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正文內(nèi)容

第八章燒結(jié)習題與解答(編輯修改稿)

2025-04-21 06:54 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 r = 812 在 1500℃,MgO正常的晶粒長大期間,觀察到晶體在1h內(nèi)從直徑從1μm 長大到10μm,在此條件下,要得到直徑20μm的晶粒,需燒結(jié)多長時間?如已知晶界擴散活化能為60kcal/mol,試計算在 1600℃下4h后晶粒的大小,為抑制晶粒長大,加入少量雜質(zhì),在 1600℃下保溫4h,晶粒大小又是多少?解:燒結(jié)數(shù)率常數(shù)和溫度關(guān)系服從阿累尼烏斯方程:即 ……………………………………………………(1)其中:為常數(shù) ,Q為晶界擴散活化能,在正常的晶粒長大期間,晶粒直徑與時間關(guān)系為:……………………(2) 其中為時晶粒的平均尺寸。在加入少量雜質(zhì)時,晶粒直徑與時間關(guān)系為:…………………………(3)在 1500℃時,MgO正常生長時,由(2)有99再由(1)有=則在 1500℃正常生長條件下,達到所需時間為: 在 1600℃時=由(2)= 加入雜質(zhì)后由(3)有= 813 假定NiCr2O4的表面能為600erg/cm2。在 1200℃和 1400℃時Ni2+和Cr3+離子的擴散系數(shù)分別為:Ni2+在NiO中D1473=110-11;D1673=310- 10cm2/s;Cr3+在Cr2O3中D1473=710- 11 cm2/s,D1673=10- 9cm2/s;求在 1200℃和 1400℃燒結(jié)時,開始1h的線收縮率是多少?()解:線收縮率:1200℃,對NiO和Cr2O3粉末,其則可求出K1473,同理,可求出 K1673,代入上式,即可求出式中g(shù)=600erg/cm2,243。= T=1473K,1673K,r= 814 在制造透明Al2O3材料時,原始粉料粒度為2μm,測得晶粒尺寸10μm,試問若保溫時間為2h,晶粒尺寸多大?%MgO,此時若保溫時間為2h,晶粒又有尺寸多大?解:由 在此條件下保溫,設(shè)直徑為則有:即求加入少量的MgO時:由 815 在 1500℃Al2O3正常晶粒生長期間。如已知晶界擴散活化能為335kJ/mol,試預(yù)測在 1700℃下保溫時間為4h后,晶粒尺寸是多少?%MgO雜質(zhì)對Al2O3晶粒生長速度會有什么影響?在與上面相同條件下燒結(jié),會有什么結(jié)果,為什么?解:由 由 在 1700℃時, 由,有 %MgO時,會抑制Al2O3晶粒生長,抑制現(xiàn)象會更加明顯,原因是由于晶界移動時遇到的雜質(zhì)(MgO)更多,限制了晶粒的生長。816 材料的許多性能如強度、光學性能等要求其晶粒尺寸微小且分布均勻,工藝上應(yīng)如何控制燒結(jié)過程以達到此目的?解:(1) 晶粒的大小取決于起始晶粒的大小,燒結(jié)溫度和燒結(jié)時間 。(2) 防止二次再結(jié)晶引起的晶粒異常長大 。817 晶界移動通遇到夾雜物時會出現(xiàn)哪幾種情況?從實現(xiàn)致密化目的考慮,晶界應(yīng)如何移動?怎樣控制?解:晶粒正常長大時,如果晶界受到第二相雜質(zhì)的阻礙,其移動可能出現(xiàn)三種情況。(1)晶界能量較小,晶界移動被雜質(zhì)或氣孔所阻擋,晶粒正常長大停止。(2)晶界具有一定的能量,晶界帶動雜質(zhì)或氣孔繼續(xù)移動,這時氣孔利用晶界的快速通道排除,坯體不斷致密。(3)晶界能量大,晶界越過雜質(zhì)或氣孔,把氣孔包裹在晶粒內(nèi)部。由于氣孔脫離晶界,再不能利用晶界這樣的快速通道排除,使燒結(jié)停止,致密度不再增加,這將出現(xiàn)二次再結(jié)晶現(xiàn)象。從實現(xiàn)致密化目的考慮,晶界應(yīng)按第二種情況移動,控
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