實驗2四探針法測量半導體電阻率和薄層電阻(編輯修改稿)
2025-01-19 13:57 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 周圍為絕緣介質(zhì)包圍。 另一種情況是極薄樣品，極薄樣品是指樣品厚度 d比探針間距小很多，而橫 向尺寸為無窮大的樣品，這時從探針 1流入和從探針 4流出的電流，其等位面近似 為圓柱面高為 d。 任一等位面的半徑設為ｒ，類似于上面對半無窮大樣品的推導，很容易得 出當 r12=r23=r34=S時，極薄樣品的電阻率為： 上式說明，對于極薄樣品，在等間距探針情況下、探針間距和測量結果無關， 電阻率和被測樣品的厚度 d成正比。 實驗原理 School of Microelectronics Xidian University 說明：樣品為片狀單晶，四探針針尖所連成的直線與樣品一個邊界垂直， 探針與該邊界的最近距離為 L，除樣品厚度及該邊界外，其余周界為無窮遠，樣 品周圍為絕緣介質(zhì)包圍。同樣需要注意的是當片狀樣品不滿足極薄樣品的條件 時，仍需按上式計算電阻率 P。 實驗原理 極薄樣品，等間距探針情況 School of Microelectronics Xidian University ☆ 擴散層的薄層電阻 半導體工藝中普遍采用四探針法測量擴散層的薄層電阻，由于反向 PN 結的隔 離作用，擴散層下的襯底可視為絕緣層，對于擴散層厚度 (即結深 Xj)遠小于探針 間距 S，而橫向尺寸無限大的樣品，則薄層電阻率為： 實驗原理 極薄樣品，等間距探針情況 School of Microelectronics Xidian University 說明：樣品為片狀單晶，除樣品厚度外，樣品尺寸相對探針間距為無窮大，四 探針垂直于樣品表面測試，或垂直于樣品側面測試 。 實際工作中，我們直接測量擴散層的薄層電阻，又稱方塊電阻，其定義就是 表面為正方形的半導體薄層，在電流方向所呈現(xiàn)的電阻，見下圖。 所以 ： 因此有 : 實驗原理 School of Microelectronics Xidian University 實際的擴散片尺寸一般不很大，并且實際的擴散片又有單面擴散與雙面擴散之 分， 因此，需要進行修正，修正后的公式為： 實驗原理 不很大樣品修正情況 School of Microelec
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