【文章內(nèi)容簡介】 βr1(rUI????????????????]eSbececeCo R)Rrrβ(1/ / [ rRR ??????下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 交流通路 RB RC ui uO RL + + RS eS + ib ic B C E ii 二、動態(tài)分析圖解法 cLce iRu ???是一條斜率為 LR?? 1且通過 Q點(diǎn)的直線 稱為交流負(fù)載線 CL RR ???所以交流負(fù)載線比直流負(fù)載更陡 當(dāng) 時，交直流負(fù)載重合 ??LR下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 動態(tài)分析圖解法 Q uCE/V t t iB/?A IB t iC/mA IC iB/?A uBE/V t uBE/V UBE UCE iC/mA uCE/V O O O O O O Q ic Q1 Q2 ib ui uo RL=? 由 uo和 ui的峰值（或峰峰值）之比可得放大電路的電壓放大倍數(shù)。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 動態(tài)分析圖解法 電壓放大倍數(shù)將減小。 Q uCE/V t t iB/?A IB t iC/mA IC iB/?A uBE/V t uBE/V UBE UCE iC/mA uCE/V O O O O O O Q ic ib ui uo RL 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 非線性失真 如果 Q設(shè)置不合適，晶體管進(jìn)入截止區(qū)或飽和區(qū)工作，將造成非線性失真。 若 Q設(shè)置過高， 動畫 晶體管進(jìn)入飽和區(qū)工作，造成飽和失真。 Q2 uo 適當(dāng)減小基極電流可消除失真。 UCE Q uCE/V t t iC/mA IC iC/mA uCE/V O O O Q1 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 非線性失真 若 Q設(shè)置過低， 動畫 晶體管進(jìn)入截止區(qū)工作，造成截止失真。 適當(dāng)增加基極電流可消除失真。 ui uo t iB/?A iB/?A uBE/V t uBE/V UBE O O O Q Q uCE/V t iC/mA uCE/V O O UCE 如果 Q設(shè)置合適，信號幅值過大也可產(chǎn)生失真，減小信號幅值 可消除失真。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定 合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)是保證放大電路正常工作的先決條件。但是放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)常因外界條件的變化而發(fā)生變動。 前述的固定偏置放大電路，簡單、容易調(diào)整，但在溫度變化、三極管老化、電源電壓波動等外部因素的影響下，將引起靜態(tài)工作點(diǎn)的變動，嚴(yán)重時將使放大電路不能正常工作，其中影響最大的是溫度的變化。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 溫度變化對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 在固定偏置放大電路中， 當(dāng)溫度升高時， UBE?、 ? ? 、 ICBO ?。 上式表明，當(dāng) UCC和 RB一定時， IC與 UBE、 ? 以及 ICEO 有關(guān) ，而這三個參數(shù)隨溫度而變化。 C B OBBECCC E OBC)1( IβRUUβIIβI??????溫度升高時， IC將增加，使 Q點(diǎn)沿負(fù)載線上移。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 iC uCE Q 溫度升高時，輸出特性曲線上移 Q180。 固定偏置電路的工作點(diǎn) Q點(diǎn)是不穩(wěn)定的，為此需要改進(jìn)偏置電路。當(dāng)溫度升高使 IC 增加時，能夠自動減少 IB，從而抑制 Q點(diǎn)的變化，保持 Q點(diǎn)基本穩(wěn)定。 結(jié)論： 當(dāng)溫度升高時， IC將增加，使 Q點(diǎn)沿負(fù)載線上移，容易使晶體管 T進(jìn)入飽和區(qū)造成飽和失真，甚至引起過熱燒壞三極管。 O 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 分壓式偏置電路 1. 穩(wěn)定 Q點(diǎn)的原理 B2 II ??若滿足： 基極電位基本恒定，不隨溫度變化。 2B2B RIV ?2B1BCC21 RRUII???CC2B1B2BB URRRV??VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 分壓式偏置電路 1. 穩(wěn)定 Q點(diǎn)的原理 VB EBEBEC RUVII ???BEB UV ??若滿足：EBEBEBEC RVRUVII???? 集電極電流基本恒定，不隨溫度變化。 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 從 Q點(diǎn) 穩(wěn)定的角度來看似乎 I VB越大越好。 但 I2 越大， RB RB2必須取得較小，將增加損耗，降低輸入電阻。 而 VB過高必使 VE也增高，在 UCC一定時，勢必使 UCE減小，從而減小放大電路輸出電壓的動態(tài)范圍。 