【文章內(nèi)容簡介】 。 SDRAM Bank Interleave（SDRAM組交錯） 選項：2Bank、4Bank，Disabled 調(diào)整SDRAM的交錯模式，讓不同組的SDRAM輪流刪新和存取，當(dāng)?shù)谝唤M進行刪新時，第二組做存取工作，能夠大大提高多組內(nèi)存協(xié)同工作時的性能。 每一個DIMM（Dual Inline Memory Modules，雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊）由2組或4組構(gòu)成，2組SDRAM DIMM使用32Mbit或16Mbit等小容量芯片，4組SDRAM DIMM使用64Mbit或256Mbit等大容量芯片。如果你用的是單條2組SDRAM模塊，設(shè)置為“2Bank”，若是4組SDRAM模塊，可設(shè)置為“2Bank”或“4Bank”。當(dāng)然，4組SDRAM比2組SDRAM要好。另外，Phoenix Technologies的Award BIOS會在采用16Mbit SDRAM時自動關(guān)閉交錯存取。 SDRAM Precharge Control（SDRAM預(yù)充電控制） 選項：Enabled，Disabled Disabled時由CPU發(fā)出命令控制SDRAM的預(yù)充電時間，增加穩(wěn)定性的同時會降低性能。Enabled時由SDRAM自己控制預(yù)充電時間，節(jié)省了CPU到SDRAM控制所花費的時鐘周期，提高內(nèi)存子系統(tǒng)性能。 DRAM Data Integrity Mode（DRAM數(shù)據(jù)完整性模式） 選項：ECC、NonECC ECC（Error Checking and Correction，錯誤檢查修正）模式采用額外的72位內(nèi)存檢查數(shù)據(jù)的完整性，能夠修正1位數(shù)據(jù)錯誤，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，增加超頻成功率。如果你沒有ECC內(nèi)存，設(shè)置為NonECC即可。 ReadAroundWrite（在寫附近讀?。?選項：Enabled，Disabled 當(dāng)處理器做亂序執(zhí)行工作時，讀命令指向的地址為最近寫入的內(nèi)容，提高Cache命中率，建議設(shè)為enabled。 System BIOS Cacheable（系統(tǒng)BIOS緩沖） 選項：Enabled，Disabled 經(jīng)過二級緩存把系統(tǒng)BIOS從ROM中映射到主內(nèi)存F0000hFFFFFh，它能加快存取系統(tǒng)BIOS的速度，不過，操作系統(tǒng)很少請求BIOS，Enabled難以影響總體性能。另外，許多程序都通過這個地址來寫入數(shù)據(jù)，建議大家Disabled，釋放內(nèi)存空間并減低沖突機率。 Video BIOS Cacheable（視頻BIOS緩沖） 選項：Enabled，Disabled 經(jīng)過二級緩存把視頻BIOS從ROM中映射到主內(nèi)存C0000hC7FFFh，它能加快存取視頻BIOS的速度，不過，操作系統(tǒng)很少請求視頻BIOS，Enabled難以影響總體性能。另外，許多程序都通過這個地址來寫入數(shù)據(jù)，建議大家Disabled，釋放內(nèi)存空間并減低沖突機率。 1Video RAM Cacheable（視頻內(nèi)存緩沖） 選項：Enabled，Disabled 經(jīng)過二級緩存把視頻內(nèi)存從顯卡映射到主內(nèi)存A0000hAFFFFh，它能加快存取視頻內(nèi)存的速度，不過，操作系統(tǒng)很少請求視頻內(nèi)存，Enabled難以影響總體性能。目前，（128位*100MHz/8），接近P3500 ，在內(nèi)存中增加緩沖區(qū)沒有太大意義。另外，許多程序都通過這個地址來寫入數(shù)據(jù)，建議大家Disabled，釋放內(nèi)存空間并減低沖突機率。 18bit I/O Recovery Time（8位輸入/輸出恢復(fù)時間） 選項：NA、7 由于PCI總線比8位ISA總線快得多，為了保證連續(xù)PCI到ISA輸入/輸出的一致性，BIOS為它添加了一個恢復(fù)時間。，可以最大限度地提高ISA總線的性能。如果你沒有ISA插卡，就無須理會此選項。 