【文章內(nèi)容簡介】 設置內(nèi)部時鐘頻率；當 CCLK=10pF 時， CLK典型值為 。 CS：片選腳，低電平有效。 WR：當 CS為低電平時，在內(nèi)部采集模式， WR的上升沿 將 鎖住數(shù)據(jù)，并發(fā)出一個采集脈沖。當 CS為低電平時，在外部采集模式下， WR的第一個上升沿啟動一次采集， WR的第二個上升沿結(jié)束采集并開始一次轉(zhuǎn)換。 RD：如果 CS為低電平， RD的下降沿 將 實現(xiàn)數(shù)據(jù)總線上的一次讀操作。 HBEN:輸入腳，控制數(shù)據(jù)總線復用，以得到 12 位轉(zhuǎn)換結(jié)果，當 HBEN 為高電平時，數(shù)據(jù)總線上輸出高 4位數(shù)據(jù)；當 SHDN為低電平時，器件進入掉 電工作狀態(tài)。 D7~D4：三態(tài)數(shù)據(jù) I/O口。 D3/D11~D0/D8：三態(tài)數(shù)據(jù) I/O口。當 HBEN=0 時，輸出為 D3~D0的數(shù)據(jù)，當 HBEN=1時，輸出為 D11~D8數(shù)據(jù)。 AGND:模擬地。 CH0~CH7 為八路模擬輸入通道。 INT:中斷輸出腳，當轉(zhuǎn)換完畢，輸出數(shù)據(jù)準備就緒， INT變?yōu)榈碗娖健? REFADJ：為帶隙電壓基準輸出 /外部調(diào)節(jié)引腳，可連接一個 。當在 REF第三章 各芯片的概述 10 腳上采用外部基準電壓時，此管腳連到 VDD上。 REF：緩沖器基準電壓輸出 /ADC 基準電壓輸入。在內(nèi)部基準電壓模式下，基 準緩沖器提供。可在 REFADJ腳微調(diào)，在外部基準電壓模式下，通過把 REFADJ接至 VDD使內(nèi)部緩沖器無效。 VDD： +5V電源，通過 電容旁路至地。 DGND：數(shù)字地。 MAX197的控制字 MAX197的控制字格式如表 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 PD1 PD0 ACQMOD RNG BIP A2 A1 A0 表 MAX197的控制字格式 表中的各個控制位如下： 1） PD PD0：選擇時鐘和低功耗模式，其設置如表 PD1 PD0 說明 0 0 正常工作，外部時鐘模式 0 1 正常工作，內(nèi)部時鐘模式 1 0 后備低功耗模式，不影響時鐘模式 1 1 低功耗模式，不影響時鐘模式 表 PD PD0 位設置 MAX197 可以以內(nèi)部或外部時鐘模式工作?？刂谱止?jié)的 D6， D7 位選擇內(nèi)部或外部時鐘模式。一旦選擇了所要求的時鐘模式，改變這些位編程選擇低功耗模式時，不會影響時鐘模式。剛上電時，選擇外部時鐘模式。內(nèi)部時鐘模式設置控制字節(jié)的 D7 位為 0， D6位為 1可以選擇這種模式。在 CLK腳和地之間接一個 100pf 的 電容，可產(chǎn)生 。外部時鐘模式設置控制字節(jié)的 D7 位為 0,D6 位 =0 選擇外部時鐘模式。一般情況，要求100KHz~2MHz的外部時鐘具有 45%~55%的占空比。當工作時鐘頻率低于 100KHz時，在保持電容上將產(chǎn)生一個電壓降導致性能降低。 2） ACQMOD： 0為內(nèi)部控制采集， 1為外部控制采集。 通過寫控制字節(jié)的 ACQMOD 位為 0，選擇內(nèi)部采集方式。此方式產(chǎn)生一個脈沖初始化采集間隔，這個時間是內(nèi)部定時的。當六個時鐘周期采集間隔結(jié)束時，轉(zhuǎn)換開始。 通過寫控制字節(jié)的 ACQMOD 位為 。 外部采集方式可以更精確的控制采南昌工程學院本科畢業(yè)設計（論文） 11 樣間隔和轉(zhuǎn)換。在這種方式下，用戶通過 2個寫脈沖控制采集和啟動轉(zhuǎn)換。在第一個寫脈沖中，要使 ACQMOD位 =1，它將啟動一次采集開始。在第二次寫脈沖中要使 ACQMOD位 =0，在 WR的上升沿開始轉(zhuǎn)換并結(jié)束采集。在發(fā)第一個第二個寫脈沖時，多路輸入通道的地址位值必須一樣。在第二個寫脈沖中低功耗模式位（ PD0， PD1）可以設一個新值。 3） RNG,BIP:RNG位是選擇輸入端的滿量程電壓范圍， BIP位選擇單極性式和雙極性轉(zhuǎn)換模式，這兩位設置如表 。 