基本放大電路ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-08 09:50 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 rr ???? ?IE的范圍 : ~ 5mA 圖 2－ 11 二、用 H參數(shù)等效電路分析共射極放大電路 + +12V 4k? RL Cb2 + ? 20?F ? Cb1 20?F Rc 4k? Rb 300k? vi v0 VCC b c e 1 1? 2 2? 圖 2－ 12(a) 步驟： 1. 畫(huà)微變等效電路 ? 畫(huà)三極管的微變等效電路，標(biāo)出 e, b, c； ? 按電壓源短路 、 隔直電容短路的原則畫(huà)其他元件； ? 用相量標(biāo)出各電壓 、 電流 (測(cè)試時(shí)常用正弦波作輸入信號(hào) ) 圖 2－ 12(b) 2 2? RL Rc + – 0V?cI?Rb 1 1? bI?+ iV?– b c e ? rbe bI??2. 求電壓放大倍數(shù) beLbebLCCi0V)//(rRrIRRIVVA ?????? ??????負(fù)號(hào)說(shuō)明 iVV ??與0 反相 LCL // RRR ??3. 計(jì)算輸入電阻和輸出電阻 ? 輸入電阻和輸出電阻的概念 ~ + – 1 1? iV?+ – Rs Ri sV?iI?Ri a. 對(duì)信號(hào)源而言 ， 放大器為它的負(fù)載 ， 這個(gè)負(fù)載即放大器的輸入電阻 Ri (從 1139。 看進(jìn)去的等效電阻 ) 圖 2－ 13 它是衡量放大器對(duì)信號(hào)源衰減程度的重要指標(biāo) isisi RRRVV????一定，ss , RV? Ri越大，衰減越小， 越大iV?b. 對(duì)負(fù)載而言 ， 放大器可等效為一個(gè)內(nèi)阻為 Ro, 大小為 的電壓源 ， 這個(gè) Ro即放大器的輸出電阻 ( 為輸出空載電壓 ) oV??oV??~ + – 1 1? iV?+ – Rs Ri sV?iI?Ri ~ RL + – Ro oV??2 2? oV?+ – oI?Ro 圖 2－ 13 R0越小，在 R0上損失的電壓越小。 它是衡量放大器帶負(fù)載能力的重要指標(biāo) L0L00 RRRVV??? ??相差越小，帶負(fù)載能力越強(qiáng)， o oV V? ? ?和當(dāng) R0 =0, 則 oo VV ?? ??c. 求 Ri、 R0 用外施電壓法 ? 利用 H參數(shù)等效電路計(jì)算共射電路的 Ri, Ro a. 求 Ri 圖 2－ 14 beibiibRbiiiirVRVVIIVIVR ????????????bebebi // rrRR ???~ ? + – RL iV?+ – Rs rbe sV?oV?+ – oI?iI?Ri Rb b bI?bI??e c Rc iR?b. 求 R0 圖 2－ 15 C0 RIVR ????~ ? + – Rs rbe 0s ?V? V?+ – I?Rb b 0b ?I?0b ?I??e c Rc cI?RcI?~ Ro oR?例 2－ 2 T為 3DG6， 已知工作點(diǎn)處的 ? = 40 (1) 求 VA?(2) 若 Rs= 500?, 求源電壓放大倍數(shù) s0vs VVA??? ?+ +12V 4k? RL ? Rc 4k? Rb 300k? +VCC ~ + – Rs sV?oV?+ – iV?T 解： (1) ARVI ?40bCCB ??EBC ImAII ??? ?求 rbe: Ebbbe26)1(Irr ???? ?題目未告知 rbb‘， 小功率管約取 200? ??????? 92beLi0v ?????? rRVVA ???:vA?求(2) 求 Ri: Ri=rbe= isisiiosos ??????? RRRAVVVVVVAVV ????????由于信號(hào)源內(nèi)阻 Rs的存在 ， 輸入信號(hào)在 Rs上損失了一部分 ， 使 ， 從而使放大倍數(shù)下降 。 si VV ?? ?:sVA?求 167。 放大器的工作點(diǎn)穩(wěn)定問(wèn)題 一、溫度對(duì)工作點(diǎn)的影響 三個(gè)因素 : 1. ICBO: T ?， 電子空穴對(duì) ?， ICBO? ， ICEO? 2. VBE: T? ， 載流子運(yùn)動(dòng)加快 ， PN結(jié)的阻檔減弱 ，正向結(jié)電阻 ? VBE?. VBE具有負(fù)溫系數(shù) –?C 總之 ， 由于三個(gè)因素的影響 ， T?, IC ?, Q點(diǎn)上移 ，硅管受 VBE， ? 影響大 ， 鍺管受 ICB0影響大 。 解決辦法： ? 保持溫度不變； ? 采取技術(shù)措施，減小溫度影響，以穩(wěn)定 Q點(diǎn)。 3. ?: T? ， 注入到基區(qū)載流子運(yùn)動(dòng)加快 ， 復(fù)合少 ，擴(kuò)散多 ， ? ? 結(jié)溫每升高 1℃ ， ?增加 % ~ 1% RL Cb2 Cb1 Rc Rb1 +VCC IB+ IC I1 IC IB b c e vi vo + – + – 圖 2－ 17 二、射極偏置電路 穩(wěn)定 Q點(diǎn) 的過(guò)程 T? IC? IE? IERe? VE? 選擇參數(shù)使 I1 IB, VB一定， VBE? IB? IC?. Rb2 Re 電路中電量取值： 硅： VB=(3~5)V 鍺： VB= (1~3)V 硅： I1=(5~10) IB 鍺： I1=(10~20) IB 例 2－ 3 已知 ?， 估算射極偏置電路的 Q點(diǎn) ， 并計(jì)算 0iV , RRA?解： (1) 求 Q點(diǎn) b2b1b2CCB RRRVV?? eBEBECRVVII ???)( eCCCCCE RRIVV ????CBII ?(2) 畫(huà)微變等效電路 圖 2－ 18 ? + – RL iV?rbe oV?+ – cI?iI?Rb2 b bI?bI??e c Rc Rb Rb1 Re (3) 求 VA?i0V VVA????Lb0 RIV ??? ?? ?ebbebebebi )1( RIrIRIrIV e ????? ???????ebeLebebLbV )1(])1([ RrRRrIRIA???????????????????(4) 求 Ri, R0 ebebii )1( RrIVR ???
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