光刻技術(shù)及發(fā)展前景講解(編輯修改稿)
2025-06-16 01:35 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 （ Standing Wave Effect) 烘烤不足（ Underbake） 減弱光刻膠的強(qiáng)度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）；降低針孔填充能力（ Gapfill Capability for the needle hole）； 降低與基底的黏附能力。烘烤過(guò)度（ Overbake） 引起光刻膠的流動(dòng)，使圖形精度降低，分辨率變差。 圖形檢測(cè) Pattern Inspection ： 重疊和錯(cuò)位，掩膜旋轉(zhuǎn)，圓片旋轉(zhuǎn)， X方向錯(cuò)位，Y方向錯(cuò)位 ： 劃痕、針孔、瑕疵和污染物 臨界尺寸 Critical Dimension 集成電路工藝所采用的光刻技術(shù) ? 主流光刻技術(shù) : 248nm DUV技術(shù) （ KrF準(zhǔn)分子激光） 特征尺寸 193nm DUV技術(shù) （ ArF準(zhǔn)分子激光） 90nm特征尺寸 193nm 沉浸式技術(shù) （ ArF準(zhǔn)分子激光） 65nm特征 尺寸 ? 新一代的替代光刻技術(shù) : 157nm F2 EUV光刻 紫外線光刻 電子束 投影光刻 X射線光刻 離子束光刻 納米 印制光刻 當(dāng) 22nm工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)臨之時(shí)，又將要會(huì)采用什么樣的光刻工藝呢？ 為什么 22nm節(jié)點(diǎn)之后光刻就這么難？ 由上圖可知 高頻光的能量較高，低頻光的能量較低 ，在 工藝尺寸一再減小 的基礎(chǔ)上， 可見(jiàn)光 已經(jīng)不能很好的完成光刻工作了！ 聽(tīng)聽(tīng)來(lái)自工業(yè)界的聲音！ 2021年國(guó)際固態(tài)電路 會(huì)議 (ISSCC2021)上， IBM, 臺(tái)積電 等 廠商均表示將繼續(xù)在22/20nm節(jié)點(diǎn)制程應(yīng)用平面結(jié)構(gòu)的體硅晶體管 工藝 ， 光刻技術(shù)方面， 22/20nm節(jié)點(diǎn)主要幾家芯片廠商也將繼續(xù)使用 基于 193nm液浸式光刻系統(tǒng) 的 雙重成像（ double patterning）技術(shù) 。 不過(guò)固態(tài)電路協(xié)會(huì) 的另外 一位重要成員 Intel則繼續(xù)保持 沉默。
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