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正文內(nèi)容

邵小平相控陣教學(xué)ppt課件(編輯修改稿)

2025-02-11 14:53 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 矩陣和環(huán)陣。見(jiàn)下圖 7圖 19 LOGO 掃查方式 通過(guò)以上不同的晶片陣列以及探傷儀的時(shí)序激發(fā),可獲得不同的掃描方式如圖 11a、 b、 c,從而達(dá)到不同被檢物和缺陷的檢測(cè)要求。 LOGO 掃差原理說(shuō)明 通過(guò)激活晶片組的時(shí)間多路技術(shù)使超聲波束沿著陣列軸向移動(dòng),這樣不用移動(dòng)探頭,就能對(duì)試件某個(gè)范圍進(jìn)行掃查實(shí)施檢測(cè)。當(dāng)然掃查范圍受探頭中晶片數(shù)量和采集系統(tǒng)中“通道”數(shù)量的限制。 一維線性陣列 通常用于目前市面上的便攜式儀器。晶片的激發(fā)與兩維矩陣相比相對(duì)簡(jiǎn)單。兩維矩陣探頭則可在三維空間內(nèi)進(jìn)行聚焦和控制超聲波束。這就需要計(jì)算機(jī)較強(qiáng)的數(shù)據(jù)處理能力和非常復(fù)雜的聚焦法則計(jì)算器。 LOGO 扇形掃查 圖 11( b)扇形掃查通過(guò)激發(fā)同一組晶片,但采用丌同的聚焦法則獲得的。對(duì) 比圖 圖 4我們可以很清楚的了解到常規(guī) A型超聲波檢測(cè)對(duì)于同樣一條焊縫的檢 測(cè),探頭要來(lái)回在檢測(cè)面上移動(dòng),對(duì)于厚板焊縫檢測(cè),則需要更換幾個(gè)探頭,才能達(dá)到檢測(cè)的要求,檢測(cè)速度慢,勞動(dòng)強(qiáng)度高。而相控陣檢測(cè)則可經(jīng)過(guò)預(yù)先設(shè)計(jì),用一個(gè)探頭(多組晶片),通過(guò)扇形掃查,只要沿著焊縫長(zhǎng)度方向掃查即可。 聚焦掃差 相控陣聚焦的優(yōu)點(diǎn) ? 圖 11( c)是通過(guò)激發(fā)環(huán)形陣列晶片而獲得的在工件深度范圍內(nèi)進(jìn)行的波束聚焦。兩維環(huán)扇形陣列由多個(gè)相等尺寸的晶片構(gòu)成,這些晶片可以單獨(dú)激發(fā)以便于在三維空間內(nèi)控制聚焦 ,聚集可在各個(gè)不同的深度。 ? 圖 13是使用常規(guī) A超聚焦探頭,產(chǎn)生聚焦區(qū)的情況,探頭只能產(chǎn)生一個(gè)最佳聚焦深度。由于超聲波束在傳播過(guò)程中由聲束擴(kuò)散所產(chǎn)生的擴(kuò)散衰減、在傳播過(guò)程中遇到不同聲阻抗的介質(zhì)所組成的界面上的散射衰減、以及為克服在傳遞時(shí)介質(zhì)質(zhì)點(diǎn)間的粘滯力而造成的吸收衰
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