BIP RNG 輸入范圍（ v） 0 0 0~5 0 1 0~10 1 0 +5 1 1 +10 表 BIP 設置 4） A2， A1， A0：用于選擇多路輸入、輸出的地址，如表 A2 A1 A0 CH0 CH1 CH2 CH3 CH4 CH5 CH6 CH7 0 0 0 √ 0 0 1 √ 0 1 0 √ 0 1 1 √ 1 0 0 √ 1 0 1 √ 1 1 0 √ 1 1 1 √ 表 多輸入多輸出設置 在單極性方式下，輸出數(shù)據(jù)格式為二進制數(shù)；在雙極性方式下，其格式為補碼形式的二進制數(shù)，在讀輸出數(shù)據(jù)時， CS 和 RD 必須為低電平。器件輸出的數(shù)據(jù)一共是 12 位，當 HBEN為低電平時，讀低 8位；當 HBEN為高電平時，讀取較高的 4個 MSB位，輸出數(shù)據(jù)的 D4~D7位。 數(shù)據(jù)的讀取格式如表 。 第三章 各芯片的概述 12 數(shù)據(jù)位 HBEN=0 HBEN=1 D0 B0(LSB) B8 D1 B1 B9 D2 B2 B10 D3 B3 B11(MSB) D4 B4 B11 D5 B5 B11 D6 B6 B11 D7 B7 B11 表 數(shù)據(jù)讀取格式 LCD12864 的概述 HS1286415芯片 HS1286415芯片是 LCD12864實際產(chǎn)品中的一種，本文通過該芯片來介紹 LCD12864。 HS1286415系列中文圖形液晶模塊的特性主要由其控制器 ST7920決定。 ST7920 同時作為控制器和驅(qū)動器，它可提供 33 路 輸出和 64 路 seg 輸出。 在驅(qū)動器 ST7921 的配合下，最多可以驅(qū)動 256 32 點陣液晶。 1） HS1286415 系列產(chǎn)品硬件特性如下： 提供 8 位， 4 位并行接口及串行接口可選 并行接口適配 M6800 時序 自動電源啟動復位功能 內(nèi)部自建振蕩源 64 16 位字符顯示 RAM（ DDRAM 最多 16 字符 4 行， LCD 顯示范圍 16 2 行） 2M 位中文字型 ROM（ CGROM） ， 總共提供 8192 個中文字 型 （ 16 16 點陣） 16K 位半寬字型 ROM(HCGROM)， 總共提供 126 個西文字 型 （ 16 8 點陣） 64 16 位字符產(chǎn)生 RAM（ CGRAM） 2） HS1286415 系列產(chǎn)品軟件特性如下： 文字與圖形混合顯示功能 畫 面 清 除 功 能 南昌工程學院本科畢業(yè)設計（論文） 13 名稱 引腳 型態(tài) 功能描述 并口 串口 VCC 2 I 模塊電源輸入（未注明為 5V） GND 1 I 電源地 V0 3 I 對比度調(diào)節(jié)端 VEE 18 I 液晶驅(qū)動電壓輸出端 (或名 Vout) PSB 15 I 并口 /串口選擇： H 并口 。 L 串口 * RST 17 I 復位信號，低有效 RS(CS) 4 I 寄存器選擇端： H 數(shù)據(jù) 。 L 指令 片選，低有效 R/W(SID) 5 I 讀 /寫選擇端： H 讀 。 L 寫 串行數(shù)據(jù)線 E(SCLK) 6 I 使能信號 串行時鐘輸入 DB0DB3 710 I/O 數(shù)據(jù)總線低四位 空接 DB4DB7 1114 I/O 數(shù)據(jù)總線高四位， 4 位并口時空接 空接 LEDA 20 I 背光正（或名 A、 BLA） LEDK 19 I 背光負 (或名 K、 BLK) 光 標 歸 位 功 能 顯示開 /關功能 光標顯示 /隱藏功能 顯示字體閃爍功能 光標移位功能功能 顯示移位功能 垂直畫面旋轉(zhuǎn)功能 反白顯示功能 休眠模式 HS1286415 系列產(chǎn)品 的引腳功能 HS1286415 系列產(chǎn)品的引腳功能如下表所示 : 表 HS1286415 系列產(chǎn)品的引腳功能 HS1286415 系列產(chǎn)品的原理 原理簡圖 。 第三章 各芯片的概述 14 圖 HS1286415 系列產(chǎn)品的原理 ST7920內(nèi)部硬說明 1）中文字型產(chǎn)生 ROM（ CGROM）及半寬字型 ROM(HCGROM) ST7920 的字型產(chǎn)生 ROM 通過 8192 個 16 16 點陣的中文字型，以及 126 個 16 8 點陣的西文字符 ， 它用 2 個字節(jié)來提供編碼選擇，將要顯示的字符的編碼 寫到 DDRAM 上 ， 硬件將依照編碼自動從 CGROM 中選擇將要顯示的字型顯示再屏幕上。 