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正文內(nèi)容

基于單片機的00-99計數(shù)器的設(shè)計(編輯修改稿)

2024-10-03 18:03 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 52 單片機最小系統(tǒng)包括晶體振蕩電路、復(fù)位開關(guān)和電源部分。圖 31為 STC89C52單片機的最小系統(tǒng): 圖 31 單片機最小控制系統(tǒng) 圖 STC89C52 引腳功能說明 : VCC( 40引腳):電源電壓 3 VSS( 20引腳):接地 P0 端口( ~ , 39~ 32 引腳): P0 口是一個漏極開路的 8 位雙向 I/O口。作為輸出端口,每個引腳能驅(qū) 動 8個 TTL負載,對端口 P0寫入 “1”時,可以作為高阻抗輸入。在訪問外部程序和數(shù)據(jù)存儲器時, P0口也可以提供低 8位地址和 8位數(shù)據(jù)的復(fù)用總線。此時, P0口內(nèi)部上拉電阻有效。在 Flash ROM編程時, P0端口接收指令字節(jié);而在校驗程序時,則輸出指令字節(jié)。驗證時,要求外接上拉電阻。 P2 端口( ~ , 21~ 28 引腳): P2口是一個帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O端口。 P2的輸出緩沖器可以驅(qū)動(吸收或輸出電流方式)4個 TTL輸入。對端口寫入 1時,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,這時可用作輸入口。 P2作為輸入口使用時,因為有內(nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號拉低的引腳會輸出一個電流。 在訪問外部程序存儲器和 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(如執(zhí)行“MOVX @DPTR”指令)時, P2送出高 8位地址。在訪問 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(如執(zhí)行 “MOVX @R1”指令)時, P2口引腳上的內(nèi)容(就是專用寄存器( SFR)區(qū)中的 P2 寄存器的內(nèi)容),在整個訪問期間不會改變。 /VPP( 31引腳):訪問外部程序存儲器控制信號。為使能從 0000H到 FFFFH的外部程序存儲器讀取指令, 必須接 GND。注意加密方式1時, 將內(nèi)部鎖定位 RESET。為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令, 應(yīng)該接 VCC。在 Flash編程期間, 也接收 12伏 VPP電壓。 XTAL1( 19 引腳):振蕩器反相放大器和內(nèi)部時鐘發(fā)生電路的輸入端。 XTAL2( 18引腳):振蕩器反相放大器的輸入端。 4 RST( 9 引腳):復(fù)位輸入。當(dāng)輸入連續(xù)兩個機器周期以上高電平時為有效,用來完成單片機單片機的復(fù)位初始化操作。 4 電路的設(shè)計 數(shù)碼管顯示電路 圖 41 數(shù)碼管電路 圖 數(shù)碼管為共陰極如上圖所示。利用單片機 STC89C52 單片機來 制作一個計數(shù)器,在 STC89C52單片機的 ,作為手動計數(shù)的按鈕,用單片機的 a2h2 管腳,作為 0099計數(shù)的個位數(shù)顯示,用單片機的 a1h1 管腳,作為 0099計數(shù)的十位數(shù)顯示。 鍵盤輸入 圖 42 鍵盤輸入 圖 鍵盤輸入每輸入一個低電平實現(xiàn)一次計數(shù)功能,鍵盤右端接入 口處。 5 復(fù)位電路 圖 43 復(fù)位電路 圖 復(fù)位電路的原理是單片機 RST引腳接收到電平信號,只要保證電容的充放電時間大于 2us,即可實現(xiàn)復(fù)位。復(fù)位電路由電容串聯(lián)電阻構(gòu)成 ,結(jié)合 “ 電容電壓不能突變 ” 的性質(zhì) , 可以知道 , 當(dāng)系統(tǒng)一上電 , RST 腳將會出現(xiàn)高電平 , 并且 , 這個高電平持續(xù)的時間由電路的 R、 C 值來決定。在這個電路中,這里選用 10K的電阻和 10uf的電容。 晶振電路 圖 44 晶振電路 圖 單片機晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時鐘信號。通常一個系統(tǒng)共 6 用一個晶振,便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振,而通過電子調(diào)整頻率的方法保持同步。也就是說 .晶振是給單片機提供工作信號脈沖的。這個脈沖就是單片機的工 作速度。比如 這里選用的是 12MHZ的晶振 。 如果一個單片機選擇了 12MHZ晶振,它的時鐘周期是 1/12us,它的一個機器周期是 12(1/12)us,也就是 1us。 晶振與單片機 XTAL1和 XTAL2引腳構(gòu)成的振蕩電路中會產(chǎn)生偕波 ,這個波對電路的影響不大 ,但會降低電路的時鐘振蕩器的
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