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正文內(nèi)容

[工程科技]chp_14new(編輯修改稿)

2025-02-15 12:32 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 幾微安),鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。 以上均是二極管的直流參數(shù),二極管的應用主要是利用它的單向?qū)щ娦裕蓱糜谡?、檢波、限幅、保護等等。 (1433) 二極管電路分析 ? 定性分析:判二極管的工作狀態(tài) 導通、截止 ? 二極管:正向?qū)? 硅 ~ 鍺 ~ ? 理想二極管:正向?qū)? 管壓降為零 反向截止 相當于斷開 (1434) 二極管電路分析 ? 分析方法: 1. 斷開二極管 2. a) 分析其兩端電位高低, b) 或其兩端所加電壓 UD 的正負。 3. a) V陽 V陰 → 導通 V陽 V陰 → 截止 b) UD 0 → 導通 UD 0 → 截止 (1435) Ui Uo+ +_ _5VUi Uo+ +_ _5VUi Uo+ +_ _5V例 1: 已知: Ui = 10 sinwt V,二極管為理想元件。 試畫出 Uo的波形。 Ui 5V: Uo = Ui 解: 方法:判斷二極管何時 導通、截止。 Uiwt0Uowt0Ui 5V : Uo = 5V (1436) 例 2: 已知:管子為鍺管, Va = 3V, Vb = 0V。 試求: Vy = ? 方法:先判二極管誰優(yōu)先導通, 導通后二極管起嵌位作用 兩端壓降為定值。 因: Va Vb 故: Da優(yōu)先導通 Db截止 若: Da導通壓降為 (鍺管) 則: Vy = VaVb Vy1 2 VDaDb解: P11:例 uAuBuF0V 0V 0 .3 V0V 3V 2 .7 V3V 0V 2 .7 V3V 3V 2 .7 V設二極管的導通壓降為 。 (1437) RL ui uo ui uo t t 例 3:二極管的應用舉例 1: 二極管半波整流 例 4: 二極管的應用 2 檢波 R RL ui uR uo uR: R和 C構成微分電路 t t t ui uR uo t1 t2 + (1438) 符號 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 伏安特性 穩(wěn)壓管正常工作時,需加反向電壓,工作于反向擊穿區(qū)。 使用時要加限流電阻 穩(wěn)壓原理: 穩(wěn) 壓管反向擊穿以后,電流變化很大,但其兩端電壓變化很小。 _ + U I O 167。 穩(wěn)壓二極管 曲線越陡電壓越穩(wěn) (1439) (1) 穩(wěn)定電壓 UZ 穩(wěn)壓管正常工作 (反向擊穿 )時管子兩端的電壓。 (2) 電壓溫度系數(shù) ?u 環(huán)境溫度每變化 1?C引起 穩(wěn)壓值變化的 百分數(shù) 。 (3) 動態(tài)電阻 ZZ Z IUr???(4) 穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM (5) 最大允許耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小,曲線愈陡,穩(wěn)壓性能愈好。 穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) : (1440) 例: 已知: Uz = 12V, IZM = 18mA, R = 。 試求: Iz = ? 限流電阻 R 的阻值是否合適? RIz+ 2 0 V解: Iz = ( 20 – Uz ) / R = ( 2012 ) / = 5mA 因: IZ IZM 故:限流電阻 R 的阻值合適 P15:例 DZ (1441) 負載電阻: 例: 穩(wěn)壓管的技術參數(shù) : uo iZ DZ R iL i ui RL 5 m A 2 0 m A , V,10Z m i n Z m a xZW ? ??I IU?? k2LR解: uimax = → 流過穩(wěn)壓管的電流為 IZmax 試求:限流電阻 R 和輸入電壓 ui 的正常值。 mA25ZWZ m a x ???LRUIi① ZW ??????? RUiRu i要求: ui 發(fā)生 ?20%波動時,負載電壓基本不變。 (1442) mA10ZWZ m i n ???LRUIi② ZW ??????? RUiRu iuo iZ DZ R iL i ui RL 聯(lián)立方程 ①、② 可解得: ??? , Ru iuimin = → 流過穩(wěn)壓管的電流為 IZmin (1443) 基本結構 167。 雙極型晶體管 常見:硅管主要是平面型,鍺管都是合金型 (a)平面型 (b)合金型 B E P型硅 N型硅 SiO2保護膜 銦球 N型鍺 N型硅 C B E C P P 銦球 結構圖 (1444) NPN型晶體管 PNP型晶體管 C E 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 集電結 發(fā)射結 N N P 基極 發(fā)射極 集電極 B C E 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) P 發(fā)射結 P 集電結 N 集電極 發(fā)射極 基極 B N N C E B P C
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