有機化合物的結構分析-核磁共振基礎nmr基礎(編輯修改稿)
2025-01-04 09:58 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 振條件 各種核的共振條件不同，如在 tesla的磁場中，各種核的共振頻率 (MHz)為： 1H 。 13C 19F 。 31P 對于 1H 核，不同的頻率對應的磁場強度： 射頻 (MHz) 磁場強度 (tesla) 40 60 100 200 300 500 Bionanotextile 產(chǎn)生共振的方法：頻率掃描 也稱掃頻，固定磁場強度，改變射頻頻率 Bionanotextile 產(chǎn)生共振的方法：磁場掃描 固定射頻頻率，改變磁場強度，目前多用 聚四氟乙烯樣品的共振曲線 水樣品的共振曲線 Bionanotextile 磁場掃描過程中的 共振吸收圖 Bionanotextile 核磁共振基本概念 ? 核的自旋 馳豫 : 由激發(fā)態(tài)恢復到平衡態(tài)的過程 ? 兩種類型：自旋 晶格馳豫和自旋 自旋馳豫 ? 自旋 晶格馳豫 (縱向馳豫 )：核與環(huán)境進行能量交換。體系能量降低而逐漸趨于平衡。速率 1/T1， T1為自旋 晶格馳豫時間 ? 自旋 自旋馳豫 (橫向馳豫 )：自旋體系內(nèi)部核與核之間能量平均及消散。體系總能量不變，速率 1/T2(自旋 自旋馳豫時間 ) ? 馳豫時間與譜線寬度的關系：反比 ? 飽和 : 當受到適當頻率的射頻場照射時，原子核吸收能量，由+1/2態(tài)躍遷到 1/2態(tài)，使 nL減少而 nh增加， 吸收漸弱 。當 nL = nh時，吸收和輻射能量相等，不再有凈吸收，高能級的核不能回到低能級，核磁共振信號消失，該體系就處于飽和狀態(tài) Bionanotextile 屏蔽效應：化學位移的根源 ?屏蔽效應 : 外旋電子在磁場作用下發(fā)生環(huán)繞運動，產(chǎn)生方向與外加磁場相反的感應磁場，使原子核的實受磁場降低 ?B核 = B0(1 ?) ?B核 表示氫核實際所受磁場， ? 為屏蔽常數(shù) ?分類：順磁屏蔽和抗磁屏蔽 Bionanotextile 化學位移的表示 某一質(zhì)子吸收峰的位置與對照吸收峰位置之間的差值稱為該質(zhì)子的化學位移 6 6 6 61 0 1 0 1 0 1 0BBBBB??????????? ? ? ? ? ? ? ?標準 樣品 標準 樣品標準 標準 標準 標準采用四甲基硅 (TMS)為標準，規(guī)定 ? = 0 pppm Bionanotextile 低場和高場 高場 低場 相同頻率 化學位移不同 化學位移相同 頻率不同 根 據(jù) 磁 場 不 同 根 據(jù) 定 義 相 同 Bionanotextile 低場和高場 高場 低場 Bionanotextile 自旋偶
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