可控硅基礎(chǔ)知識講座(編輯修改稿)
2025-06-15 14:39 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 IL 雙向可控硅等效結(jié)構(gòu) 雙向可控硅觸發(fā)模式 雙向可控硅觸發(fā)命名 雙向可控硅平面和縱向結(jié)構(gòu) KGT1 G 銅芯線電流估算 雙向可控硅 IV曲線 雙向可控硅優(yōu)缺點 優(yōu)點： 雙向可控硅可以用門極和 T1 間的正向或負向電流觸發(fā)。因而能在四個“象限”觸發(fā) 缺點： 1. 高 IGT 需要高峰值 IG。 2. 由 IG 觸發(fā)到負載電流開始流動，兩者之間遲后時間較長 – 要求 IG 維持較長時間。 3. 低得多的 dIT/dt 承受能力 — 若控制負載具有高 dI/dt 值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發(fā)生強烈退化。 4. 高 IL 值（ 1工況亦如此） —對于很小的負載，若在電源半周起始點導通，可能需要較長時間的 IG，才能讓負載電流達到較高的 IL。 雙向可控硅誤導通 （ a）電子噪聲引發(fā)門極信號 在電子噪聲充斥的環(huán)境中，若干擾電壓超過 VGT，并有足夠的門極電流，就會發(fā)生假觸發(fā)，導致雙向可控硅切換。 (b)超過最大切換電壓上升率 dVCOM/dt 當負載電流過零時雙向可控硅發(fā)生切換，由于相位差電壓并不為零，這時雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率若超過允許的 dVCOM/dt，會迫使雙向可控 硅回復(fù)導通狀態(tài)。因為載流子沒有充分的時間自結(jié)上撤出。 （ c） 超出最大的切換電流變化率 dICOM/dt 過高的 dIT/dt 可能導致局部燒毀，并使 MT1MT2 短路。 高 dIT/dt 承受能力決定于門極電流上升率 dIG/dt 和峰值 IG。較高的 dIG/dt 值和峰值 IG (d) 超出最大的斷開電壓變化率 dVD/dt 若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）作用很高的電壓變化率，盡管不超過 VDRM（見圖 8），電容性內(nèi)部電流能產(chǎn)生足夠大的門極電流，并觸發(fā)器件導通。門極靈敏度隨溫度而升高。 三象限（ 無緩沖）雙向可控硅 3Q 雙向可控硅具有和 4Q 雙向可控硅不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，它在門極沒有臨界的重疊結(jié)構(gòu)。這使它不能在3+象限工作，但由于排除了 3+象限的觸發(fā)，同時避開了 4Q 雙向可控硅
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