星形mpcvd裝置上制備類金剛石薄膜的研究(編輯修改稿)
2025-06-20 11:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 波源分為兩組固定在五菱柱形銅質(zhì)諧振腔的五個(gè)側(cè)面上，其相對(duì)位置如下圖所示，每組中的 5個(gè)微波源分布在同一平面上，有利于實(shí)現(xiàn)諧振腔中的微波電磁場(chǎng)的耦合，使得反應(yīng)腔體內(nèi)的等離子體分布更加均勻。 星形 MPCVD裝置主腔體部分的模擬圖片 P=5kPa P= P 星形 MPCVD裝置在不同反應(yīng)氣壓下的放電模擬 裝置介紹 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 該星形微波等離子體化學(xué)氣相沉積裝置具有如下特點(diǎn)： 1. 該裝置有多個(gè)微波源同時(shí)工作，反應(yīng)腔體大，等離子體放電區(qū)域大，可以實(shí)現(xiàn)類金剛石薄膜的一次多片沉積，使類金剛石薄膜的大批量生產(chǎn)成為可能； 2. 由于是多個(gè)微波源同時(shí)向腔體內(nèi)輸入微波，在該裝置上可以獲得較低溫度的等離子體，可以實(shí)現(xiàn)類金剛石薄膜的低溫沉積。 鑒于這些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，可以預(yù)見，該裝置是實(shí)現(xiàn)類金剛石薄膜產(chǎn)業(yè)化的理想裝置。 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 類金剛石薄膜的沉積研究 類金剛石薄膜在硅片上的沉積 在硅片上進(jìn)行了類金剛石薄膜的沉積研究，通過采用兩種不同的基片預(yù)處理方法，在硅片表面得到了光滑平整的類金剛石薄膜，采用各種不同的標(biāo)準(zhǔn)手段對(duì)類金剛石薄膜的質(zhì)量進(jìn)行了表征。 采用金剛石研磨膏研磨預(yù)處理后 在硅片上沉積的 DLC薄膜的 SEM圖片 采用金剛石粉進(jìn)行超聲研磨預(yù)處理后 在硅片上沉積的 DLC薄膜的 SEM圖片 湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 在硅片上沉積得
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