116bit I/O Recovery Time（16位輸入/輸出恢復(fù)時間） 選項：NA、3 由于PCI總線比16位ISA總線快得多，為了保證連續(xù)PCI到ISA輸入/輸出的一致性，BIOS為它添加了一個恢復(fù)時間。，可以最大限度地提高ISA總線的性能。如果你沒有ISA插卡，就無須理會此選項。 1Memory Hole At 15M16M（在15M到16M之間的內(nèi)存保留區(qū)） 選項：Enabled，Disabled 某些擴展卡需要一部分內(nèi)存區(qū)域來工作，開啟此特性可以把15M以上的內(nèi)存分配給這些設(shè)備，但操作系統(tǒng)將不能使用15M外的內(nèi)存，建議大家disabled。 1Passive Release（被動釋放） 選項：Enabled，Disabled 開啟之后，允許PCI總線被動釋放來打開CPU到PCI總線存取，那么，處理器就能同時對PCI和ISA設(shè)備進行操作。否則，只能由其它PCI主控存取PCI總線，不允許CPU直接存取。此特性常用于ISA總線主控延遲，可以均衡兩個總線的速度。Enabled是性能最優(yōu)化設(shè)置，亦能避免ISA擴展卡出現(xiàn)速度跟不上的問題。 1Delayed Transaction/PCI Compliance（延遲處理/兼容PCI ） 選項：Enabled，Disabled 它常用于PCI與ISA總線間的數(shù)據(jù)交換，由于ISA總線比PCI慢得多，開啟此特性可以提供32位寫緩沖作為延遲處理空間。如果你不使用ISA顯卡或與PCI ，選擇Disabled吧。 1AGP Aperture Size(MB)（AGP區(qū)域內(nèi)存容量，單位：兆） 選項：13612256 AGP的其中一個特性是把系統(tǒng)內(nèi)存分出部分區(qū)域作顯示內(nèi)存，其公式為AGP顯卡內(nèi)存容量*2+12MB，其中12MB用于虛擬尋址，2倍內(nèi)存容量用于組成聯(lián)合讀寫內(nèi)存區(qū)。這些空間并不是物理內(nèi)存，如果你要用真正的內(nèi)存，必須在Direct3D中加入一個“Create nonlocal surface（創(chuàng)建非局域表面內(nèi)存）”命令。 Win9x在局域內(nèi)存（包括磁盤虛擬內(nèi)存）中創(chuàng)建AGP虛擬內(nèi)存，并自動為所有程序進行優(yōu)化，用完之后才會調(diào)用顯卡內(nèi)存和系統(tǒng)內(nèi)存。雖然增加AGP區(qū)域的尺寸并不能直接提高性能，但必須有一定空間才能滿足3D游戲等大型軟件的需求。因為GART（Graphic Address Remappng Table，圖形地址重繪表）過大會導(dǎo)致系統(tǒng)出錯，建議AGP區(qū)域內(nèi)存容量不要超過64128MB。 1AGP 2X Mode（開啟兩倍AGP模式） 選項：Enabled，Disabled AGP標(biāo)準(zhǔn)分成許多個規(guī)格，AGP 1X使用單邊上升沿傳輸數(shù)據(jù)信號，在66MHz總線下?lián)碛?64MB/秒的帶寬。AGP 2X使用雙邊上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)信號，同樣頻率下可達到528MB/秒。如果要采取此模式，必須要主板芯片組和顯卡都支持才能實現(xiàn)。另外，如果你打算把外頻超到75MHz，最好關(guān)閉AGP 2x，防止頻率過高產(chǎn)生的不穩(wěn)定現(xiàn)象。 1AGP Master 1WS Read（AGP主控1個等待讀周期） 選項：Enabled，Disabled 在缺省的情況下，AGP主控設(shè)備在進行讀處理時會等待2個時鐘周期，開啟此特性能夠減少等待時間，提高顯示子系統(tǒng)的性能。 AGP Master 1WS Write（AGP主控1個等待寫周期） 選項：Enabled，Disabled 在缺省的情況下，AGP主控設(shè)備在進行寫處理時會等待2個時鐘周期，開啟此特性能夠減少等待時間，提高顯示子系統(tǒng)的性能。 2USWC Write Posting（UCWC寫置入） 選項：Enabled，Disabled USWC（Uncacheabled Speculative Write Combination，無緩沖隨機聯(lián)合寫操作）把每一個小的寫入操作聯(lián)合成一個64位寫命令，再發(fā)到線性緩沖區(qū)，此做法能夠減少寫入次數(shù)，