工學(xué)]哈工程核學(xué)院核電子學(xué)模電基礎(chǔ)(編輯修改稿)
2025-02-14 18:05 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 —— （場(chǎng)效應(yīng)管） 轉(zhuǎn)移特性 () DSD G S ui f u ?? 常 數(shù)對(duì) N溝道 JFET，在管子工作在恒流區(qū)時(shí)轉(zhuǎn)移特性可近似表示為： 2()(1 )GSD D S SG S o ffuiIU??注意： PN結(jié)要反偏 N溝 JFET:uGS﹤ 0 P溝 JFET:uGS﹥ 0 模電基礎(chǔ) —— （場(chǎng)效應(yīng)管） JFET的主要參數(shù) ?直流參數(shù) ?交流參數(shù) 夾斷電壓 UGS (off) 飽和漏極電流 IDSS 直流輸入電阻 RGS(DC) 低頻跨導(dǎo) 極間電容 CGSCGD DSDmGS uigu ???? 常 數(shù)mg?極限參數(shù) 最大漏極電流 IDM 最大漏源電壓 U(BR)DS 最大柵源電壓 U(BR)GS 最大耗散功率 PDM 模電基礎(chǔ) —— （場(chǎng)效應(yīng)管） 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（ MOSFET） 模電基礎(chǔ) —— （場(chǎng)效應(yīng)管） MOS管 ?導(dǎo)電溝道的形成 ?柵源電壓對(duì)漏極電流的控制 ?漏源電壓對(duì)漏極電流的影響 工作原理 ()0GSGS GS thuuu??() ,0G S G S th D S Du u u i?? 產(chǎn) 生模電基礎(chǔ) —— （場(chǎng)效應(yīng)管） () GSD D S ui f u ?? 常 數(shù) () DSD G S ui f u ?? 常 數(shù)?可變電阻區(qū) ?恒流區(qū) ?截止區(qū) ?擊穿區(qū) MOS管 伏安特性 模電基礎(chǔ) —— （場(chǎng)效應(yīng)管） MOS管 ?耗盡型：同 JFET ?增強(qiáng)型：沒(méi)有夾斷電壓和漏極飽和電流，增加開(kāi)啟電壓 模電基礎(chǔ) —— （場(chǎng)效應(yīng)管） 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較 模電基礎(chǔ) —— （單管放大電路） (a)放大電路的主要性能指標(biāo) (b)共射極放大電路 (c)共集電極放大電路 (d)共基極放大電路 4. 2場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 (a)共源放大電路 (b)共漏放大電路 模電基礎(chǔ) —— （放大電路） （ a）放大電路的主要性能指標(biāo) ouiUU????? oussUU?????LoouoiiRUUUU????????? ? ?oiiII?????電壓放大倍數(shù)（電壓增益） 電流放大倍數(shù)（電流增益） 模電基礎(chǔ) —— （放大電路） （ a）放大電路的主要性能指標(biāo) 輸入電阻 輸出電阻 iiiURI??? iiSisRUURR????o o i ius uiss i sU U U RRRU U U? ? ???? ? ?? ? ? ? ? ? ?LoooLRUURR???? ? 1ooLoURRU???????????????o o o Lu uooLiioU U U RRRUUU?????? ? ??? ? ? ? ????低內(nèi)阻電壓源輸入電阻越大越好 ?高內(nèi)阻電流源輸入電阻越小越好 ?輸出電阻越小電壓增益越接近空載時(shí)電壓增益，帶負(fù)載能力越強(qiáng) 模電基礎(chǔ) —— （放大電路） （ a）放大電路的主要性能指標(biāo) 輸入信號(hào)的頻率往往是在一定范圍內(nèi)變化的，要使放大后的輸出信號(hào)不失真，就要
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