mc過程對帶冕薄盤輻射譜的影響(編輯修改稿)
2024-11-04 20:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ?? n引入冕帶來的問題與假設(shè) C、盤物質(zhì)的電離狀態(tài) A、有序大尺度磁場與紊亂的小尺度磁場共存 B、 Poynting能流的耗散 二、計算過程及結(jié)果 （ i）抽取種子光子； （ ii）抽取其自由程并判斷是否會逃離系統(tǒng)； （ iii）根據(jù)微分散射截面抽取散射光子的方向，并計算散射光子的能量； （ iv）重復(fù)（ ii）、（ iii）直至光子逃逸盤冕系統(tǒng)或被吸收。若逃逸則記錄光子能量 。 （ v）重復(fù)（ i） （ iv）直至統(tǒng)計足夠的光子數(shù)。 Monte Carlo模擬過程 模擬結(jié)果 6* 0. 99 8 , 3 , 10a n B G au ss? ? ?1 , 60 k e VccT? ??MC過程存在與不
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