微電子技術(shù)發(fā)展趨勢(編輯修改稿)
2025-06-18 02:13 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ? 與 IC加工精度提高的同時，加工的硅圓片的尺寸卻在不斷增大，生產(chǎn)硅片的批量也不斷提高。以上這些導(dǎo)致了微電子產(chǎn)品發(fā)展的一種奇妙景觀 。在集成度一代代提高的同時，芯片的性能、功能不斷增強(qiáng)，而價格卻不斷下跌。這一現(xiàn)象的深遠(yuǎn)意義在于，隨著微電子芯片技術(shù)的快速發(fā)展， 一切微電子產(chǎn)品（計算機(jī)、 通信及消費類電子產(chǎn)品等） 也加速更新?lián)Q代； 硅圓片 ? 不僅新一代產(chǎn)品性能、功能大大超過前一代，而且價格的越來越便宜又為電子信息技術(shù)的不斷推進(jìn)機(jī)器迅速推廣應(yīng)用到各個領(lǐng)域創(chuàng)造了條件，導(dǎo)致了人類信息化社會的到來。由于集成電路柵長度的減小和集成度的增大，因此必須發(fā)展相應(yīng)的制造技術(shù)，即光刻技術(shù)、氧化和擴(kuò)散技術(shù)、多層布線技術(shù)和電容器材料 技術(shù)。 光刻技術(shù) ? 利用波長 436nm光線，形成亞微米尺寸圖形，制造出集成度 1M位和 4M位的 DRAM。 i射線（波長 365nm）曝光設(shè)備問世后，可形成半微米尺寸和深亞微米尺寸的圖形，制造出 16M位和 64M位的 DRAM。 ? 目前，采用 KrF準(zhǔn)分子激光器的光刻設(shè)備已經(jīng)投入實用，可以形成四分之一微米尺寸的圖形，制造出 64M位 DRAM。采用波長更短的 ArF激光器的光刻設(shè)備也已經(jīng)投入實用。當(dāng)然，為了實
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