計算機組成原理上機實驗報告(編輯修改稿)
2025-02-17 18:50 本頁面
【文章內容簡介】 還需要一個讀寫控制邏輯，使得 CPU能控制 MEM 的讀寫，實驗中的讀寫控制邏輯如圖 22 所示，由于 T3 的參與，可以保證 MEM的寫脈寬與 T3 一致，T3 由時序單元的 TS3 給出（時序單元的介紹見附錄 2）。IOM 用來選擇是對 I/O 還是對 MEM 進行讀寫操作，RD=1 時為讀，WR=1 時為寫。如表22所示。表 21 SRAM 6116 功能表 圖 22 讀寫控制邏輯表 22 讀寫邏輯控制表IOMWRRDINOUTMEM110有效101有效010寫001讀實驗原理圖如圖 23 所示，存儲器數(shù)據(jù)線接至數(shù)據(jù)總線，數(shù)據(jù)總線上接有 8 個 LED 燈顯示 D7…D0 的內容。地址線接至地址總線，地址總線上接有 8 個 LED 燈顯示 A7…A0 的內容，地址由地址鎖存器（74LS273，位于 PCamp。AR 單元）給出。數(shù)據(jù)開關（位于 IN 單元）經(jīng)一個三態(tài)門（74LS245）連至數(shù)據(jù)總線，分時給出地址和數(shù)據(jù)。地址寄存器為 8 位，接入 6116 的地址A7…A0，6116 的高三位地址 A10…A8 接地，所以其實際容量為 256 字節(jié)。實驗箱中所有單元的時序都連接至時序與操作臺單元，CLR 都連接至 CON 單元的 CLR 按鈕。實驗時 T3 由時序單元給出，其余信號由 CON 單元的二進制開關模擬給出，其中 IOM 應為低（即 MEM 操作），RD、WR 高有效，MR 和 MW 低有效，LDAR 高有效。圖 23 存儲器實驗原理圖 通過本次試驗，了解了靜態(tài)隨機存儲器RAM工作特性及數(shù)據(jù)的讀寫方法，同時知道了組成原理的理論課也很重要，沒有理論課的基礎，實驗時就不知道怎么弄了，只有把理論和實踐結合起來才能學好這門課。實驗三 系統(tǒng)總線與總線接口1. 實驗目的（1） 理解總線的概念及其特性（2） 掌握控制總線的功能和應用2. 實驗內容 輸入設備將一個數(shù)打入 R0 寄存器。 輸入設備將另一個數(shù)打入地址寄存器。 將 R0 寄存器中的數(shù)寫入到當前地址的存儲器中。將當前地址的存儲器中的數(shù)用 LED 數(shù)碼管顯示。3. 實驗原理實驗接線圖由于存儲器和輸入、輸出設備最終是要掛接到外部總線上，所以需要外部總線提供數(shù)據(jù)信號、地址信號以及控制信號。在該實驗平臺中，外部總線分為數(shù)據(jù)總線、地址總線、和控制總線，分別為外設提供上述信號。外部總線和 CPU 內總線之間通過三態(tài)門連接，同時實現(xiàn)了內外總線的分離和對于數(shù)據(jù)流向的控制。地址總線可以為外部設備提供地址信號和片選信號。表 32 讀寫邏輯控制表IOMWRRDINOUTMEM110有效101有效010寫001讀在理解讀寫控制邏輯的基礎上我們設計一個總線傳輸?shù)膶嶒灐嶒炈每偩€傳輸實驗框圖如圖 33 所示，它將幾種不同的設備掛至總線上，有存儲器、輸入設備、輸出設備、寄存器。這些設備都需要有三態(tài)輸出控制，按照傳輸要求恰當有序的控制它們，就可實現(xiàn)總線信息傳輸。圖 33 總線傳輸實驗框圖4. 實驗心得 通過本次試驗，我們對總線的概念和其特性及控制總線的功能和應用得到更多的了解。學會了自己譯碼，自己譯出控制信號等，感覺這是一門比較有趣的課程，希望這能在以后的學習和工作中帶來一定的益處。實驗四 微程序控制器實驗1. 實驗目的（1） 掌握微程序控制器的組成原理（2） 掌握微程序的編制、寫入，觀察微程序的運行過程設計以下機器指令的微程序，如表42所示：表42 機器指令的微程序助記符機器指令碼說明IN0010 0000IN →R0ADD0000 0000R0 + R0→R0OUT0011 0000R0→OUTHLT0101 0000停機本實驗安排了四條機器指令，分別為 ADD（0000 0000）、IN（0010 0000）、OUT（0011 0000）和 HL
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