畢業(yè)設(shè)計(jì)-基于單片機(jī)的作息時(shí)間控制-在線瀏覽
2025-03-06 00:37本頁面
【正文】 字，并且存放在 FIFOROM 中，同時(shí)使 8279 的 IRQ 引腳變?yōu)楦唠娖剑勺鳛橄?CPU 申 請中斷信號，如果 CPU 是中斷開放的，則轉(zhuǎn)向中斷服務(wù)程序，可在中斷服務(wù)程序中讀取特征碼。 CPU返回主程序后，可由鍵特征碼來決定程序的流向。 6 6 為了使鍵盤具有按鈕功能，應(yīng)該利用 8279 的傳感方式功能，在傳感器方式中，8279 每當(dāng)檢測到傳感狀態(tài)變化時(shí)， IRQ就變?yōu)楦唠娖剑瑘D 1 是以 8031CPU 構(gòu)成的系統(tǒng)為例，說明 IRQ引腳電平的翻新過程。先將 8279設(shè)置成編碼鍵盤，允許 INT1 中斷，當(dāng)鍵按下時(shí)，反相器輸出低電平， CPU進(jìn)入中斷服務(wù)程序，讀取鍵特征碼后，又為高電平。輸出控制信號（例如“ 1”時(shí)調(diào)模進(jìn)電磁閥得電）后，將 8279設(shè)置為傳感器方式，并且不允許 INT1中斷，然后調(diào)試 電平。也就是說 平時(shí)，按鍵已經(jīng)松開，程序重新設(shè)置8279為編碼鍵盤， INT1 中斷開放，以便使鍵盤脫離按鈕功能。 7 7 由于計(jì)算機(jī)集成芯片技術(shù)的發(fā)展，存儲器的價(jià)格已下降，因此，為保證應(yīng)用項(xiàng)目的正常投運(yùn)，一般要求 PLC 的存儲器容量，按 256 個 I/O 點(diǎn)至少選 8K 存儲器選擇。 （一） 冗余功能的選擇 １、 控制單元的冗余 （１） 重要的過程單元： CPU及電源均應(yīng) 1 比１冗余 。 ２、 I/O接口單元的冗余 （１） 控制回路的多點(diǎn) I/O卡冗余配置。 （３） 根據(jù)需要對重要的 I/O信號，可選用２重化或３重化的 I/O 接口單元。考慮經(jīng)濟(jì)性時(shí)，應(yīng)同時(shí)考慮應(yīng)用的可擴(kuò)展性、可操作 性、投入產(chǎn)出比等因素，進(jìn)行比較和兼顧，最終選出較滿意的產(chǎn)品。每增加一塊輸入輸出卡件就需增加一定的費(fèi)用。在估算和選用時(shí)應(yīng)充分考慮，使整個控制系統(tǒng)有較合理的性能價(jià)格比。高電平有效，低電平時(shí)進(jìn)入等待模式。 CLK：串行時(shí)鐘信號。在發(fā)送序列時(shí)， CLK最好不停止，以防止讀 /寫數(shù)據(jù)的錯誤?？稍?CLK的同步下輸入開始位、操作碼、地址位和數(shù)據(jù)位。在 CLK同步下讀周期時(shí)，用于輸出數(shù)據(jù)；而在地址擦 /寫周期或芯片擦 /寫周期時(shí)，該端用于提供忙 /閑信息。 VCC：接＋ 5V電源。該端接 VCC或懸空時(shí)，輸出為 16位；接 GND 時(shí)，輸出為 8位。一旦信息在 DI端上被譯碼，就需使CS 信號保持至少 250ns的低電平，然后將 CS置為高電平，這時(shí)， DO端就會指示 “ 忙 ” 標(biāo)志。 擦 /寫允許指令（ EWEN） 由于在上電復(fù)位后 AT93C46/56/66首先將處于擦／寫不允許狀態(tài)。 地址寫指令（ WRITE） 寫指令時(shí)，先寫地址，然后將 16位的或 8位數(shù)據(jù)寫入到指定地址中。 地址讀指令（ READ） 讀指令用于從指定的單元中把數(shù)據(jù)從高位到低位輸出至 DO端，但邏輯 “0” 位先于數(shù)據(jù)位輸出 。 