屈瑩-不同電阻率太陽能電池制作工藝探索及電性能研究(編輯修改稿)
2025-02-16 04:35 本頁面
【文章內容簡介】 有進行任何鈍化處理，受到表面符合而導致的，因此，測得的硅片有效壽命較低 。 不同點： 高電阻率硅片其少子呈同心圓狀，而低電阻率硅片沒有明顯的圖形， 但均勻性相對較好。 EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 晶體生長的熱對流形式 拉制晶棒的過程中，由于硅沿著坩堝壁上升，在對流無規(guī)則和不穩(wěn)定時，溶液表現(xiàn)為間歇的釋放熱量（卷流），而卷流影響了晶錠徑向雜質分布的均勻性。 EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 堿制絨 擴散 等離子刻蝕 PSG PECVD 絲網印刷 電池制作 燒結測試 選取不同電阻率四類硅片采用正常擴散工藝，配合生產燒結工藝，得出電性能變化趨勢 選取 Ωcm和 36 Ωcm兩組硅片，進行調試對比 EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 在擴散前四種電阻率的硅片其少子壽命沒有明顯的變化，但在擴散后 ， pn結的形成有利于基區(qū)電子的擴散，因此 其少子壽命有明顯的上升。 擴散后少子壽命變化趨勢 擴散后少子比較 隨著電阻率的升高其擴散后少子壽命 增加幅度呈上升趨勢。 ＞ 10Ωcm 電阻率硅片增加的幅度 最 大，基本在 20us以上。 這與摻雜濃度有關，電阻率越大，摻雜含量越少，其雜質濃度越低，復合降低，提升了體少子壽命。 τ /us EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 相同 擴散工藝 擴散后方塊電阻 /（ Ω/□ ） up 10Ωcm 50/49 50/49 4
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