規(guī)格說明STM32F103x8和STM32F103xB增強(qiáng)型系列使用高性能的ARM174。 Cortex?M3 32位的RISC內(nèi)核,工作頻率為72MHz,內(nèi)置高速存儲器(高達(dá)128K字節(jié)的閃存和20K字節(jié)的SRAM),豐富的增強(qiáng)I/O端口和聯(lián)接到兩條APB總線的外設(shè)。所有型號的器件都包含2個(gè)12位的ADC、3個(gè)通用16位定時(shí)器和1個(gè)PWM定時(shí)器,還包含標(biāo)準(zhǔn)和先進(jìn)的通信接口:多達(dá)2個(gè)I2C接口和SPI接口、3個(gè)USART接口、一個(gè)USB接口和一個(gè)CAN接口。,包含40176。C至+85176。C溫度范圍和40176。C至+105176。C的擴(kuò)展溫度范圍。一系列的省電模式保證低功耗應(yīng)用的要求。 S TM32F103xx中等容量增強(qiáng)型系列產(chǎn)品提供包括從36腳至100腳的6種不同封裝形式;根據(jù)不同的封裝形式,器件中的外設(shè)配置不盡相同。下面給出了該系列產(chǎn)品中所有外設(shè)的基本介紹。這些豐富的外設(shè)配置,使得STM32F103xx產(chǎn)品容量增強(qiáng)型系列微控制器適合于多種應(yīng)用場合:電機(jī)驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用控制、醫(yī)療和手持設(shè)備、PC游戲外設(shè)和GPS平臺。工業(yè)應(yīng)用:可編程控制器(PLC)、變頻器、打印機(jī)和掃描儀、警報(bào)系統(tǒng)、視頻對講、和暖氣通風(fēng)空調(diào)系統(tǒng)等。概述ARM174。的Cortex?M3核心并內(nèi)嵌閃存和SRAMARM的Cortex?M3處理器是最新一代的嵌入式ARM處理器,它為實(shí)現(xiàn)MCU的需要提供了低成本的平臺、縮減的引腳數(shù)目、降低的系統(tǒng)功耗,同時(shí)提供卓越的計(jì)算性能和先進(jìn)的中斷系統(tǒng)響應(yīng)。ARM的Cortex?M3是32位的RISC處理器,提供額外的代碼效率,在通常8和16位系統(tǒng)的存儲空間上發(fā)揮了ARM內(nèi)核的高性能。STM32F103xx增強(qiáng)型系列擁有內(nèi)置的ARM核心,因此它與所有的ARM工具和軟件兼容。內(nèi)置閃存存儲器64K或128K字節(jié)的內(nèi)置閃存存儲器,用于存放程序和數(shù)據(jù)。CRC(循環(huán)冗余校驗(yàn))計(jì)算單元 CRC(循環(huán)冗余校驗(yàn))計(jì)算單元使用一個(gè)固定的多項(xiàng)式發(fā)生器,從一個(gè)32位的數(shù)據(jù)字產(chǎn)生一個(gè)CRC碼。在眾多的應(yīng)用中,基于CRC的技術(shù)被用于驗(yàn)證數(shù)據(jù)傳輸或存儲的一致性。在EN/IEC 603351標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi),它提供了一種檢測閃存存儲器錯(cuò)誤的手段,CRC計(jì)算單元可以用于實(shí)時(shí)地計(jì)算軟件的簽名,并與在鏈接和生成該軟件時(shí)產(chǎn)生的簽名對比。內(nèi)置SRAM 20K字節(jié)的內(nèi)置SRAM,CPU能以0等待周期訪問(讀/寫)。嵌套的向量式中斷控制器(NVIC)STM32F103xx增強(qiáng)型產(chǎn)品內(nèi)置嵌套的向量式中斷控制器,能夠處理多達(dá)43個(gè)可屏蔽中斷通道(不包括16個(gè)Cortex?M3的中斷線)和16個(gè)優(yōu)先級?!? 緊耦合的NVIC能夠達(dá)到低延遲的中斷響應(yīng)處理● 中斷向量入口地址直接進(jìn)入內(nèi)核● 緊耦合的NVIC接口● 允許中斷的早期處理● 處理晚到的較高優(yōu)先級中斷● 支持中斷尾部鏈接功能● 自動(dòng)保存處理器狀態(tài)● 中斷返回時(shí)自動(dòng)恢復(fù),無需額外指令開銷該模塊以最小的中斷延遲提供靈活的中斷管理功能。外部中斷/事件控制器(EXTI) 外部中斷/事件控制器包含19個(gè)邊沿檢測器,用于產(chǎn)生中斷/事件請求。每個(gè)中斷線都可以獨(dú)立地配置它的觸發(fā)事件(上升沿或下降沿或雙邊沿),并能夠單獨(dú)地被屏蔽;有一個(gè)掛起寄存器維持所有中斷請求的狀態(tài)。EXTI可以檢測到脈沖寬度小于內(nèi)部APB2的時(shí)鐘周期。多達(dá)80個(gè)通用I/O口連接到16個(gè)外部中斷線。時(shí)鐘和啟動(dòng) 系統(tǒng)時(shí)鐘的選擇是在啟動(dòng)時(shí)進(jìn)行,復(fù)位時(shí)內(nèi)部8MHz的RC振蕩器被選為默認(rèn)的CPU時(shí)鐘,隨后可以選擇外部的、具失效監(jiān)控的4~16MHz時(shí)鐘;當(dāng)檢測到外部時(shí)鐘失效時(shí),它將被隔離,系統(tǒng)將自動(dòng)地切換到內(nèi)部的RC振蕩器,如果使能了中斷,軟件可以接收到相應(yīng)的中斷。同樣,在需要時(shí)可以采取對PLL時(shí)鐘完全的中斷管理(如當(dāng)一個(gè)間接使用的外部振蕩器失效時(shí))。多個(gè)預(yù)分頻器用于配置AHB的頻率、高速APB(APB2)和低速APB(APB1)區(qū)域。AHB和高速APB的最高頻率是72MHz,低速APB的最高頻率為36MHz。參考圖2的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)框圖。自舉模式 在啟動(dòng)時(shí),通過自舉引腳可以選擇三種自舉模式中的一種:● 從程序閃存存儲器自舉● 從系統(tǒng)存儲器自舉● 從內(nèi)部SRAM自舉自舉加載程序(Bootloader)存放于系統(tǒng)存儲器中,可以通過USART1對閃存重新編程。更詳細(xì)的信息,請參考應(yīng)用筆記AN2606。供電方案● VDD= ~:VDD引腳為I/O引腳和內(nèi)部調(diào)壓器供電。● VSSA,VDDA= ~:為ADC、復(fù)位模塊
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