pdp控制電源的設(shè)計分析(編輯修改稿)
2025-02-12 05:30 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 要，PDP電源必須滿足各個組織的EMI測試要求，根據(jù)阻抗匹配采用了如圖3所示拓撲結(jié)構(gòu)的EMI濾波器，經(jīng)過參數(shù)優(yōu)化和PCB優(yōu)化，其傳導(dǎo)輻射通過了CLASS B標準，有源功率因數(shù)校正電路采用了UC3854作為主控芯片，功率因數(shù)達到99%，待機電源采用PI公司的專用待機電源芯片構(gòu)成單端反激變換器。圖3 交流輸入濾波電路拓撲 輔助電源 輔助電源采用UC3844組成單端反激變換器，電壓分別為一組5V/、5V/，一路12V/，一路12V/，5V主控。 地址驅(qū)動電源Va和屏驅(qū)動電源Vs 此兩路電源功率都比較大而且受控，因此采用兩路相同結(jié)構(gòu)的獨立雙管雙正激變換器。我們以地址驅(qū)動電源Va為例進行設(shè)計，該路功率為120W，輸出55～65Vdc(可控)，自動設(shè)置，Va=55+5Vra，Vra為參考電壓，在0～2V之間，由PDP提供。當(dāng)Vra為2V時，對應(yīng)Va的輸出為65V。其控制電路采用SG3525芯片，把Vra電壓經(jīng)過分壓和濾波處理后加到SG3525的1腳上對輸出電壓控制。主拓撲采用雙管雙正激變換器，特點是器件應(yīng)力小，不存在剩磁問題，電路簡單，避免直通問題，圖4為雙管雙正激變換器的原理電路。圖4 雙管雙正激變換器的原理電路 在圖4中，PFCout為功率因數(shù)校正的輸出，為400V。每路正激變換器由兩只MOSFET構(gòu)成，這種雙管正激可降低開關(guān)管耐壓要求。與單正激變換器相比，雙正激變換器在使輸出功率增大的同時還帶來如下好處:①輸出濾波電感工作頻率為兩倍開關(guān)頻率，這使得其大小相對減小。②變壓器原副邊變比為單正激的兩倍，可選用低耐壓的輸出整流二極管。實際使用的開關(guān)頻率為80kHz，開關(guān)管驅(qū)動采用脈
高考資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1