極管的結(jié)構(gòu)及工作原理(編輯修改稿)
2025-02-01 15:09 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 (b) 解 ： 工作在放大區(qū)的 NPN型晶體管應(yīng)滿足 VCVB VE ， PNP型晶體管應(yīng)滿足VCVB VE，因此分析時(shí) ,先找出三電極的 最高或最低電位 ，確定為集電極 ,而電位差為 導(dǎo)通電壓 的就是發(fā)射極和基極。根據(jù)發(fā)射極和基極的 電位差值判斷 管子的材質(zhì)。 電子技術(shù)基礎(chǔ) 主編 吳利斌 唐東自動(dòng)化教研室 （ 1） 在圖（ a）中， 3與 2的電壓為 ，可確定為硅管，因?yàn)?V1V3 V2,，所以 1為集電極， 2為發(fā)射極， 3為基極，滿足 VCVB VE,的關(guān)系，管子為 NPN型。 （ 2）在圖（ b）中， 1與 2的電壓為 ，可確定為鍺管，又因 V3V2 V1,，所以 3為集電極， 1為發(fā)射極， 2為基極，滿足VCVB VE的關(guān)系，管子為 PNP型。 2 3 2 1 T1 3 1 T1 (a) (b) V1 = +10V， V2= 0V， V3= + V1 = +0V， V2 = ， V3= 5V 電子技術(shù)基礎(chǔ) 主編 吳利斌 唐東自動(dòng)化教研室 例 2圖所示的電路中，晶體管均為硅管 ,β =30，試分析各晶體管的工作狀態(tài)。 解 : （ 1）因?yàn)榛鶚O偏置電源 +6V大于管子的導(dǎo)通電壓，故管子的發(fā)射結(jié)正偏，管子導(dǎo)通 ,基極電流： +10V 1K IC +6V 5K IB +10V 1K IC 2V 5K IB +10V 1K IC +2V 5K IB (a) (b) (c) 電子技術(shù)基礎(chǔ) 主編 吳利斌 唐東自動(dòng)化教研室 所以飽和因?yàn)榕R界飽和電流：,II11055CSCC E SCSBCB??????????????VIIII?11055C E SCSBCB?????????????VIIII臨界飽和電流：?（ 2）因?yàn)榛鶚O偏置電源 2V小于管子的導(dǎo)通電壓，管子的發(fā)射結(jié)反偏，管子截止，所以管子工作在截止區(qū)。 (3)因?yàn)榛鶚O偏置電源 +2V大于管子的導(dǎo)通電壓，故管子的發(fā)射結(jié)正偏 ,管子導(dǎo)通基極電流 :： 所以管子工作在放大區(qū)此時(shí)有： ,II CSC ? +10V 1K IC +6V 5K IB +10V 1K IC 2V 5K IB +10V 1K IC +2V 5K IB (a) (b) (c) +10V 1K IC +6V 5K IB +10V 1K IC 2V 5K IB +10V 1K IC +2V 5K IB (a) (b) (c) 電子技術(shù)基礎(chǔ) 主編 吳利斌 唐東自動(dòng)化教研室 三極管的主要參數(shù) BCII???? ① 集電極最大允許電流 ICM CMIUCE / V IC /mA 0 IB=0 4 3 2 1 ② 反向擊穿電壓 U(BR)CEO c e b UCC U(BR ) CEO 基極開路 指基極開路時(shí)集電極與發(fā)射極間的反向擊穿電 壓。 使用中若超過此值 ,晶體管的集電結(jié)就會(huì)出現(xiàn) 擊穿 。 Β 值的大小反映了晶體管的電流放大能力。 ICICM時(shí)，晶體管不一定燒損，但 β值明顯下降。 ③ 集電極最大允許功耗 PCM CMP晶體管上的功耗超過 PCM，管子將損壞。 安 全 區(qū) 電子技術(shù)基礎(chǔ) 主編 吳利斌 唐東自動(dòng)化教研室 ? 集電極 發(fā)射極反向飽和電流 ICEO（穿透電流） 指基極開路時(shí)， 集電極與發(fā)射極 之間加一定反向電壓時(shí)的集電極 電流。該值越小越好。 . 集電極反向飽和電流 ICBO,是少數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)的結(jié)果，其值越小越好。 電子技術(shù)基礎(chǔ) 主編 吳利斌 唐東自動(dòng)化教研室 ? 見書的 27頁 電子技術(shù)基礎(chǔ) 主編 吳利斌 唐東自動(dòng)化教研室 晶體管的發(fā)射極和集電極是不能互換使用的。因?yàn)榘l(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜質(zhì)濃度差別較大，如果把兩個(gè)極互換使用，則嚴(yán)重影響晶體管的電流放大能力，甚至造成放大能力喪失。 晶體管的發(fā)射極 和集電極能否互 換使用？為什么 ? 晶體管在輸出特性曲線的飽和區(qū)工作時(shí)， UCEUBE，集電結(jié)也處于正偏，這時(shí)內(nèi)電場(chǎng)被大大削弱，因此極不利于集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)到達(dá)集電結(jié)邊緣的電子，這種情況下，集電極電流 IC與基極電流 IB不再是 β倍的關(guān)系 ，因此，晶體管的電流放大能力大大下降。 晶體管在輸出特性曲線的飽和區(qū)工作時(shí)，其電流放大系數(shù)是否也等于 β ？ 為什么晶體管基區(qū)摻雜質(zhì)濃度小？而且還要做得很??？ 學(xué)習(xí)與討論 為了使發(fā)射區(qū)擴(kuò)散電子的絕大多數(shù)無法在基區(qū)和空穴復(fù)合，由于基區(qū)摻雜深度很低且很薄，因此只能有極小一部分?jǐn)U散電子與基區(qū)空穴相復(fù)合形成基極電流，剩余大部分?jǐn)U散電子繼續(xù)向集電結(jié)擴(kuò)散，由于集成電結(jié)反偏，這些集結(jié)到集電結(jié)邊緣的自由電子被集電極收集后形成集電極電流。 電子技術(shù)基礎(chǔ) 主編 吳利斌 唐東自動(dòng)化教研室 用萬用表測(cè)試二極管好壞及極性的方法 用萬用表歐姆檔檢查二極管
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