系列單片機(jī)教程共15章第2章(編輯修改稿)
2025-06-18 02:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 址的末位是 0H或 8H。 下面介紹 SFR塊中的某些寄存器。 表 22 SFR的名稱及其分布 1．堆棧指針 SP 指示堆棧頂部在內(nèi)部 RAM塊中的位置 復(fù)位后， SP中的內(nèi)容為 07H。 （ 1）保護(hù)斷點(diǎn) （ 2）現(xiàn)場保護(hù) 堆棧 向上生長 2. 數(shù)據(jù)指針 DPTR 高位字節(jié)寄存器用 DPH表示，低位字節(jié)寄存器用DPL表示。 3. I/O端口 P0～ P3 P0～ P3分別為 I/O端口 P0～ P3的鎖存器。 B 為執(zhí)行 乘法 和 除法 操作設(shè)置的 。 在不執(zhí)行乘、除的情況下，可當(dāng)作一個普通寄存器來使用。 SBUF 存放欲發(fā)送或已接收的數(shù)據(jù)，一個字節(jié)地址，物理上是由 兩個獨(dú)立的寄存器 組成：發(fā)送緩沖器，接收緩沖器。 /計數(shù)器 兩個 16位 定時器 /計數(shù)器 T1和 T0， 各由兩個獨(dú)立的 8位寄存器組成 ： TH TL TH0、 TL0， 只能字節(jié)尋址 ， 但不能把 T1或 T0當(dāng)作一個 16位寄存器來尋址訪問 。 位地址空間 211個（ 128個 +83個）尋址位 。位地址范圍為：00H～ FFH。 內(nèi)部 RAM的可尋址位 128個 (字節(jié)地址 20H～ 2FH)見 表 23（ P24） 。 特殊功能寄存器 SFR為 83個 可尋址位，見 表 24（ P24） 。 表 23 內(nèi)部 RAM的可尋址位及位地址 表 24 SFR中的位地址分布 外部數(shù)據(jù)存儲器 最多可 外擴(kuò) 64K字節(jié) 的 RAM或 I/O 。 使用各類存儲器，注意幾點(diǎn)： (1) 地址的重疊性 程序存儲器（ ROM）與數(shù)據(jù)存儲器（ RAM）全部 64K字節(jié)地址空間重疊 )。 (2)程序存儲器（ ROM）與數(shù)據(jù)存儲器（ RAM）在使用上是嚴(yán)格區(qū)分的 。 (3)位地址空間共有 兩個區(qū)域 。 (4)片外數(shù)據(jù)存儲區(qū)中， RAM與 I/O端口統(tǒng)一編址。 所有外圍 I/O端口的地址均占用 RAM單元地址，使用與訪問外部數(shù)據(jù)存儲器相同的傳送指令。 圖 26為各類存儲器在存儲器空間的位置的總結(jié)。 并行 I/O端口 4個 雙向的 8位并行 I/O端口 (Port) ，記作 P0～ P3 屬于特殊功能寄存器，還可位尋址。 P0端口 P0口某一位的電路包括： (1) 一個數(shù)據(jù)輸出鎖存器 ， 用于數(shù)據(jù)位的鎖存 (2) 兩個三態(tài)的數(shù)據(jù)輸入緩沖器 。 (3) 一個多路轉(zhuǎn)接開關(guān) MUX， 使 P0口可作 通用 I/O口 ，或 地址 /數(shù)據(jù)線口 。 (4) 數(shù)據(jù)輸出的驅(qū)動和控制電路 ， 由兩只場效應(yīng)管（ FET） 組成 ， 上面的場效應(yīng)管構(gòu)成上拉電路 。 P0口傳送地址或數(shù)據(jù) 時 ， CPU發(fā)出控制信號為 高電平 ，打開上面的與門 ， 使 多路轉(zhuǎn)接開關(guān) MUX打向上邊 ， 使內(nèi)部地址 /數(shù)據(jù)線與下面的場效應(yīng)管處于反相接通 狀態(tài) 。 此時由于上下兩個 FET處于反相 ， 形成 推拉式 電路結(jié)構(gòu) ， 大大提高負(fù)載能力 。 P0口作通用的 I/O口使用 。 這時 ， CPU發(fā)來的 “ 控制 ”信號為 低電平 ， 上拉場效應(yīng)管截止 ， 多路轉(zhuǎn)接開關(guān)MUX打向下邊 ， 與 D鎖存器的 Q*端接通 。 （ 1） P0作輸出口使用 來自 CPU的 “ 寫入 ” 脈沖加在 D鎖存器的 CP端 ， 內(nèi)部總線上的數(shù)據(jù)寫入 D鎖存器 ， 并向端口引腳 。 注意： 由于輸出電路是漏極開路 （ 因為這時上拉場效 應(yīng)管截止 ） ， 必須外接上拉電阻才能有高電平輸出 。 （ 2） P0作輸入口使用 區(qū)分 “ 讀引腳 ” 和 “ 讀鎖存器 ” 。 “ 讀引腳 ” 信號把下方緩沖器打開 ， 引腳上的狀態(tài)經(jīng)緩沖器讀入內(nèi)部總
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