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正文內(nèi)容

23結(jié)晶crystallization(編輯修改稿)

2024-11-05 10:45 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 分,即:表面過剩吉布斯自由能 ( ΔGs)和體積過剩吉布斯自由能 ( ΔGv) ? 晶核的形成必須滿足: ΔG= ΔGs+ ΔGv0 通常 ΔGs0, 阻礙晶核形成 ; ΔGv0 臨界半徑與成核功 ? 假定晶核形狀為球形,半徑為 r, 則ΔGv=4/3(πr3 ΔGv); 若以 σ代表液固界面的表面張力,則 ΔGs= σ ΔA=4 πr2 σ; ? 因此,在恒溫、恒壓條件下,形成一個(gè)半徑為 r 的晶核,其總吉布斯自由能的變化為 : ΔG=4 πr2(σ+(r/3) ΔGv) ΔGv— 形成單位體積晶體的吉布斯自由能變化 臨界半徑( rc) ? 臨界晶核半徑是指 ΔG為最大值時(shí)的晶核半徑; ? rrc 時(shí), ΔGs占優(yōu)勢(shì) , 故ΔG0, 晶核不能自動(dòng)形成 ; ? rrc 時(shí), ΔGv占優(yōu)勢(shì) , 故ΔG0, 晶核可以自動(dòng)形成,并可以穩(wěn)定生長; 過飽和度 臨界晶體半徑 rrc 晶體自動(dòng)溶解 r> rc晶體自動(dòng)生長 臨界成核功( ΔG max) ? ΔG max相當(dāng)于形成臨界大小晶核時(shí),外界需消耗的功。 sGG ??? 31m a x臨界成核功僅相當(dāng)于形成臨界半徑晶核時(shí)表面吉布斯自由能的1/3, 亦即形成晶核時(shí)增加的 ΔG s中有 2/3為 ΔG v的降低所抵消. 晶核的成核速度 ?定義:單位時(shí)間內(nèi)在單位體積溶液中生成新核的數(shù)目。 ?是決定結(jié)晶產(chǎn)品粒度分布的首要?jiǎng)恿W(xué)因素; ?成核速度大:導(dǎo)致細(xì)小晶體生成 ?因此,需要避免過量晶核的產(chǎn)生 成核速度的近似公式 RTGkeB /m a x???B— 成核速度 ΔGmax— 成核時(shí)臨界吉布斯自由能 K— 常數(shù) nn cckB )(???Kn— 晶核形成速度常數(shù) c— 溶液中溶質(zhì)的濃度 C*— 飽和溶液中溶質(zhì)的濃度 n— 成核過程中的動(dòng)力學(xué)指數(shù) 常用的工業(yè)起晶方法 ?自然起晶法 :溶劑蒸發(fā)進(jìn)入不穩(wěn)定區(qū)形成晶核、當(dāng)產(chǎn)生一定量的晶種后,加入稀溶液使溶液濃度降至亞穩(wěn)定區(qū),新的晶種不再產(chǎn)生,溶質(zhì)在晶種表面生長。 ?刺激起晶法 :將溶液蒸發(fā)至亞穩(wěn)定區(qū)后,冷卻,進(jìn)入不穩(wěn)定區(qū),形成一定量的晶核,此時(shí)溶液的濃度會(huì)有所降低,進(jìn)入并穩(wěn)定在亞穩(wěn)定的養(yǎng)晶區(qū)使晶體生長。 ?晶種起晶法
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