基于gmi效應的高斯計的實現(xiàn)(編輯修改稿)
2025-02-12 13:45 本頁面
【文章內容簡介】 工作過程是首先由激勵電路產生頻率1MHz、電壓5 V的方波信號，信號經(jīng)過敏感元器件后產生感生電壓，感生電壓將隨著外加磁場的變化而變化，跟隨器再將變化的信號放大，放大的信號進入峰值采樣電路以模擬信號的形式輸出，模擬信號經(jīng)A／D轉換后以數(shù)字信號形式輸出，輸出的信號經(jīng)過軟件處理后最終由LCD顯示出來。主要實驗設備有HP33120信號發(fā)生器、泰克MS~104示波器、H~420直流電源、亥姆霍茲線圈、數(shù)控繞線機和點焊機等。1．1 敏感元器件圖2是敏感探頭的制作示意圖，它的具體制作方法如下：用數(shù)控繞線機將漆包線均勻的繞在非晶絲上，然后將非晶絲的兩端焊接在電路板上。漆包線的兩端經(jīng)過點焊機處理后，也焊在電路板上，如圖2所示。圖3為漆包線匝數(shù)與輸出信號的關系，從圖中可以看出，輸出信號隨著外加磁場的增大而逐漸增大到峰值，在達到峰值之后，輸出信號隨外磁場的增加而減小 。1．2 激勵信號電路圖4為741506芯片組成的激勵信號電路示意圖。如圖所示，反相器74L~6芯片的輸出端是OC開路，需要加一個上拉電阻才能使得芯片處在工作狀態(tài)。輸出的信號通過電阻R7控制其電流，使非晶絲的GMI效應達到比較理想的效果。電路中電阻R7與芯片串聯(lián)起來，這樣既達到了省電的目的，又實現(xiàn)了對信號控制能力的要求。反向器的輸出方波信號以并聯(lián)的形式輸入到非晶絲，這樣的設計方案有利于增強電路對電流承載能力以及非晶絲GMI效應的實現(xiàn)。1．3 信號的提取電路圖5為信號的提取電路示意圖。信號的提取電路實際上包含跟隨器和峰值采集信號電路兩部分 。跟隨器中的電容c2和C5取值為0．1 F，它們主要起的是交流耦合作用。三極管Q9013的壓降在2．1 V左右，它的作用是放大輸入電流信號。經(jīng)過跟隨器后，前端電路和后端電路即可達到阻抗匹配。在整個信號的采樣電路中，電路的設計有兩個特點。第一個特點是開關二極管IN4148的采用。與傳統(tǒng)的采樣電路設計相比，本電路使用了兩個二極管。而傳統(tǒng)的采集電路只
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1