畢業(yè)設(shè)計(jì)-基于單片機(jī)的作息時(shí)間控制(編輯修改稿)
2025-02-13 00:37 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ，然后將 CS置為高電平，這時(shí)， DO端就會(huì)指示 “ 忙 ” 標(biāo)志。 8 8 DO 為 “0” ，表示編程正在進(jìn)行； DO為 “1” ，表示該指定地址的寄存器單元已擦完，可以執(zhí)行下一條指令。 擦 /寫允許指令（ EWEN） 由于在上電復(fù)位后 AT93C46/56/66首先將處于擦／寫不允許狀態(tài)。故該指令必須在所有編程模式前執(zhí)行，一旦該指令執(zhí)行后，只要外部沒有斷電就可以對(duì)芯片進(jìn)行編程。 地址寫指令（ WRITE） 寫指令時(shí)，先寫地址，然后將 16位的或 8位數(shù)據(jù)寫入到指定地址中。 當(dāng) DI端輸出最后一個(gè)數(shù)據(jù)位后，在 CLK時(shí)鐘的下一個(gè)上升沿以前， CS必須為低，且需至少保持 250ns，然后將 CS置為高電平。 地址讀指令（ READ） 讀指令用于從指定的單元中把數(shù)據(jù)從高位到低位輸出至 DO端，但邏輯 “0” 位先于數(shù)據(jù)位輸出 。 芯片擦指令（ ERAL） 該指令可將整個(gè)存貯器陣列置為１，其它功能與地址擦指令相同。 芯片寫指令 （ WRAL） 該指令可將命令中指定的數(shù)據(jù)寫入整個(gè)存貯器陣列，其它功能與地址寫指令相同。該指令周期所花費(fèi)時(shí)間的最大值為 30ms。 擦 /寫禁止指令（ EWDS） 使用該指令可對(duì)寫 入的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)，操作步驟與擦 /寫允許指令相同。 繼電器的選擇 1) 按使用環(huán)境選型 使用環(huán)境條件主要指溫度、濕度、低氣壓、振動(dòng)和沖擊。此外，尚有封裝方式、安裝方法、外形尺寸及絕緣性等要求。由于材料和結(jié)構(gòu)不同，繼電器承受的環(huán)境力學(xué)條件各異，超過產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境力學(xué)條件下使用，有可能損壞繼電器，可按整機(jī)的環(huán)境力學(xué)條件或高一級(jí)的條件選用。 對(duì)電磁干擾或射頻干擾比較敏感的裝置周圍，最好不要選用交流電激勵(lì)的繼電器。選用直流繼電器要選用帶線圈瞬態(tài)抑制電路的產(chǎn)品 。 2) 按輸入信號(hào)不同確定 繼電器 種類 按輸入信號(hào)是 電、溫度、時(shí)間、光信號(hào)確定選用電磁、溫度、時(shí)間、光電繼電器，這是沒有問題的。這里特別說明電壓、電流繼電器的選用。若整機(jī)供給繼電器線圈是恒定的電流應(yīng)選用電流繼電器，是恒定電壓值則選用電壓繼電器。 3) 輸入?yún)⒘康倪x定 與用戶密切相關(guān)的輸入量是線圈工作電壓（或電流），而吸合電壓（或電流）則是繼電器制造廠控制繼電器靈敏度并對(duì)其進(jìn)行判斷、考核的參數(shù)。對(duì)用戶來講，它只是一個(gè)工作下極限參數(shù)值。控制安全系數(shù)是工作電壓（電流） /吸合電壓（電流），如果在吸合值下使用繼電器，是不可靠的、不安全的，環(huán)境溫度升高或處于振動(dòng)、沖擊條件下， 將使繼電器工作不可靠。整機(jī)設(shè)計(jì)時(shí)，不能以空載電壓作為繼電器工作電壓依據(jù)，而應(yīng)將線圈接 9 9 入作為負(fù)載來計(jì)算實(shí)際電壓，特別是電源內(nèi)阻大時(shí)更是如此。當(dāng)用三極管作為開關(guān)元件控制線圈通斷時(shí)，三極管必須處于開關(guān)狀態(tài)，對(duì) 6VDC 以下工作電壓的繼電器來講，還應(yīng)扣除三極管飽和壓降。當(dāng)然，并非工作值加得愈高愈好，超過額定工作值太高會(huì)增加銜鐵的沖擊磨損，增加觸點(diǎn)回跳次數(shù)，縮短電氣壽命，一般，工作值為吸合值的 ，工作值的誤差一般為 177。