工程物探電阻率法ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-08 11:27 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ABOABMrhhrrjj?在 AB的中垂線上深度為 h 的 M點(diǎn)處的電流密度為： （ ） () 電流密度 隨深度的 規(guī)律變化 單個(gè)電極供電 AB電極供電 第四節(jié) 電阻率法的儀器、設(shè)備簡(jiǎn)介 一、對(duì)電測(cè)儀器的一般要求 1，靈敏度高； 2，抗干擾能力強(qiáng)； 3，較高的穩(wěn)定性。 直接讀數(shù)法測(cè)量的缺點(diǎn)分析： 這種方法的測(cè)量精度受到接地電阻（電極與大地之間的 接觸電阻）和儀表內(nèi)阻的影響，誤差較大。 以測(cè)量電位差為例，如圖所示，回路中的電流強(qiáng)度為 ： 直讀法的誤差分析 VdMNVNMMNRRURRRUi???????VdVMNVV RRRUiRU?????式中 Rd 稱為總接地電阻。電壓表的實(shí)際讀數(shù)為： VddVdVMNVMNRRRRRRUUU????????? 1其讀數(shù)相對(duì)誤差為： 結(jié)論：直接讀數(shù)法測(cè)量的精度（誤差）受接地電阻的影響， 接地電阻越小，精度越高；反之，則越低。 由此可以看出增大儀器內(nèi)阻可以降低相對(duì)測(cè)量誤差。 補(bǔ)償法測(cè)量的基本原理： 補(bǔ)償法測(cè)量是人為提供一可知的補(bǔ)償電位差 ?UK，使之 與待測(cè)電位差 ?UMN 相等，當(dāng) ?UK與 ?UMN大小相等方 向相反時(shí)，它們之間達(dá)到平衡。將出現(xiàn)平衡狀態(tài)時(shí)的 ?UK 記錄下來，它就等于被測(cè)電位差 ?UMN 。在補(bǔ)償電路與 被測(cè)電路達(dá)到平衡時(shí)，輸入電路無電流通過，所以補(bǔ)償 法測(cè)量的輸入阻抗較高（相當(dāng)于儀器內(nèi)阻很高），測(cè)量 結(jié)果受電極接地電阻影響較小。 三、電子自動(dòng)補(bǔ)償儀的工作原理 四、電阻率法的主要裝備 第六章 電剖面法 一、 電剖面法的基本特點(diǎn) （ 1）采用固定的電極距，電極裝置沿剖面同步移動(dòng) （ 2）觀測(cè)在一定深度范圍內(nèi)視電阻率沿剖面走向的變化； （ 3）研究地電斷面橫向電性的變化 二、常采用的電極排列形式 三、剖面法適合解決的地質(zhì)問題 探測(cè)產(chǎn)狀陡立的高、低阻體，如劃分不同巖性的接觸帶、追索斷層及構(gòu)造破碎帶等 電剖面法常 用的電極排 列簡(jiǎn)圖 （ a）聯(lián)合剖 面法； （ b）對(duì)稱四 極法； （ c）復(fù)合對(duì) 稱四極法； （ d）中間梯 度法； （ e）偶極剖 面法 第一節(jié) 聯(lián)合剖面法 聯(lián)合剖面法的裝置、原理及基本特點(diǎn)介紹 聯(lián)合剖面法電 極裝置示意圖 視電阻率計(jì)算公式為： IUK MNBsAs??? ??K為裝置系數(shù)： MNBMBNMNANAMK ???? ?? 22一、兩種巖石直立接觸面上 聯(lián)合剖面視電阻率曲線 1，兩種巖石直立接觸面的點(diǎn)電源場(chǎng) 鏡像法示意圖 鏡像法原理介紹 顯然，當(dāng)實(shí)、虛電源與考 察點(diǎn)的距離按右圖所示設(shè) 定時(shí)，考察點(diǎn) M M2的 電位表達(dá)式可寫成： ??????????222211111222rIUrIrIU??????（ ） 利用電場(chǎng)分布的唯一性定理， 按邊界條件求出虛源強(qiáng)度； 利用界面上電位連續(xù)和電流密度法線分量連續(xù)的邊界條件，并考慮在分界面上 r =r1 = r2 ，則有： ???????221121)( IIIIII??解此方程可得 ??????IKIIKI)1( 122121121212 ???????K 為反射系數(shù) 121 K?為透射系數(shù) ???????????)1(2)1(22122211211rKIUrKrIU????將求出的 I1與 I2 代入（ ）式 得到考察點(diǎn) M M2點(diǎn)處的電位表達(dá)式： （ ） 此為任意考察點(diǎn)電位的定解。 面上的 聯(lián)合剖面視電阻率曲線 先分析三極排列 AMN位于界面不 同位置時(shí)的 線的變化規(guī)律。 設(shè) ，利用公式 As?0,21 ?? MN且?? MNoMNs jj ?? ?對(duì)視電阻率的變化作定性分析。 （ 1）三極排列 AMN在界面左側(cè)并遠(yuǎn)離界面時(shí)； （ 2）三極排列 AMN向右移動(dòng)并逐漸接近直立界面時(shí)； 直 立 接 觸 面 上 聯(lián) 合 剖 面 法 視 電 阻 率 曲 線 1 （ 3）當(dāng) MN跨越界面時(shí)， ， 由于 21 ??? 變?yōu)橛蒑N)()( 右左 AMNAMN jj ?曲線過界面時(shí)產(chǎn)生躍變故 AS??? ,21 ?,39。39。39。 ASAS ?? 降至由239。39。139。????????AoAMNASAoAMNASjjjj故 1239。39。39。???? ?ASAS（ 4）當(dāng) A與 MN
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