ch03mem工藝03其他工藝(編輯修改稿)
2025-06-20 12:21 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 方法 制備 SiO2的方法很多，其中最主要的有熱氧化法，化學氣相淀積，熱分解淀積法，濺射法，等離子氧化法等，在集成電路工藝中最常用的方法為熱氧化和化學氣相淀積兩種。 熱氧化形成的二氧化硅質量最好，而且具有很高的重復性和化學穩(wěn)定性，是現(xiàn)代集成電路制備中重要的基礎工藝之一。 二氧化硅的熱氧化設備 a)氧化初始階段 b)氧化層的形成 c）氧化層的生長 由顏色來確定氧化層厚度 １ .干氧氧化：是指在氧化過程中，直接通入氧氣進行氧化的方法。采用這種方法制備的氧化層結構致密，均勻性和重復性好，對雜質擴散的掩蔽能力強，鈍化效果好，與光刻膠的附著性好等優(yōu)點：它的缺點是氧化速率慢，氧化溫度高。 ２．水蒸汽氧化：是指硅片與高溫水蒸汽發(fā)生反應的氧化方法。采用這種方法制備的氧化層結構疏松，缺陷較多，含水量大，掩蔽能力較差，其優(yōu)點是氧化速率高。在現(xiàn)代集成電路工藝中已經(jīng)很少使用這種方法。 ３濕氧氧化：在該方法中，氧氣首先通過盛有９５ ℃ 左右去離子水的石英瓶，將水汽一起帶入氧化爐內(nèi)，再在高溫下與硅反應。這時，與硅反應的氧化劑同時包括氧氣和水汽。與干氧氧化的 SiO2膜相比，濕氧氧化的 SiO2膜質量略差，但遠好于水蒸氣氧化的效果，而且生長速度較快，其缺點是與光刻膠的附著性不是很好。 干氧，濕氧，水蒸氣以及干濕干氧化等工藝裝置 ４．氫
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