cdma內(nèi)環(huán)功控和調(diào)試(編輯修改稿)
2025-06-18 08:20 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 V_WCDMA_R1_FALL_I NV_WCDMA_R2_RISE_I NV_WCDMA_R2_FALL_I NV_WCDMA_R3_RISE_I NV_WCDMA_R3_FALL_I 用以下公式可以計算出切換點具體功率值： m_fPASwitchPointRise[0] = (float)(wRiseFall*+)。平臺不一樣，計算公式稍有區(qū)別。比如 :228代表 4dbm，依次類推 高通平臺內(nèi)環(huán)功控調(diào)試 一般射頻的方案 PA分為低、中、高功率等級，切換點分別在 0、 12dbm處。 高通平臺內(nèi)環(huán)功控調(diào)試 然后查看 CMU200測試過程的數(shù)據(jù)值，找到理想切換點附近的位置。 高通平臺內(nèi)環(huán)功控調(diào)試 ? 以目前手上的單板為例，當 ? NV_WCDMA_R1_FALL_I = // 相當于 ? NV_WCDMA_R1_RISE_I = 213。 // 相當于 ? NV_WCDMA_R2_FALL_I = 268。 // 相當于 8dbm ? NV_WCDMA_R2_RISE_I = 298。 //相當于 11dbm ? NV_WCDMA_R3_FALL_I = 511。 ? NV_WCDMA_R3_RISE_I = 511。 高通平臺內(nèi)環(huán)功控調(diào)試 ? 因為手機 PA增益狀態(tài)的改變和 PDM跳躍時間上的響應， 導致實際切換點與理想計算切換點后偏差 高通平臺內(nèi)環(huán)功控調(diào)試 ? 因此從圖中可以看出功率上升過程中，實際切換時機提前了，從低到中增益實際切換點在 ，從中到高增益實際切換點在 。 ? 當配置 NV_PA_COMPENSATE_UP_I = 8； NV_PA_COMPENSATE_UP_R2_I = 8 NV_PA_COMPENSATE_UP_R3_I = 8 ? 8/10 = ， + = ， + = ， 因此可以看出， 在兩個上升切換點處功率確實上漲到預期功率，并導致內(nèi)環(huán)功控惡化。 高通平臺內(nèi)環(huán)功控調(diào)試 PA補償作為內(nèi)環(huán)功控調(diào)試最簡單的一種方法，它可以調(diào)整實際切換點跟前、后兩個功率點的距離，以達到內(nèi)環(huán)功控滿足要求的目的。 高通平臺內(nèi)環(huán)功控調(diào)試 當功率下降時， PA切換點補償調(diào)試方法同理 高通平臺內(nèi)環(huán)功控調(diào)試
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