芯片寫指令 （ WRAL） 該指令可將命令中指定的數(shù)據(jù)寫入整個存貯器陣列，其它功能與地址寫指令相同。 擦 /寫禁止指令（ EWDS） 使用該指令可對寫 入的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)，操作步驟與擦 /寫允許指令相同。此外，尚有封裝方式、安裝方法、外形尺寸及絕緣性等要求。 對電磁干擾或射頻干擾比較敏感的裝置周圍，最好不要選用交流電激勵的繼電器。 2) 按輸入信號不同確定 繼電器 種類 按輸入信號是 電、溫度、時(shí)間、光信號確定選用電磁、溫度、時(shí)間、光電繼電器，這是沒有問題的。若整機(jī)供給繼電器線圈是恒定的電流應(yīng)選用電流繼電器，是恒定電壓值則選用電壓繼電器。對用戶來講，它只是一個工作下極限參數(shù)值。整機(jī)設(shè)計(jì)時(shí)，不能以空載電壓作為繼電器工作電壓依據(jù)，而應(yīng)將線圈接 9 9 入作為負(fù)載來計(jì)算實(shí)際電壓，特別是電源內(nèi)阻大時(shí)更是如此。當(dāng)然，并非工作值加得愈高愈好，超過額定工作值太高會增加銜鐵的沖擊磨損，增加觸點(diǎn)回跳次數(shù)，縮短電氣壽命，一般，工作值為吸合值的 ，工作值的誤差一般為 177。 4) 根據(jù)負(fù)載情況選擇繼電器觸點(diǎn)的種類和容量 觸點(diǎn)組合形式和觸點(diǎn)組數(shù)應(yīng)根據(jù)被控回路實(shí)際情況確定 。 根據(jù)負(fù)載容量大小和負(fù)載性質(zhì)（阻性、感性、容性、燈載及馬達(dá)負(fù)載）確定參數(shù)十分重要。電流小于 100mA會使觸點(diǎn)積碳增加，可靠性下降，故 100mA稱作試驗(yàn)電流，是國內(nèi)外專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對繼電器生產(chǎn) 廠工藝條件和水平的考核內(nèi)容。否則隨著產(chǎn)品動作次數(shù)的增加，其燃弧也會增大， Z型觸點(diǎn)可能導(dǎo)致電源被短路。適合交流負(fù)載的觸點(diǎn)不一定適合于幾個電源相位之間的負(fù)載切換，必要時(shí)應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的電壽命試驗(yàn)?？刂莆豢梢栽O(shè)置看門狗定時(shí)器的操作，存儲塊鎖存保護(hù)，狀態(tài)寄存器被設(shè)計(jì)成“狀態(tài)記錄員”。使用 RDST指令可以使 WIP位被讀出。 寫使能鎖存位（ WEL）指示“寫使能”鎖存的狀態(tài)。 WEL是一個易變性的、只讀位。 塊鎖存位 BL0和 BL1，設(shè)置塊鎖定保護(hù)的標(biāo)準(zhǔn)。被塊鎖存保護(hù)排列的任一部分只能讀不能寫。 狀態(tài)寄存器位 序列地址保護(hù) BL1 BL0 X5043/X5045 0 0 無 0 1 $180$1FF 1 0 $100$1FF 1 1 $000$1FF 讀狀態(tài)寄存器： 讀狀態(tài)寄存器，把 /CS降為低電平來選擇該裝置，接著發(fā)送 8位 RDSR指令。狀態(tài)寄存器在任何時(shí)間都可以被讀出，甚至在寫周期過程中。首先 11 11 使 /CS變?yōu)榈碗娖剑瑢υ撗b置定時(shí) WREN指令，再把 /CS拉成高電平。這 8位數(shù)據(jù)與狀態(tài)寄存器的 內(nèi)容一致。如果在 WREN和 WRSR之間 /CS沒有變 成高電平， WRSR指令將無
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