2）字型發(fā)生 RAM(CGRAM) ST7920 的字型產(chǎn)生 RAM 提供用戶自定義字符生成（造字）功能，可提供 4 組 1616 點陣的空間，用戶可以將 CGROM 中沒有的字符定義到 CGRAM 中。 3）顯示 RAM(DDRAM) 顯示 RAM 提供 64 2 字節(jié)的空間 ， 最多可以控制 4 行 16 字的中文字型顯示。 當寫入顯示資料 RAM 時，可以分別顯示 CGROM， HCGROM 及 CGRAM 的字型。 三種字型的選擇： 1) 顯示半寬字型 將一個字節(jié)的編碼寫入 DDRAM 中，范圍是 02～ 7FH 2) 顯示 CGRAM 字型 將 2 個字節(jié)的編碼寫入 DDRAM 中，共有 0000H， 0002H,0004H 及 0006H 四種編碼 3) 顯示中文字型 將 2 字節(jié)的編碼寫入 DDRAM 中 ， 先寫高 8 位 ， 后寫低 8 位范圍是 A140H～ D75FH(BIG5),A1A0H～ F7FFH(GB) 4） 繪圖 RAM 提供 64 32 個字節(jié)的空間（由擴充指令設定繪圖 RAM 地址），最多可以控制 25664 點陣的二維繪 圖緩沖空間，在更改繪圖 RAM 是，由擴充指令設置 GDRAM 地址先垂直地址后水平地址（連續(xù) 2 個字節(jié)的數(shù)據(jù)來定義垂直和水平地址），再 2 個字節(jié)的數(shù)據(jù)給繪圖 RAM（先高 8 位后低 8 位）。南昌工程學院本科畢業(yè)（論文） 15 圖 RAM 圖 5） DDRAM 內(nèi)容、 CGRAM 地址以及 CGRAM 內(nèi)容的對照關系 DDRAM 內(nèi)容、 CGRAM 地址以及 CGRAM 內(nèi)容的對照關系如表 。 表 DDRAM 內(nèi)容、 CGRAM 地址以及 CGRAM 內(nèi)容的對照關系 第三章 各芯片的概述 16 6） CGRAM 與中文字型的編碼只能出現(xiàn)在 adress counter 的起始位置（見下表） 表 CGRAM 與中文字型的編碼 7） 16 8 半寬字型表 表 16 8 半寬字型表 南昌工程學院本科畢業(yè)設計（論文） 17 時序 1） 8 位并口寫操作時序圖 圖 8 位并口寫操作時序圖 2） 8 位并口讀操作時序圖 圖 8 位并口讀操作時序圖 3） 4 位并口時序圖圖 圖 4 位并口時序圖圖 第三章 各芯片的概述 18 4） 4位串口時序圖 圖 4位串口時序圖 5）外部復位時序圖 圖 外部復位時序圖 指令說明 1）指令表 1（ RE=0,基本指令集） 指 令 名 控制信號 控 制 代 碼 執(zhí)行 時間 RS R/W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 清除顯示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 ms 地址歸 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 X 72us 進入設定點 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 72us 顯示開關設置 0 0 0 0 0 0 1 D C B 72us 移位控制 0 0 0 0 0 1 S/C R/L X X 72us 南昌工程學院本科畢業(yè)設計（論文） 19 2）指令表 2（ RE=1,擴充指令集） 指 令 名 稱 控制信號 控制代 碼 執(zhí)行 時間 RS R/W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 待命模式 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 72us 卷動地址或 RAM 地址選擇 0 0 0 0 0 0 0 0 1 SR 72us 反白顯示 0 0 0 0 0 0 0 1 R1 R0 72us 睡眠模式 0 0 0 0 0 0 1 SL X X 72us 擴充功能設定 0 0 0 0 1 DL X 1/RE G 0 72us 設定繪圖 RAM 地址 0 0 1 0 0 0 A3 A2 A1 A0 72us A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 備注：當 ST7920 在接受指令前， MCU 必須先確認 ST7920 處于非忙狀態(tài)。即讀取 BF＝ 0，才 能接受新的指