10% 。 4) 根據(jù)負(fù)載情況選擇繼電器觸點(diǎn)的種類和容量 觸點(diǎn)組合形式和觸點(diǎn)組數(shù)應(yīng)根據(jù)被控回路實(shí)際情況確定 。動(dòng)合觸點(diǎn)組和轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)組中的動(dòng)合觸點(diǎn)對(duì)，由于接通時(shí)觸點(diǎn)回跳次數(shù)少和觸點(diǎn)燒蝕后補(bǔ)償量大，其負(fù)載能力和接觸可靠性較動(dòng)斷觸點(diǎn)組和轉(zhuǎn)換的動(dòng)斷觸點(diǎn)對(duì)要高，整機(jī)線路可通過對(duì)觸點(diǎn)位置適當(dāng)調(diào)整，盡量多用動(dòng)合觸點(diǎn)。 根據(jù)負(fù)載容量大小和負(fù)載性質(zhì)（阻性、感性、容性、燈載及馬達(dá)負(fù)載）確定參數(shù)十分重要。認(rèn)為觸點(diǎn)切換負(fù)荷小一定比切換負(fù)荷大可靠是不正確的，一般說，繼電器切換負(fù)荷在額定電壓下，電流大于 100mA、小于額定電流的 75%最好。電流小于 100mA會(huì)使觸點(diǎn)積碳增加，可靠性下降，故 100mA稱作試驗(yàn)電流，是國(guó)內(nèi)外專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)繼電器生產(chǎn) 廠工藝條件和水平的考核內(nèi)容。 極性轉(zhuǎn)換、相位轉(zhuǎn)換負(fù)載場(chǎng)合，最好選用三位置的 K 型觸點(diǎn)，不要選用二位置的 Z型觸點(diǎn)，除非產(chǎn)品明確規(guī)定用于三相交流負(fù)載轉(zhuǎn)換。否則隨著產(chǎn)品動(dòng)作次數(shù)的增加，其燃弧也會(huì)增大， Z型觸點(diǎn)可能導(dǎo)致電源被短路。 在切換不同步的單相交流負(fù)載時(shí)，會(huì)存在相位差，所以觸點(diǎn)額定值應(yīng)為負(fù)載電流的 4倍，額定電壓為負(fù)載電壓的 2倍。適合交流負(fù)載的觸點(diǎn)不一定適合于幾個(gè)電源相位之間的負(fù)載切換，必要時(shí)應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的電壽命試驗(yàn)。 10 10 3 硬件設(shè)計(jì) 狀態(tài)寄存器： 狀態(tài)寄存器包括四個(gè)非易失性控制位，兩個(gè)易失性狀態(tài)位。控制位可以設(shè)置看門狗定時(shí)器的操作，存儲(chǔ)塊鎖存保護(hù)，狀態(tài)寄存器被設(shè)計(jì)成“狀態(tài)記錄員”。 狀態(tài)寄存器（缺省狀態(tài)為 30H） 7 6 5 4 3 2 1 0 0 0 WD1 WD0 BL1 BL0 WEL WIP 寫入程序位（ WIP）是一個(gè)易變性的、只讀位，指示裝置的是否忙于內(nèi)部非易變性寫操作。使用 RDST指令可以使 WIP位被讀出。當(dāng)設(shè)置為 1時(shí)，非易變性寫操作在進(jìn)行中，當(dāng)設(shè)置為 0時(shí)，進(jìn)行中沒有寫操作。 寫使能鎖存位（ WEL）指示“寫使能”鎖存的狀態(tài)。當(dāng) WEL為 1時(shí)，鎖存器被置位；當(dāng) WEL為 0時(shí)，鎖存器被復(fù)位。 WEL是一個(gè)易變性的、只讀位。 WREN指令可以設(shè)置 WEL位， WROS指令可以使 WEL位復(fù)位。 塊鎖存位 BL0和 BL1，設(shè)置塊鎖定保護(hù)的標(biāo)準(zhǔn)。這些非易變位可以用 WRSR指令編程，允許使用者 保護(hù)存儲(chǔ)器序列的 1/4， 1/2，全部或空。被塊鎖存保護(hù)排列的任一部分只能讀不能寫。它將保護(hù)到 BL位被改變使存儲(chǔ)器部
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