太陽能電池工藝簡介(編輯修改稿)
2025-06-20 01:29 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 出舟。 升溫； 擴(kuò)散裝置示意圖 12 擴(kuò)散 工藝控制參數(shù)： 時間、溫度、氣體流量。 工藝控制標(biāo)準(zhǔn)： 薄層方阻和外觀 異常類型： 薄層方阻超出規(guī)定范圍、硅片顏色異常等。 設(shè)備： 國產(chǎn)設(shè)備如四十八所、捷加創(chuàng)、七星等；國外設(shè)備有 Tempress、 CT等 13 刻蝕原理： 由于在擴(kuò)散過程中，即使采用硅片的背對背擴(kuò)散，硅片的所有表面（包括正反面和邊緣）都將不可避免地擴(kuò)散上磷。 PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到 PN結(jié)的背面，而造成短路，因此需要將該短路通道去除。 刻蝕方法： 干法刻蝕： 等離子刻蝕、激光刻蝕； 濕法刻蝕： RENA刻蝕、 Schmid刻蝕。 、刻蝕 14 濕法刻蝕 化學(xué)藥品： HNO HF、 H2SO4和 NaOH。 反應(yīng)式 ： Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 濕法刻蝕 用 CF4和 O2來刻蝕擴(kuò)散后的硅片，其刻蝕原理如下： CF4 = CFx* + (4x) F* (x≤3) Si + 4 F* = SiF4 ↑ SiO2 + 4 F* = SiF4 + O2↑ 等離子刻蝕 15 濕法刻蝕 工藝控制參數(shù)： 溶液配比、刻蝕槽溫度、設(shè)備帶速等 工藝控制標(biāo)準(zhǔn)： 硅片減薄重量、薄層方阻變化量和硅片外觀 異常類型： 硅片減薄重量超出規(guī)定范圍、硅片顏色異常等。
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