在估算時一般選?。? I2= (5 ~10) IB， VB= (5 ~10) UBE， RB RB2的阻值一般為幾十千歐。 參數(shù)的選擇 VE VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 Q點(diǎn)穩(wěn)定的過程 VE VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – T UBE IB IC VE IC VB 固定 RE： 溫度補(bǔ)償電阻 對直流： RE越大 ,穩(wěn)定 Q點(diǎn) 效果越好； 對交流： RE越大 ,交流損失越大 ,為避免交流損失加旁路電容 CE。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 2. 靜態(tài)工作點(diǎn)的計算 CC2B1B2B URRRV B??EBEBEC RUVII ??? CBβII ?EECCCCCE RIRIUU ???估算法 : VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 3. 動態(tài)分析 對交流： 旁路電容 CE 將 RE 短路 ， RE不起作用 ， Au， ri， ro與固定偏置電路相同 。 如果去掉 CE ， Au， ri， ro ？ 旁路電容 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + + + +UCC ui uo + + – – RS eS + – 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + + + +UCC ui uo + + – – RS eS + – 去掉 CE后的 微變等效電路 2B1BB // RRR ?短路 對地 短路 如果去掉 CE ， Au， ri， ro ? rbe RB RC RL E B C + + + RS iU?iI? bI? cI?oU?bIβ?SE?eI?RE BRI?下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 無旁路電容 CE 有旁路電容 CE EbeL) 1( RβrRβAu ?????Au減小 beLrRβAu???? ?EbeB2B1i )1( Rβ//R//Rr r ???Co Rr ?beBi r//Rr ?Co Rr ?分壓式偏置電路 ri 提高 ro不變 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ？即： ??Sos EUAu ??對信號源電壓的放大倍數(shù)？ 信號源 考慮信號源內(nèi)阻 RS 時 iSibeLs rRrrRβAu ?????所以Sos EUAu ???SiioEUUU??????SiEUAu ????iSiSirRrEU????irRB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + + + +UCC ui uo + + – – RS eS + – 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 例 1: 在圖示放大電路中，已知 UCC=12V, RC= 6kΩ, RE1= 300Ω， RE2= ， RB1= 60kΩ， RB2= 20kΩ RL= 6kΩ ，晶體管 β =50， UBE=, 試求 : (1) 靜態(tài)工作點(diǎn) IB、 IC 及 UCE； (2) 畫出微變等效電路； (3) 輸入電阻 ri、 ro及 Au。 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE1 RL + + + +UCC ui uo + + – – RE2 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 解 : (1)由直流通路求靜態(tài)工作點(diǎn)。 V3V122060 20CCB2B1B2B ?????? URRRV mA3EBEBEC??????RUVII Aμ16 ??? βII)( 1E1EECCCCCE?????????? RRIRIUU直流通路 RB1 RC RB2 RE1 +UCC RE2 + – UCE IE IB IC VB 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 (2) 由微變等效電路求 Au、 ri 、 ro。 k Ω6Co ?? Rrk 2651200I26) 1(200Ebe ??????? ?rΩk 15// 2B1BB ?? RRR其中? ?EbeBi ) 1(// RβrRr ???k ?EbeL) 1( RβrRβAu ???????微變等效電路 rbe RB RC RL E B C + + + RS iU?iI? bI? cI?oU?bIβ?SE?eI?RE BRI?下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 放大電路的頻率特性 在前面的分析中，設(shè)輸入信號是單一頻率的正弦波，但實(shí)際上，放大器的輸入信號通常是非正弦的，由于耦合電容、發(fā)射極旁路電容及三極管的結(jié)電容等的存在，它們的容抗隨頻率變化，故當(dāng)信號頻率不同時，放大電路的輸出電壓相對于輸入電壓的幅值和相位都將發(fā)生變化。 頻率特性 幅頻特性： 電壓放大倍數(shù)的模 |Au|與頻率 f 的關(guān)系 相頻特性： 輸出電壓相對于輸入電壓的 相位移 ? 與頻率 f 的關(guān)系 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 通頻帶 f |Au | | Auo | fL fH | Auo | 幅頻特性 下限截止頻率 上限截止頻率 耦合、旁路電容造成。 三極管結(jié)電容、 ? 造成 f –270176。 –180176。 –90176