【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalsofAnalogElectronic第四章晶體三極管及其基本放大電路第四章晶體三極管及其基本放大電路§晶體三極管§放大電路的組成原則§放大電路的分析方法§晶體管放大電路的三種接法§放大電路的頻率響應(yīng)
2025-02-21 21:33
【總結(jié)】單級(jí)小信號(hào)放大——介紹基本放大電路的原理、直流/交流分析方法以及頻率響應(yīng)概念1、單級(jí)共射放大電路T為NPN型雙級(jí)型晶體管,UBB、UCC、RB和RL為T提供直流偏置,使T的發(fā)射結(jié)正偏、集電極反偏,保證T工作在放大區(qū)。US為待放大的交流小信號(hào)電壓。輸入回
2025-07-18 14:15
【總結(jié)】2.1概述2.2晶體管高頻等效電路2.3諧振放大器2.4寬頻帶放大器2.5集中選頻放大器2.6電噪聲2.7集成高頻放大電路的選用與實(shí)例介紹2.8章末小結(jié)第2章高頻小信號(hào)放大電路返回主目錄第2章高頻小信號(hào)放大電路
2025-01-20 13:23
【總結(jié)】第3章場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)?分類和結(jié)構(gòu):?結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JFET?絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管IGFETNPPN結(jié)耗盡層N溝道G門極D漏極S源極P
2025-01-20 03:28
【總結(jié)】緩變基區(qū)晶體管:基區(qū)摻雜近似為指數(shù)分布,少子在基區(qū)主要作漂移運(yùn)動(dòng),又稱為漂移晶體管緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)本節(jié)以NPN管為例,結(jié)電壓為VBE與VBC。PN+N0xjcxjeNE(x)NB(x)NCx0xjcxje本節(jié)求基區(qū)輸運(yùn)
2025-05-13 04:23
【總結(jié)】模擬電子學(xué)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)晶體管放大器的仿真實(shí)驗(yàn)步驟(一)電路原理圖輸入1、啟動(dòng)OrCAD/Capture?選擇“開始”→“程序”→“OrCAD”→“Capture”,以進(jìn)入Capture的工作環(huán)境2、創(chuàng)建新項(xiàng)目?執(zhí)行File/New/Project命令?在Name框中鍵入欲建立項(xiàng)目的名稱(如:Amp
2025-02-06 11:27
【總結(jié)】微電子器件原理第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【總結(jié)】1第1章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用1-1半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)導(dǎo)體(Conductor)半導(dǎo)體(Semiconductor)絕緣體(Insulator)物質(zhì)半導(dǎo)體的特性:1.導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間;2.導(dǎo)電能力隨溫度、光照或摻入某些雜質(zhì)而發(fā)生顯著變化。本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體2第1章
2025-05-15 06:22
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論云南大學(xué)信息學(xué)院電子工程系梁竹關(guān)第一部分理論課第一章緒言1.1集成電路的發(fā)展1.2集成電路分類1.3集成電路設(shè)計(jì)第二章MOS晶體管2.1MOS晶體管結(jié)構(gòu)2.2MOS晶體管工作原理2.3MOS晶體管的電流電壓關(guān)系
2025-05-05 18:16
【總結(jié)】1微電子器件與IC設(shè)計(jì)第3章雙極晶體管BipolarJunctionTransistorBJT2第3章雙極型晶體管?結(jié)構(gòu)?放大原理?電流增益?特性參數(shù)?直流伏安特性?開關(guān)特性?小結(jié)3晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布
2025-05-04 22:02
【總結(jié)】CompanyLogo第3章雙極結(jié)型晶體管廖付友阮雄飛CompanyLogo2雙極結(jié)型晶體管的基本工作原理Contents1理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸2埃伯斯-莫爾方程3緩變基區(qū)晶體管45雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)和制造工藝CompanyLogo3雙極結(jié)型晶體管
2025-05-05 08:19
【總結(jié)】晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)VLSIC是高度復(fù)雜的集成系統(tǒng),為保證設(shè)計(jì)的正確性并且降低設(shè)計(jì)難度,提高設(shè)計(jì)效率,避免由于在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中采用復(fù)雜結(jié)構(gòu)而引入不可靠因素,因此,在VLSI的設(shè)計(jì)技術(shù)中大量地采用規(guī)則結(jié)構(gòu),晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)就是其中之一。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體管對(duì)。晶體管陣列及其邏輯
【總結(jié)】晶體管開關(guān)特性二極管的開關(guān)特性三極管的開關(guān)特性加速電容的作用晶體管開關(guān)特性在脈沖電路中,二極管和三極管通常作為“開關(guān)”使用。二極管的開關(guān)特性一、二極管的開關(guān)作用IDI,0VVVVIR????1.正向偏置時(shí),
2024-11-21 02:22
【總結(jié)】信息工程學(xué)院1第2章小信號(hào)諧振放大器信息工程學(xué)院2本章基本要求?掌握:小信號(hào)諧振放大器的電路組成、原理及分析方法;?熟悉放大器的噪聲系數(shù)、高頻集成放大器的特點(diǎn)。信息工程學(xué)院3概述在無(wú)線通信過(guò)程中,通信信道數(shù)多,所占頻段范圍較寬,工作頻率也較高(從幾百kHz到幾百M(fèi)Hz,
2025-05-15 10:35
【總結(jié)】EXIT小信號(hào)諧振放大器高頻電子線路小信號(hào)諧振放大器以諧振回路為選頻網(wǎng)絡(luò)的高頻小信號(hào)放大器稱為小信號(hào)諧振放大器或小信號(hào)調(diào)諧放大器。構(gòu)成:小信號(hào)放大器+LC諧振回路作用:選出有用頻率信號(hào)并加以放大,而對(duì)無(wú)用頻率信號(hào)
2025-05-03 22:08