磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-13 18:24 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 當(dāng)，及在運(yùn)用過(guò)程中受力、受熱引起的機(jī)械變形，造成的局部擊穿 輝光放電區(qū)電位分布 靶 基距 （ 1）阿斯頓暗區(qū) （ 2）陰極暗區(qū)，克羅克斯暗區(qū)（ 3）負(fù)輝區(qū) （ 4）法拉第暗區(qū) （ 5）正輝柱 （ 6）陽(yáng)極暗區(qū) （ 7）陽(yáng)極輝柱 ? 陰極暗區(qū)寬度一般為 12cm，鍍膜設(shè)備中陰極與基片距離大多 510cm，可知兩極間只存在陰極暗區(qū)和負(fù)輝區(qū)，盡量減小極間距離（靶 基距），獲得盡量高的鍍膜速率。 ? 陰極暗區(qū)邊緣的電位幾乎接近陽(yáng)極電位，相當(dāng)于在輝光放電時(shí)，等離子體將陽(yáng)極推到陰極暗區(qū)邊緣，此時(shí)真正的陽(yáng)極在哪里并不重要。 ? 陽(yáng)極位置只影響擊穿電壓。 等離子體、等離子體發(fā)光與 PEM ? 等離子體特點(diǎn)： ? 等離子體內(nèi)的基本過(guò)程 ? 電離過(guò)程 ? （ 3）式描述了快電子離過(guò)程，能電量由電子提供 ? （ 4）式表示了光電離過(guò)程，能電 h?量由光子提供 ? 激發(fā)、退激發(fā)及中和過(guò)程 ? 退激發(fā)過(guò)程的能態(tài)躍遷釋放能量 發(fā)光 ? 光強(qiáng)度正比于激發(fā)態(tài)密度 n*和相應(yīng)的 mn躍遷機(jī)率 P ? 特征光譜 荷能粒子與材料表面相互作用 產(chǎn)生的效應(yīng) ? 表面粒子發(fā)射：電子、中性原子與分子、正離子和負(fù)離子、氣體分子解吸、氣體分解發(fā)射、射線(xiàn)（光）、入射粒子的背散射、 ? 入射粒子（離子）在固體表面或內(nèi)部與材料原子（分子）的級(jí)聯(lián)碰撞、注入、擴(kuò)散、化合 ? 材料晶體的非晶化、結(jié)構(gòu)損傷（產(chǎn)生缺陷）、置換 ? 熱、電效應(yīng) 濺射效應(yīng) 正離子轟擊靶材表面引起的各類(lèi)發(fā)射稱(chēng)濺射，材料的濺射產(chǎn)額 y系指一個(gè)正離子入射到表面從表面濺射出的原子數(shù)。 （ 1）材料的濺射產(chǎn)額 y與轟擊靶材表面的正離子種類(lèi)、能量、入射角有關(guān)。入射離子能量從零增加到某值時(shí)，才發(fā)生濺射現(xiàn)象，該值稱(chēng)為閾能。濺射氣體通常選氬氣。 （ 2）濺射產(chǎn)額 y與材料種類(lèi)、表面狀態(tài)、溫度有關(guān)。 三、磁控濺射 在二極濺射裝置上加一與電場(chǎng)E的正交磁場(chǎng) B 在正交電磁場(chǎng)作用下電子圍繞磁力線(xiàn)作曲線(xiàn)運(yùn)動(dòng)加大了運(yùn)動(dòng)路徑 ,大大提高電子對(duì)氣體的電離幾率 e x B B e E B ExB S N N S e ?
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