門電路補充內(nèi)容(編輯修改稿)
2024-11-03 08:42 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 現(xiàn)代電路設(shè)計正朝著純 CMOS技術(shù)的方向演進(jìn)，而 CMOS器件具有很高的輸入阻抗，因此直流負(fù)載效應(yīng)常?？梢院雎圆挥? ? CMOS輸入端、封裝和內(nèi)部連線具有相當(dāng)大的電容 ? 電容充放電時間是構(gòu)成電路 /器件時延的主要因素之一 CMOS轉(zhuǎn)換時間分析 ? 影響轉(zhuǎn)換時間的因素 – 晶體管的導(dǎo)通電阻 – 驅(qū)動的輸入端的電容 ? 寄生電容的來源 – 輸出電路， 210pF – 輸出和其它輸入的連線電容， 1pF/英寸或更多 – 輸入電路， 215pF 轉(zhuǎn)換時間分析的 等效電路 CMOS轉(zhuǎn)換時間分析 —下降時間 129/( )/( 10 0 10 0 10 )/( 10
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1