磁控濺射技術(shù)及其應(yīng)用(編輯修改稿)
2025-06-14 01:33 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 衡磁控濺射技術(shù) 三、磁控濺射鍍膜技術(shù)發(fā)展 ?隨著表面工程技術(shù)的發(fā)展 ,越來(lái)越多地用到各種化合物薄膜材料?？梢灾苯邮褂没衔锊牧现谱鞯陌胁耐ㄟ^(guò)濺射來(lái)制備化合物薄膜 ,也可在濺射金屬或合金靶材時(shí) , 通入一定的反應(yīng)氣體 ,通過(guò)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)制備化合物薄膜 ,后者被稱為 反應(yīng)磁控濺射 。 ?一般來(lái)說(shuō)純金屬作為靶材和氣體反應(yīng)較容易得到高質(zhì)量的化合物薄膜 ,因而大多數(shù)化合物薄膜是用純金屬為靶材的反應(yīng)濺磁控射來(lái)制備的。 ?在沉積介電材料或絕緣材料化合物薄膜的反應(yīng)磁控濺射時(shí)，容易出現(xiàn) 遲滯現(xiàn)象。 反應(yīng)磁控濺射技術(shù) 三、磁控濺射鍍膜技術(shù)原理 ? 濺射沉積室中的反應(yīng)氣體流量較低時(shí)（ AB）此時(shí)沉積膜基本上屬金屬態(tài)，此時(shí)的濺射狀態(tài)為 金屬模式 。 ? 反應(yīng)氣體的流量稍微增加（ BC）濺射速率會(huì)發(fā)生大幅度的下降，此時(shí)的濺射狀態(tài)為 過(guò)渡模式 。 ? 反應(yīng)氣體流量再進(jìn)一步增加，沉積速率的變化不大沉積膜呈現(xiàn)為化合物膜，此時(shí)的濺射狀態(tài)為 反應(yīng)模式 。 ? 逐漸減小反應(yīng)氣體流量（ DE），濺射速率不會(huì)由 C立刻回升到 B，而呈現(xiàn)緩慢回升的狀態(tài)，直到減小到某個(gè)數(shù)值 E，才會(huì)出現(xiàn)突然上升到金屬模式濺射狀態(tài)時(shí)的數(shù)值，形成閉合的 遲滯回線 。 反應(yīng)磁控濺射技術(shù) 遲滯現(xiàn)象 三、磁控濺射鍍膜技術(shù)發(fā)展 ? 靶中毒 ：遲滯現(xiàn)象使反應(yīng)氣體與靶材作用生成的化合物覆蓋在靶材表面，積累大量的正電荷無(wú)法中和，在靶材表面建立越來(lái)越高的正電位，陰極位降區(qū)的電位隨之降低，最終陰極位降區(qū)電位降減小到零，放電熄滅，濺射停止，這種現(xiàn)象稱為靶中毒。 ? 打?。?當(dāng)靶材表面化合物層電位足夠高時(shí)，進(jìn)而發(fā)生擊穿，巨大的電流流過(guò)擊穿點(diǎn)，形成弧光放電，導(dǎo)致局部靶面瞬間被加熱到很高的溫度，發(fā)生噴射出現(xiàn)“打弧”現(xiàn)象。 ? 靶中毒和打弧導(dǎo)致了濺射沉積的不穩(wěn)定，縮短了靶材的使用壽命！ ? 解決辦法 ：最為有效解決直流反應(yīng)濺射靶中毒和打弧問(wèn)題的方式是改變?yōu)R射電源，如采用射頻，中頻脈沖電源。 反應(yīng)磁控濺射技術(shù) 三
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1