厚薄膜材料與器件第一章緒論(編輯修改稿)
2025-06-17 17:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 h = ? exp(Eb/kT) 薄膜生長初期的島 薄膜的薄膜形貌 Au/TiO2 薄膜晶體生長與溫度的關(guān)系 薄膜形貌與生長條件的關(guān)系 Vanode= V Vanode= V Morphologies of Au/Au(001) films at various incident energy 入射能量： 小 大 薄膜生長與入射能量的關(guān)系 入射原子動能的變化 0 .01 .02 .03 .04 .00 .0 1 .0 2 .0 3 .0 4 .0 5 .0tim e (ps )kinetic energy (eV)1 .0 e V0 . 01 . 02 . 03 . 00 . 0 1 . 0 2 . 0 3 . 0 4 . 0 5 . 0t im e ( p s )kinetic energy (eV)0 . 1 e V0 .03 .06 .09 .01 2 .01 5 .00 .0 1 .0 2 .0 3 .0 4 .0 5 .0ti m e ( ps)kinetic energy (eV)1 0 .0 e VEvolution of kiic Energy of an incident Au atom during deposition 不同入射能量下基片溫度的變化 020040060080010000. 0 1. 0 2. 0 3. 0 4. 0 5. 0t im e (p s )temperature
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1